Присоединяйтесь!
Зарегистрированных пользователей портала: 507 313. Присоединяйтесь к нам, зарегистрироваться очень просто →
Законодательство
Законодательство

ПРИКАЗ ФТС РФ от 28.12.2006 N 1378 (ред. от 04.02.2013 с изменениями, вступившими в силу с 04.02.2013) "О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ОТДЕЛЬНЫЕ ПРАВОВЫЕ АКТЫ ФТС (ГТК) РОССИИ" (Приложение 7)

Дата документа28.12.2006
Статус документаДействует
МеткиПриказ · Список

    

ФЕДЕРАЛЬНАЯ ТАМОЖЕННАЯ СЛУЖБА

ПРИКАЗ
от 28 декабря 2006 г. N 1378

О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ОТДЕЛЬНЫЕ ПРАВОВЫЕ АКТЫ ФТС (ГТК) РОССИИ

(в ред. Приказов ФТС РФ от 21.06.2010 N 1173, от 22.06.2010 N 1184, от 09.09.2010 N 1666, от 13.11.2010 N 2097, от 25.03.2011 N 640, от 20.05.2011 N 1023, от 17.01.2012 N 56, от 27.03.2012 N 575, от 04.02.2013 N 193)

 
 
    РЕФЕРЕНТ: Приказ и Приложения 1, 2, 3, 4, 5, 6 к Приказу включены в систему отдельными документами
 
    

Приложение N 7
к Приказу ФТС России
от 28 декабря 2006 г. N 1378

    

Приложение 1
к Приказу ГТК России
от 26 июля 2004 г. N 796

УТВЕРЖДЕН
Указом Президента
Российской Федерации
от 5 мая 2004 г. N 580
(в редакции Указа Президента
Российской Федерации
от 1 декабря 2005 г. N 1384)

СПИСОК
ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ

РАЗДЕЛ 1

Таблица к пункту 2.5.3.6

Технические приемы нанесения покрытий

Процесс нанесения покрытия (1) <*> Подложки Получаемое покрытие
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) суперсплавы алюминиды на поверхности внутренних каналов
  керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) силициды, карбиды, диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
  углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), нитрид бора
  металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)
  молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
  бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
  материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом    
2.1. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком суперсплавы сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
  керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) диэлектрические слои (15)
  коррозионно-стойкие стали (7) MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)
  углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
  металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)
  молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
  бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15), бориды, бериллий
  материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15)
  титановые сплавы (13) бориды, нитриды
2.2. Ионноассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом (ионное осаждение) керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод диэлектрические слои (15)
  металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) диэлектрические слои (15)
  молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
  бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15)
  материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
2.3. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной лазерным нагревом керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) силициды, диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
  углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей диэлектрические слои (15)
  металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) диэлектрические слои (15)
  молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
  бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15)
  материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
2.4. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной катодно-дуговым разрядом суперсплавы сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5)
  полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей бориды, карбиды, нитриды, алмазоподобный углерод (17)
3. Твердофазное диффузионное насыщение (10) углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
  титановые сплавы (13) силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2)
  тугоплавкие металлы и сплавы (8) силициды, оксиды
4. Плазменное напыление суперсплавы MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир, сплавы на основе алюминидов (2)
  алюминиевые сплавы (6) MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4)
  тугоплавкие металлы и сплавы (8) алюминиды, силициды, карбиды
  коррозионно-стойкие стали (7) MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)
  титановые сплавы (13) карбиды, алюминиды, силициды, сплавы на основе алюминидов (2), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир
5. Нанесение шликера тугоплавкие металлы и сплавы (8) оплавленные силициды, оплавленные алюминиды (кроме резистивных нагревательных элементов)
  углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
6. Осаждение распылением суперсплавы сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), алюминиды, модифицированные благородным металлом (3), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4)
  керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) силициды, платина, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
  титановые сплавы (13) бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), карбиды
  углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
  металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
  молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
  бериллий и его сплавы бориды, диэлектрические слои (15), бериллий
  материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
  тугоплавкие металлы и сплавы (8) алюминиды, силициды, оксиды, карбиды
7. Ионная имплантация высокотемпературные подшипниковые стали присадки хрома, тантала или ниобия
  титановые сплавы (13) бориды, нитриды
  бериллий и его сплавы бориды
  металлокерамический карбид вольфрама (16) карбиды, нитриды

 
    






















































































































































































N пункта Наименование Код ТН ВЭД
  КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА  
3.1. Системы, оборудование и компоненты  
  Примечания:  
  1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования  
  2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования  
  Особое примечание.  
  В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее статус контроля должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3  
3.1.1. Электронные компоненты:  
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:  
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий: 8542
  а) суммарную дозу 5 x 10_3 Гр (Si) [5 x 10_5 рад] или выше;  
  б) мощность дозы 5 x 10_6 Гр (Si)/c [5 x 10_8 рад/с] или выше; или  
  в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 10_13 н/кв. см или более по кремнию или его эквивалент для других материалов  
  Примечание.  
  Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДПструктуре);  
3.1.1.1.2. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, интегральные схемы для нейронных сетей, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик: 8542
  а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (+125 град. C);  
  б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 град. C); или  
  в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55 град. C) до 398 К (+125 град. C)  
  Примечание.  
  Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы, применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов;  
3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, имеющие любую из следующих характеристик:  
3.1.1.1.3.1. Изготовлены на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц; или 8542 31 900 1;
  8542 31 900 9;
  8542 39 900 9
3.1.1.1.3.2. Более трех шин данных или команд либо последовательных портов связи, обеспечивающих в отдельности прямое внешнее соединение между параллельными микросхемами микропроцессоров со скоростью передачи 1000 Мбайт/с или более 8542 31 900 1;
  8542 31 900 9;
  8542 39 900 9
  Примечание.  
  Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры;  
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях; 8542 31 900 1;
  8542 31 900 9;
  8542 39 900 9
3.1.1.1.5. Следующие интегральные схемы для аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей: 8542 31 900 3;
  8542 31 900 9;
  8542 39 900 2;
  а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 39 900 9
  разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду;  
  разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду;  
  разрешающую способность 12 бит со скоростью на выходе более 50 млн. слов в секунду;  
  разрешающую способность более 12 бит, но равную или меньше 14 бит, со скоростью на выходе более 5 млн. слов в секунду; или разрешающую способность более 14 бит со скоростью на выходе более 1 млн. слов в секунду;  
  б) цифроаналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит или более и временем установления сигнала менее 10 нс  
  Технические примечания:  
  1. Разрешающая способность n битов соответствует 2_n уровням квантования  
  2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности аналого-цифрового преобразователя  
  3. Скорость на выходе является максимальной скоростью на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с)  
  4. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду;  
3.1.1.1.6. Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: 8542
  а) один внутренний лазерный диод или более;  
  б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и  
  в) световоды;  
3.1.1.1.7. Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 39 900 2
  а) эквивалентное количество задействованных логических элементов более 30 000 (в пересчете на элементы с двумя входами);  
  б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или  
  в) частоту переключения выше 133 МГц  
  Примечание.  
  Пункт 3.1.1.1.7 включает:  
  простые программируемые логические устройства (ППЛУ);  
  сложные программируемые логические устройства (СПЛУ);  
  программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ);  
  программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ);  
  программируемые пользователем межсоединения (ППМС)  
  Особое примечание.  
  Программируемые пользователем логические устройства также известны как программируемые пользователем вентильные или программируемые пользователем логические матрицы;  

 
 

3.1.1.1.8. Интегральные схемы для нейронных сетей; Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик: 8542
3.1.1.1.9. 8542 31 900 3;
  8542 31 900 9;
  8542 39 900 2;
  8542 39 900 9
  а) более 1000 выводов;  
  б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или  
  в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;  
3.1.1.1.10. Цифровые интегральные схемы, иные, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего: 8542
  а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или  
  б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;  
3.1.1.1.11. Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного Nточечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log_2 N)/20 480 мс, где N - количество точек 8542 31 900 1;
  8542 31 900 9;
  8542 39 900 9
  Техническое примечание.  
  В случае, когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени выполнения 500 мкс  
  Примечания:  
  1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1  
  2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы:  
  монолитные интегральные схемы;  
  гибридные интегральные схемы;  
  многокристальные интегральные схемы;  
  пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире";  
  оптические интегральные схемы;  
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона:  
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:  
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия: 8540 79 000 0
  а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц;  
  б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;  
  в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;  
  г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик:  
  мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;  
  мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или пригодные для применения в космосе;  
3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; 8540 71 000 0
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/кв. см 8540 99 000 0
  Примечания:  
  1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:  
  а) частота не превышает 31,8 ГГц; и  
  б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения  
  2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, которые непригодны для применения в космосе и удовлетворяют всем следующим характеристикам:  
  а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; и  
  б) спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:  
  частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и  
  диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;  
3.1.1.2.2. Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 31 900 3;
  8542 33 000;
  8542 39 900 2;
  8543 90 000 1
  а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%;  
  б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;  
  в) предназначенные для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;  
  г) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;  
  д) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; или  
  е) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц  
  Примечания:  
  1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц  
  2. Контрольный статус ММИС, рабочая частота которых охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности  
  3. Примечания, приведенные после пункта 3.1 категории 3, подразумевают, что по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они специально разработаны для иных целей, например для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей;  
3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 21 000 0;
  8541 29 000 0
  а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);  
  б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);  
  в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);  
  г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); или  
  д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц  
  Примечание.  
  Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;  

 
 

3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие микроволновые усилители, имеющие любую из следующих характеристик: 8543 70 900 9
  а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%;  
  б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;  
  в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;  
  г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;  
  д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц; или  
  е) предназначенные для работы на частотах выше 3 ГГц и имеющие все следующее:  
  среднюю выходную мощность P (Вт), большую, чем результат от деления величины 150 (Вт x ГГц^2) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть:  
  P > 150/f^2 или в единицах размерности [(Вт) > (Вт x ГГц^2) / (ГГц^2)];  
  относительную ширину полосы частот 5% или более;  
  любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см x ГГц) на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: d <= 15/f или в единицах размерности [(см) <= (см x ГГц) / (ГГц)]  
  Особое примечание.  

Ведется подготовка документа. Ожидайте