Ленты новостей RSS
Главные новости Главные новости
Новости законодательства Новости законодательства
Лента новостей Лента новостей
Судебная практика Судебная практика
Обзор законодательства Обзор законодательства
Письма Минфина Письма Минфина
Обзор изменений Обзор изменений
Используйте наши ленты новостей и Вы всегда будете в курсе событий. Достаточно установить любое RSS расширение для браузера, например RSS Feed Reader
Если что-то не нашли
Присоединяйтесь!
Зарегистрированных пользователей портала: 504 812. Присоединяйтесь к нам, зарегистрироваться очень просто →

    

ФЕДЕРАЛЬНАЯ ТАМОЖЕННАЯ СЛУЖБА

 

ПРИКАЗ
от 28 декабря 2006 г. N 1378

 

О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ОТДЕЛЬНЫЕ ПРАВОВЫЕ АКТЫ ФТС (ГТК) РОССИИ

 

(в ред. Приказов ФТС РФ от 21.06.2010 N 1173, от 22.06.2010 N 1184, от 09.09.2010 N 1666, от 13.11.2010 N 2097, от 25.03.2011 N 640, от 20.05.2011 N 1023, от 17.01.2012 N 56, от 27.03.2012 N 575, от 04.02.2013 N 193)

 
 
    РЕФЕРЕНТ: Приказ и Приложения 1, 2, 3, 4, 5, 6 к Приказу включены в систему отдельными документами
 
    

Приложение N 7
к Приказу ФТС России
от 28 декабря 2006 г. N 1378

    

Приложение 1
к Приказу ГТК России
от 26 июля 2004 г. N 796

 

УТВЕРЖДЕН
Указом Президента
Российской Федерации
от 5 мая 2004 г. N 580
(в редакции Указа Президента
Российской Федерации
от 1 декабря 2005 г. N 1384)

 

СПИСОК
ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ

 

РАЗДЕЛ 1

 

N пункта Наименование <*> Код ТН ВЭД <**>

    

КАТЕГОРИЯ 1. ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ  
   
1.1. Системы, оборудование и компоненты  
1.1.1. Компоненты, изготовленные из фторированных соединений:  
1.1.1.1. Уплотнения, прокладки, уплотнительные материалы или топливные диафрагмы, специально разработанные для применения в летательных или аэрокосмических аппаратах и изготовленные из материалов, содержащих более 50% (по весу) любого материала, контролируемого по пунктам 1.3.9.2 и 1.3.9.3; 3919 90 900 0

<*> См. общее примечание к настоящему Списку.
<**> Здесь и далее код ТН ВЭД - код Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности Российской Федерации.
   
1.1.1.2. Пьезоэлектрические полимеры и сополимеры в виде листа или пленки толщиной более 200 мкм, изготовленные из фтористых винилиденовых материалов, контролируемых по пункту 1.3.9.1; 3921 90 900 0
1.1.1.3. Уплотнения, прокладки, седла клапанов, диафрагмы или мембраны, изготовленные из фторэластомеров, содержащих по крайней мере одну группу винилового эфира как структурную единицу, специально разработанные для летательных, аэрокосмических аппаратов или ракет 3919 90 900 0
1.1.2. Конструкции из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, имеющие любую из следующих составляющих:  
1.1.2.1. Органическую матрицу и выполненные из материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5; или 3926 90 980 2;
3926 90 910 0;
3926 90 980
1.1.2.2. Металлическую или углеродную матрицу и выполненные из:  
1.1.2.2.1. Углеродных волокнистых или нитевидных материалов с: 3801;
3926 90 980 2;
 а) удельным модулем упругости, превышающим 10,15 x 10(6) м; и 3926 90 910 0;
3926 90 980;
6903 10 000 0
 б) удельной прочностью при растяжении, превышающей 17,7 x 10(4) м; или  
1.1.2.2.2. Материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.3  
 Технические примечания:  
 1. Удельный модуль упругости - модуль Юнга, выраженный в паскалях (Н/кв. м), деленный на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +/- 2) К [(23 +/- 2) град. C] и относительной влажности (50 +/- 5)%  
 2. Удельная прочность при растяжении - предел прочности при растяжении, выраженный в паскалях (Н/кв. м), деленный на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +/- 2) К [(23 +/- 2) град. C] и относительной влажности (50 +/- 5)%  
 Примечание.  
 По пункту 1.1.2 не контролируются:  
 а) полностью или частично изготовленные конструкции, специально разработанные для следующего только гражданского использования:  
 в спортивных товарах;  
 в автомобильной промышленности;  
 в станкостроительной промышленности;  
 в медицинских целях;  
 б) элементы конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры с размерами, не превышающими 1 кв. м, изготовленные из пропитанных эпоксидной смолой углеродных волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта летательных аппаратов  
 Особое примечание.  
 В отношении конструкций из композиционных материалов, указанных в пунктах 1.1.2 - 1.1.2.2.2, см. также пункты 1.1.1 - 1.1.1.2.2 раздела 2 и пункт 1.1.1 раздела 3  
1.1.3. Изделия из нефторированных полимерных материалов, контролируемых по пункту 1.3.8.1.3, в виде пленки, листа, ленты или полосы: 3919 90 900 0;
3920 99 900 0
 а) толщиной более 0,254 мм; или  
 б) покрытые или ламинированные углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами  
 Примечание.  
 По пункту 1.1.3 не контролируются изделия, покрытые или ламинированные медью и разработанные для производства электронных печатных плат  
1.1.4. Защитное снаряжение, аппаратура систем обнаружения и комплектующие изделия, разработанные не специально для военного применения:  
1.1.4.1. Противогазы, коробки противогазов с фильтрами и оборудование для их обеззараживания, разработанные либо модифицированные для защиты от биологических факторов или радиоактивных материалов, приспособленных для военного применения, или химического оружия, а также специально разработанные для них компоненты; 9020 00 000 0
1.1.4.2. Защитные костюмы, перчатки и обувь, специально разработанные или модифицированные для защиты от биологических факторов или радиоактивных материалов, приспособленных для военного применения, или химического оружия; 3926 20 000 0;
4015 19 900 0;
4015 90 000 0;
6204 23;
6210 40 000 0;
6210 50 000 0;
6216 00 000 0;
6401 92;
6401 99 000 0;
6402 91;
6402 99 100 0;
6402 99 930 0;
6404 19 900 0
1.1.4.3. Системы, специально разработанные или модифицированные для обнаружения или распознавания биологических, химических факторов или радиоактивных материалов, приспособленных для военного применения, и специально разработанные для них компоненты 9027 10 100 0;
9027 10 900 0;
9027 80 170 0;
9027 80 970 0;
9027 90 800 0;
9030 10 000 0;
9030 89 300 0;
9030 89 900 0;
9030 90 850 0
 Примечание.  
 По пункту 1.1.4 не контролируются:  
 а) персональные радиационные дозиметры;  
 б) оборудование, ограниченное конструктивно или функционально применением в технике безопасности в таких гражданских отраслях, как: горное дело, работы в карьерах, сельское хозяйство, фармацевтическая и медицинская промышленность, ветеринария, охрана окружающей среды, сбор и утилизация отходов или пищевая промышленность  
1.1.5. Бронежилеты и специально разработанные для них компоненты, изготовленные не по военным стандартам или техническим условиям и не равноценные им по характеристикам 6211 43 900 0
 Примечания:  
 1. По пункту 1.1.5 не контролируются бронежилеты или защитная одежда, которые вывозятся пользователем для собственной индивидуальной защиты  
 2. По пункту 1.1.5 не контролируются бронежилеты, разработанные для обеспечения только фронтальной защиты как от осколков, так и от взрыва невоенных взрывных устройств  
 Особое примечание.  
 Для нитевидных и волокнистых материалов см. пункт 1.3.10  
1.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
1.2.1. Оборудование для производства волокон, препрегов, преформ или композиционных материалов, контролируемых по пункту 1.1.2 или 1.3.10, а также специально разработанные для него компоненты и вспомогательные устройства:  
1.2.1.1. Машины для намотки волокон, специально разработанные для производства конструкций из композиционных материалов слоистой структуры из волокнистых или нитевидных материалов, в которых движения, связанные с позиционированием, пропиткой и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более направлениям; 8445 40 000;
8445 90 000 1
1.2.1.2. Машины для выкладки ленты или жгута, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой ленты, жгута или их слоев, координируются и программируются по двум или более осям и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов; 8445 40 000;
8445 90 000 1
1.2.1.3. Многокоординатные ткацкие машины или машины для плетения, включая приспособления и устройства для плетения, ткачества, переплетения волокон, предназначенные для получения объемных структур, являющихся заготовками для конструкций из композиционных материалов 8446 21 000 0;
8447 90 000
 Техническое примечание.  
 Для целей пункта 1.2.1.3 плетение включает вязание  
 Примечание.  
 По пункту 1.2.1.3 не контролируется текстильное оборудование, не модифицированное для вышеуказанного конечного применения;  
1.2.1.4. Оборудование, специально разработанное или приспособленное для производства армирующих волокон:  

 
 

1.2.1.4.1. Оборудование для превращения полимерных волокон (таких, как полиакрилонитриловые, вискозные, пековые или поликарбосилановые) в углеродные или карбидкремниевые волокна, включая специальное оборудование для натяжения волокон при нагреве; 8456 10;
8456 90 000 0;
8515 80 990 0
1.2.1.4.2. Оборудование для химического осаждения элементов или соединений из паровой фазы на нагретую нитевидную подложку в целях производства карбидкремниевых волокон; 8419 89 989 0
1.2.1.4.3. Оборудование для получения тугоплавких керамических волокон (например, из оксида алюминия) по мокрому способу; 8445 90 000 9
1.2.1.4.4. Оборудование для преобразования путем термообработки волокон алюминийсодержащих прекурсоров в волокна оксида алюминия; 8514 10 800 0;
8514 20 100 0;
8514 20 800 0;
8514 30 190 0;
8514 30 990 0;
8514 40 000 0
1.2.1.5. Оборудование для производства препрегов, контролируемых по пункту 1.3.10.5, методом горячего плавления; 8451 80 800 9;
8477 59 100 0;
8477 59 800 0
1.2.1.6. Оборудование для неразрушающего контроля с возможностью трехмерного обнаружения дефектов методом ультразвуковой или рентгеновской томографии, специально разработанное для композиционных материалов 9022 12 000 0;
9022 19 000 0;
9022 29 000 0;
9031 80 380 0
1.2.2. Оборудование, специально разработанное для исключения загрязнения при производстве металлических сплавов, порошков металлических сплавов или легированных материалов и использования в одном из процессов, указанных в пункте 1.3.2.3.2  
1.2.3. Инструменты, пресс-формы, матрицы или арматура для формообразования в условиях сверхпластичности или диффузионной сварки титана, алюминия или их сплавов, специально разработанные для производства: 8207 30 100 0
 а) корпусных авиационных или аэрокосмических конструкций;  
 б) двигателей для летательных или аэрокосмических аппаратов; или  
 в) конструктивных элементов, специально разработанных для таких конструкций или двигателей  
1.3. Материалы  
 Техническое примечание.  
 Термины "металлы" и "сплавы", если специально не оговорено иное, относятся к следующим необработанным формам и полуфабрикатам:  
 а) необработанные формы - аноды, блюмы, болванки, брикеты, бруски, гранулы, губка, дробь, катоды, кольца, кристаллы, спеки, заготовки металла неправильной формы, листы, окатыши, плитки, поковки, порошки, прутки (включая надрубленные прутки и заготовки для проволоки), слитки, слябы, стаканы, сутунки, чушки, шары;  
 б) полуфабрикаты (независимо от того, имеют они плакирование, покрытие, сверления, пробитые отверстия или нет):  
 1) материалы, подвергнутые обработке давлением или иным способом, полученные путем прокатки, волочения, штамповки выдавливанием, ковки, штамповки ударным выдавливанием, прессования, гранулирования, распыления и размалывания, а именно: диски, изделия прессованные и штампованные, кольца, ленты, листы, плиты, поковки, полосы, порошки, профили, прутки (включая непокрытые сварочные прутки, присадочную проволоку и катанку), пудры, трубы круглого и квадратного сечения, уголки, фасонные профили, фольга и тонкие листы, чешуйки, швеллеры;  
 2) отливки, полученные литьем в любые формы (песчаные, металлические, гипсовые и другие), включая полученные литьем под давлением, а также спеченные заготовки и заготовки, полученные методами порошковой металлургии.  
 Цель контроля не должна нарушаться при экспорте не указанных выше заготовок или полуфабрикатов, выдаваемых за готовые изделия, но, по существу, представляющих собой контролируемые заготовки или полуфабрикаты  
1.3.1. Материалы, специально разработанные для поглощения электромагнитных волн, или полимеры, обладающие собственной проводимостью:  
1.3.1.1. Материалы для поглощения электромагнитных волн в области частот от 2 x 10(8) Гц до 3 x 10(12) Гц 3815 19;
3910 00 000 9
 Примечания:  
 1. По пункту 1.3.1.1 не контролируются:  
 а) поглотители войлочного типа, изготовленные из натуральных и синтетических волокон, содержащие немагнитный наполнитель;  
 б) поглотители, не имеющие магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности;  
 в) плоские поглотители, обладающие всеми следующими признаками:  
 1) изготовленные из любых следующих материалов:  
 вспененных полимерных материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связующие, обеспечивающих более 5% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на +/- 15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 450 К (177 град. C);  
 или  
 керамических материалов, обеспечивающих более 20% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на +/- 15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 800 К (527 град. C);  
 2) прочностью при растяжении менее 7 x 10(6) Н/кв. м; и  
 3) прочностью при сжатии менее 14 x 10(6) Н/кв. м;  
 г) плоские поглотители, выполненные из спеченного феррита, имеющие:  
 удельный вес более 4,4 г/куб. см; и  
 максимальную рабочую температуру 548 К (275 град. C)  
 2. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании 1 к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках  
 Техническое примечание.  
 Образцы для проведения испытаний на поглощение, приведенные в подпункте 1 пункта "в" примечания 1 к пункту 1.3.1.1, должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн средней частоты и располагаться в дальней зоне излучающего элемента;  
1.3.1.2. Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих 1,5 x 10(14) Гц, но ниже чем 3,7 x 10(14) Гц, и непрозрачные для видимого света; 3815 19;
3910 00 000 9
1.3.1.3. Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью выше 10 000 См/м (Сименс/м) или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 Ом/кв. м, полученные на основе любого из следующих полимеров:  
1.3.1.3.1. Полианилина; 3909 30 000 0
1.3.1.3.2. Полипиррола; 3911 90 990 0
1.3.1.3.3. Политиофена; 3911 90 990 0
1.3.1.3.4. Полифенилен-винилена; или 3911 90 990 0
1.3.1.3.5. Политиенилен-винилена 3919 90 900 0
 Техническое примечание.  
 Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или ее национальным эквивалентом  
 Особое примечание.  
 В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.1 - 1.3.1.3.5, см. также пункты 1.3.1 - 1.3.1.3.5 разделов 2 и 3  
1.3.2. Металлические сплавы, порошки металлических сплавов и легированные материалы следующих типов:  
1.3.2.1. Алюминиды:  
1.3.2.1.1. Алюминиды никеля, содержащие от 15 до 38% (по весу) алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент; 7502 20 000 0
1.3.2.1.2. Алюминиды титана, содержащие 10% (по весу) или более алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент; 8108 20 000;
8108 90 300 0;
8108 90 500 0;
8108 90 600 0;
8108 90 900 0
1.3.2.2. Металлические сплавы, изготовленные из материалов, контролируемых по пункту 1.3.2.3:  
1.3.2.2.1. Никелевые сплавы с: 7502 20 000 0
 а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 676 МПа и температуре 923 К (650 град. C); или  
 б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 823 К (550 град. C) и максимальном напряжении цикла 1095 МПа;  

 
 

1.3.2.2.2. Ниобиевые сплавы с: 8112 92 310 0;
 а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 400 МПа и температуре 1073 К (800 град. C); или 8112 99 300 0
 б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 973 К (700 град. C) и максимальном напряжении цикла 700 МПа;  
1.3.2.2.3. Титановые сплавы с: 8108 20 000;
 а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 200 МПа и температуре 723 К (450 град. C); или 8108 90 300 0;
8108 90 500 0;
8108 90 600 0;
8108 90 900 0
 б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 723 К (450 град. C) и максимальном напряжении цикла 400 МПа;  
1.3.2.2.4. Алюминиевые сплавы с пределом прочности при растяжении: 7601 20;
7604 29 100 0;
 а) 240 МПа или выше при температуре 473 К (200 град. C); или 7608 20 810 0;
7608 20 890 0
 б) 415 МПа или выше при температуре 298 К (25 град. C);  
1.3.2.2.5. Магниевые сплавы: 8104
 а) с пределом прочности при растяжении 345 МПа или выше; и  
 б) со скоростью коррозии в 3-процентном водном растворе хлорида натрия менее 1 мм в год, измеренной в соответствии со стандартной методикой ASTM G-31 или ее национальным эквивалентом;  
1.3.2.3. Порошки металлических сплавов или частицы материала, имеющие все следующие характеристики:  
1.3.2.3.1. Изготовленные из любых следующих по составу систем:  
 Техническое примечание.  
 X в дальнейшем соответствует одному или более легирующим элементам  
1.3.2.3.1.1. Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), для деталей или компонентов газотурбинных двигателей, содержащие менее трех неметаллических частиц размером более 100 мкм (введенных в процессе производства) на 10(9) частиц сплава; 7504 00 000 0
1.3.2.3.1.2. Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti); 8112 92 310 0
1.3.2.3.1.3. Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al); 8108 20 000 5
1.3.2.3.1.4. Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или 7603
1.3.2.3.1.5. Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); и 8104 30 000 0
1.3.2.3.2. Изготовленные в контролируемой среде с использованием одного из нижеследующих процессов:  
 а) вакуумное распыление;  
 б) газовое распыление;  
 в) центробежное распыление;  
 г) скоростная закалка капли;  
 д) спиннингование расплава и последующее измельчение;  
 е) экстракция расплава и последующее измельчение; или  
 ж) механическое легирование;  
1.3.2.3.3. Могущие быть исходными материалами для получения сплавов, контролируемых по пункту 1.3.2.1 или 1.3.2.2;  
1.3.2.4. Легированные материалы, характеризующиеся всем нижеследующим: 7504 00 000 0;
7505 12 000 0;
7506;
 а) изготовлены из любых систем, определенных в пункте 1.3.2.3.1; 7603 20 000 0;
7604 29 100 0;
 б) имеют форму неизмельченных чешуек, ленты или тонких стержней; и 7606 12 910 0;
7606 92 000 0;
7607 19;
 в) изготовлены в контролируемой среде любым из следующих методов: скоростная закалка капли; спиннингование расплава; или экстракция расплава 8104 30 000 0;
8104 90 000 0;
8108 20 000;
8108 90 300 0;
8108 90 500 0;
8112 92 310 0;
 Примечание. 8112 92 200 9;
 По пункту 1.3.2 не контролируются металлические сплавы, порошки металлических сплавов или легированные материалы для подложек покрытий 8112 99 300 0
 Технические примечания:  
 1. К металлическим сплавам, указанным в пункте 1.3.2, относятся сплавы, которые содержат больший процент (по весу) указанного металла, чем любых других элементов  
 2. Ресурс длительной прочности следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM Е-139 или ее национальным эквивалентом  
 3. Малоцикловую усталость следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-606 "Технические рекомендации по испытаниям на малоцикловую усталость при постоянной амплитуде" или ее национальным эквивалентом. Образцы должны нагружаться в осевом направлении при среднем значении показателя нагрузки, равном единице, и коэффициенте концентрации напряжения (K_t), равном единице.  
 Средний показатель нагрузки определяется как частное от деления разности максимальной и минимальной нагрузок на максимальную нагрузку  
1.3.3. Магнитные металлические материалы всех типов и в любой форме, имеющие какую-нибудь из следующих характеристик:  
1.3.3.1. Начальную относительную магнитную проницаемость 120 000 или более и толщину 0,05 мм или менее 8505 11 000 0;
8505 19 100 0;
8505 19 900 0
 Техническое примечание.  
 Измерение начальной относительной магнитной проницаемости следует проводить на полностью отожженных материалах;  
1.3.3.2. Магнитострикционные сплавы, имеющие любую из следующих характеристик: 2803 00;
2846 90 000 0
 а) магнитострикцию насыщения более 5 x 10(-4); или  
 б) коэффициент магнитомеханического взаимодействия (к) более 0,8; или  
1.3.3.3. Ленты из аморфных или нанокристаллических сплавов, имеющие все следующие характеристики: 7226 11 000 0;
7506; 8105
 а) содержание железа, кобальта или никеля не менее 75% (по весу);  
 б) магнитную индукцию насыщения (B_s) 1,6 Т или более; и  
 в) любое из нижеследующего: толщину ленты 0,02 мм или менее; или удельное электрическое сопротивление 2 x 10(-4) Ом.см или более  
 Техническое примечание.  
 К нанокристаллическим материалам, указанным в пункте 1.3.3.3, относятся материалы, имеющие размер кристаллических зерен 50 нм или менее, определенный методом рентгеновской дифракции  
1.3.4. Урано-титановые сплавы или вольфрамовые сплавы с матрицей на основе железа, никеля или меди, имеющие все следующие характеристики: 2844 10 900 0;
8101 94 000 0;
8101 96 000 0;
8101 99 100 0;
8101 99 900 0;
 а) плотность выше 17,5 г/куб. см; 8108 20 000;
 б) предел упругости выше 880 МПа; 8108 90 300 0;
 в) предел прочности при растяжении выше 1270 МПа; и 8108 90 500 0;
8108 90 600 0;
 г) относительное удлинение более 8% 8108 90 900 0
1.3.5. Следующие сверхпроводящие проводники из композиционных материалов длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г:  
1.3.5.1. Проводники из многожильных сверхпроводящих композиционных материалов, содержащих одну или несколько ниобийтитановых нитей: 8544
 а) уложенные в матрицу не из меди или не на основе меди; или  
 б) имеющие площадь поперечного сечения менее 0,28 x 10^(-4) кв. мм (6 мкм в диаметре для нитей круглого сечения);  
1.3.5.2. Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, выполненных не из ниобийтитана, имеющие все нижеперечисленное: 8544
 а) критическую температуру при нулевом магнитном поле, превышающую 9,85 К (-263,31 град. С), но ниже 24 К (-249,16 град. С);  
 б) площадь поперечного сечения менее 0,28 x 10^(-4) кв. мм; и  
 в) остающиеся в сверхпроводящем состоянии при температуре 4,2 К (-268,96 град. C) в магнитном поле, соответствующем магнитной индукции 12 Т  
1.3.6. Жидкости и смазочные материалы:  
1.3.6.1. Гидравлические жидкости, содержащие в качестве основных составляющих любые из следующих соединений или материалов:  
1.3.6.1.1. Синтетические кремнийуглеводородные масла, имеющие все следующие характеристики: 3910 00 000 9
 а) температуру воспламенения выше 477 К (204 град. C);  
 б) температуру застывания 239 К (-34 град. C) или ниже;  
 в) индекс вязкости 75 или более;  
 г) термостабильность при температуре 616 К (343 град. C); или  

 
 

1.3.6.1.2. Хлорофторуглероды, имеющие все следующие характеристики: 2812; 2826;
 а) температуру воспламенения не имеют; 2903 41 000 0;
2903 42 000 0;
 б) температуру самовоспламенения выше 977 К (704 град. C); 2903 43 000 0;
2903 44;
 в) температуру застывания 219 К (-54 град. C) или ниже; 2903 45;
3819 00 000 0;
 г) индекс вязкости 80 или более; и 3824 71 000 0
 д) температуру кипения 473 К (200 град. C) или выше  
 Технические примечания:  
 1. Для целей, указанных в пункте 1.3.6.1.1, кремнийуглеводородные масла содержат исключительно кремний, водород и углерод  
 2. Для целей, указанных в пункте 1.3.6.1.2, хлорофторуглероды содержат исключительно углерод, фтор и хлор;  
1.3.6.2. Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих следующие соединения или материалы:  
1.3.6.2.1. Фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функциональных групп или их смесей; или 2909 30 900 0;
2930 90 850 0
1.3.6.2.2. Фторированные кремнийорганические жидкости, имеющие кинематическую вязкость менее 5000 кв. мм/с (5000 сантистоксов) при температуре 298 К (25 град. C); 3910 00 000 9
1.3.6.3. Амортизаторные или флотационные жидкости с чистотой более 99,8%, содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл и полученные по меньшей мере на 85% из любых следующих соединений или материалов:  
1.3.6.3.1. Дибромтетрафторэтана; 2903 46 900 0
1.3.6.3.2. Полихлортрифторэтилена (только маслообразные и воскообразные модификации); или 3904 69 900 0
1.3.6.3.3. Полибромтрифторэтилена; 3904 69 900 0
1.3.6.4. Фторуглеродные охлаждающие жидкости для электроники, имеющие все следующие характеристики: 2903 41 000 0;
2903 42 000 0;
2903 45 100 0;
 а) содержащие 85% (по весу) или более любого из следующих веществ или любой из их смесей: 3824 90 980 0
 мономерных форм перфторполиалкилэфиртриазинов или перфторалифатических эфиров;  
 перфторалкиламинов;  
 перфторциклоалканов; или  
 перфторалканов;  
 б) плотность 1,5 г/мл или более при температуре 298 К (25 град. C);  
 в) жидкое состояние при температуре 273 К (0 град. C); и  
 г) содержащие фтора 60% (по весу) или более  
 Техническое примечание.  
 Для целей, указанных в пункте 1.3.6:  
 а) температура воспламенения определяется с использованием метода Кливлендской открытой чашки, описанного в стандартной методике ASTM D-92 или ее национальном эквиваленте;  
 б) температура застывания определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D-97 или ее национальном эквиваленте;  
 в) индекс вязкости определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D-2270 или ее национальном эквиваленте;  
 г) термостабильность определяется в соответствии со следующей методикой испытаний или ее национальным эквивалентом: 20 мл испытуемой жидкости помещается в камеру объемом 46 мл из нержавеющей стали типа 317, содержащую шары номинального диаметра 12,5 мм из инструментальной стали М-10, стали марки 52100 и корабельной бронзы (60% Сu, 39% Zn , 0,75% Sn).  
 Камера наполняется азотом, герметизируется при давлении, равном атмосферному, температура повышается до (644 +/- 6) К [(371 +/- 6) град. C] и выдерживается в течение шести часов.  
 Образец считается термостабильным, если по завершении вышеописанной процедуры удовлетворены следующие требования:  
 потеря веса каждым шаром не превышает 10 мг/кв. мм его поверхности;  
 изменение первоначальной вязкости, определенной при температуре 311 К (38 град. C), не превышает 25%;  
 суммарное кислотное или основное число не превышает 0,40;  
 д) температура самовоспламенения определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM E-659 или ее национальном эквиваленте  
1.3.7. Исходные керамические материалы, некомпозиционные керамические материалы, композиционные материалы с керамической матрицей и соответствующие прекурсоры:  
1.3.7.1. Исходные материалы из простых или сложных боридов титана, имеющие суммарно металлические примеси, исключая специальные добавки, менее 5000 частей на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньше 5 мкм, и при этом не более 10% частиц имеют размер более 10 мкм; 2850 00 900 0
1.3.7.2. Некомпозиционные керамические материалы в сыром виде или в виде полуфабриката на основе боридов титана с плотностью 98% или более от теоретической плотности 2850 00 900 0
 Примечание.  
 По пункту 1.3.7.2 не контролируются абразивы;  
1.3.7.3. Композиционные материалы типа керамика-керамика со стеклянной или оксидной матрицей, армированной волокнами, имеющими все следующие характеристики: 2849; 2850 00;
8803 90 200 0;
8803 90 300 0;
8803 90 900 0;
 а) изготовлены из любых нижеследующих материалов: 9306 90
 Si-N;  
 Si-C;  
 Si-Al-O-N; или  
 Si-O-N; и  
 б) имеют удельную прочность при растяжении, превышающую 12,7 x 10(3) м;  
1.3.7.4. Композиционные материалы типа керамика-керамика с непрерывной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора 2849 20 000 0;
2849 90 100 0;
2850 00 200 0;
8113 00 200 0;
8113 00 900 0
 Особое примечание.  
 В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.7.3 и 1.3.7.4, см. также пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 2;
 
1.3.7.5. Следующие материалы-предшественники (то есть полимерные или металлоорганические материалы специализированного назначения) для производства какой-либо фазы или фаз материалов, контролируемых по пункту 1.3.7.3: 3910 00 000 9
 а) полидиорганосиланы (для производства карбида кремния);  
 б) полисилазаны (для производства нитрида кремния);  
 в) поликарбосилазаны (для производства керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами);  
1.3.7.6. Композиционные материалы типа керамика-керамика с оксидными или стеклянными матрицами, армированными непрерывными волокнами любой из следующих систем: 6903;
6914 90 900 0
 а) AL2O3; или  
 б) Si-C-N  
 Примечание.  
 По пункту 1.3.7.6 не контролируются композиционные материалы, армированные указанными волокнами из этих систем, имеющими предел прочности при растяжении ниже 700 МПа при температуре 1273 К (1000 град. C) или деформацию ползучести более 1% при напряжении 100 МПа и температуре 1273 К (1000 град. C) за 100 ч  
1.3.8. Нефторированные полимерные вещества:  
1.3.8.1.1. Бисмалеимиды; 2925 19 950 0
1.3.8.1.2. Ароматические полиамид-имиды; 3908 90 000 0
1.3.8.1.3. Ароматические полиимиды; 3911 90 990 0
1.3.8.1.4. Ароматические полиэфиримиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 513 К (240 град. C) 3907 20 990 0;
3907 91 900 0
 Примечание.  
 По пунктам 1.3.8.1.1 - 1.3.8.1.4 не контролируются неплавкие порошки для форм, используемых для литья под давлением, или фасонных форм;  
1.3.8.2. Термопластичные жидкокристаллические сополимеры, имеющие температуру термодеформации выше 523 К (250 град. C ), измеренную в соответствии с международным стандартом ISO 75-3 (2004) или его национальным эквивалентом при нагрузке 1,82 Н/кв. мм, и состоящие из: 3907 91 900 0
 а) любой из следующих групп:  
 фенилена, бифенилена или нафталена; или  
 метил, трет-бутил или фенилзамещенного фенилена, бифенилена или нафталена; и  
 б) любой из следующих кислот:  
 терефталевой кислоты;  
 6-гидрокси-2 нафтойной кислоты;  
 4-гидроксибензойной кислоты;  

 
 

1.3.8.3. Полиариленовые эфир-кетоны:  
1.3.8.3.1. Полиэфирэфиркетон (ПЭЭК); 3907 91 900 0
1.3.8.3.2. Полиэфиркетон-кетон (ПЭКК); 3907 91 900 0
1.3.8.3.3. Полиэфиркетон (ПЭК); 3907 91 900 0
1.3.8.3.4. Полиэфиркетонэфиркетон-кетон (ПЭКЭКК); 3907 91 900 0
1.3.8.4. Полиариленовые кетоны; 3907 99
1.3.8.5. Полиариленовые сульфиды, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации; 3911 90 190 0
1.3.8.6. Полибифениленэфирсульфоны, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 513 K (240 град. C) 3911 90 190 0
 Техническое примечание.  
 Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для материалов, контролируемых по пункту 1.3.8, определяется с использованием метода, описанного в Международном стандарте ISO 11357-2 (1999) или его национальном эквиваленте  
1.3.9. Необработанные фторированные соединения:  
1.3.9.1. Сополимеры винилидена фторида (1,1-дифторэтилена), содержащие 75% или более бета-кристаллической структуры, полученной без вытягивания; 3904 69 900 0
1.3.9.2. Фторированные полиимиды, содержащие 10% (по весу) или более связанного фтора; 3904 69 900 0
1.3.9.3. Фторированные фосфазеновые эластомеры, содержащие 30% (по весу) или более связанного фтора 3904 69 900 0
1.3.10. Нитевидные или волокнистые материалы, которые могут быть использованы в композиционных материалах объемной или слоистой структуры с органической, металлической или углеродной матрицей:  
1.3.10.1. Органические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: 5402 11 000 0;
5404 12 000 0;
5404 19 000 0;
 а) удельный модуль упругости более 12,7 x 10(6) м; и 5501 10 000 1;
5503 11 000 0
 б) удельную прочность при растяжении более 23,5 x 10(4) м  
 Примечание.  
 По пункту 1.3.10.1 не контролируется полиэтилен;  
1.3.10.2. Углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: 6815 10 100 0
 а) удельный модуль упругости более 12,7 x 10(6) м; и  
 б) удельную прочность при растяжении более 23,5 x 10(4) м  
 Техническое примечание.  
 Свойства материалов, указанных в пункте 1.3.10.2, должны определяться методами 12 - 17 (SRM 12 - 17), рекомендуемыми Ассоциацией производителей современных композиционных материалов (SACMA), или их национальным эквивалентом и должны основываться на средних значениях из большого количества измерений  
 Примечание.  
 По пункту 1.3.10.2 не контролируются ткани, изготовленные из волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта конструкций летательных аппаратов или листы слоистой структуры, размеры которых не превышают 50 x 90 см;  
1.3.10.3. Неорганические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: 8101 96 000 0;
8101 99 900 0;
8108 90 300 0;
 а) удельный модуль упругости, превышающий 2,54 x 10(6) м; и 8108 90 900 0
 б) точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую температуру 1922 К (1649 град. C)  
 Примечание.  
 По пункту 1.3.10.3 не контролируются:  
 а) дискретные, многофазные, поликристаллические волокна оксида алюминия в виде рубленых волокон или беспорядочно уложенных в матах, содержащие 3% или более (по весу) диоксида кремния и имеющие удельный модуль упругости менее 10 x 10(6) м;  
 б) молибденовые волокна и волокна из молибденовых сплавов;  
 в) волокна бора;  
 г) дискретные керамические волокна с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде ниже 2043 К (1770 град. C);  
1.3.10.4. Волокнистые или нитевидные материалы:  
1.3.10.4.1. Состоящие из любого из нижеследующих материалов:  
1.3.10.4.1.1. Полиэфиримидов, контролируемых по пунктам 1.3.8.1.1 - 1.3.8.1.4; или 5402 11 000 0;
5402 20 000 0;
5402 49 000 0;
5404 12 000 0;
5404 19 000 0;
5501 10 000 1;
5501 20 000 0;
5501 90 000 0;
5503 11 000 0;
5503 20 000 0;
5503 90 900 0
1.3.10.4.1.2. Материалов, контролируемых по пунктам 1.3.8.2 - 1.3.8.6; или 5402 20 000 0;
5402 49 000 0;
5404 12 000 0;
5404 19 000 0;
5501 20 000 0;
5501 90 000 0;
5503 20 000 0;
5503 90 900 0
1.3.10.4.2. Изготовленные из материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2, и связанные с волокнами других типов, контролируемых по пунктам 1.3.10.1 - 1.3.10.3  
 Особое примечание.  
 В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.10.3 - 1.3.10.4.2, см. также пункты 1.3.3 - 1.3.3.2.2 раздела 2;
 
1.3.10.5. Волокна, пропитанные смолой или пеком (препреги), волокна, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы: 3801;
3926 90 980 2;
6815 10 100 0;
6815 10 900;
6815 99 900 0;
 а) изготовленные из волокнистых или нитевидных материалов, контролируемых по пунктам 1.3.10.1 - 1.3.10.3; 7019 11 000 0;
7019 12 000 0;
7019 19;
7019 40 000 0;
 б) изготовленные из органических или углеродных волокнистых или нитевидных материалов: 7019 51 000 0;
7019 52 000 0;
7019 59 000 0
 с удельной прочностью при растяжении, превышающей 17,7 x 10(4) м;  
 с удельным модулем упругости, превышающим 10,15 x 10(6) м;  
 не контролируемых по пункту 1.3.10.1 или 1.3.10.2; и  
 пропитанных материалами, контролируемыми по пункту 1.3.8 или 1.3.9.2, имеющими температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 383 К (110 град. C), фенольными либо эпоксидными смолами, имеющими температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg), равную или превышающую 418 К (145 град. C)  
 Примечание.  
 По пункту 1.3.10.5 не контролируются:  
 а) углеродные волокнистые или нитевидные материалы, пропитанные эпоксидной смолой (препреги), для ремонта элементов конструкций летательных аппаратов или листы слоистой структуры, имеющие размеры единичных листов препрегов, не превышающие 50 x 90 см;  
 б) препреги, если импрегнирующие фенольные или эпоксидные смолы имеют температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) ниже 433 К (160 град. C) и температуру отверждения ниже, чем температура перехода в стеклообразное состояние  
 Техническое примечание.  
 Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.5, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 3418, с применением сухого метода.  
 Температура перехода в стеклообразное состояние для фенольных эпоксидных смол определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 4065, при частоте 1 Гц и скорости нагрева 2 град. C в минуту, с применением сухого метода  
 Технические примечания:  
 1. Удельный модуль упругости - модуль Юнга, выраженный в паскалях (Н/кв. м), деленный на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +/- 2) К [(23 +/- 2) град. C] и относительной влажности (50 +/- 5)%  
 2. Удельная прочность при растяжении - предел прочности при растяжении, выраженный в паскалях (Н/кв. м), деленный на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +/- 2) К [(23 +/- 2) град. C] и относительной влажности (50 +/- 5)%  

 
 

1.3.11. Следующие металлы и соединения:  
1.3.11.1. Металлы в виде частиц с размерами менее 60 мкм сферической, пылевидной, сфероидальной форм, чешуйчатые или измельченные, изготовленные из материала, содержащего 99% или более циркония, магния или их сплавов 8104 30 000 0;
8109 20 000 0
 Техническое примечание.  
 При определении содержания циркония в него включается природная примесь гафния (обычно 2 - 7%)  
 Примечание.  
 Металлы или сплавы, указанные в пункте 1.3.11.1, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;  
1.3.11.2. Бор или карбид бора чистотой 85% или выше в виде частиц размерами 60 мкм или менее 2804 50 100 0;
2849 90 100 0
 Примечание.  
 Металлы или соединения, указанные в пункте 1.3.11.2, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;  
1.3.11.3. Гуанидин нитрат; 2825 10 000 0;
2834 29 800 0;
2904
1.3.11.4. Нитрогуанидин (NQ) 2925 29 000 0
1.3.12. Следующие материалы:  
1.3.12.1. Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония-238 более 50% (по весу) 2844 20 510 0;
2844 20 590 0;
2844 20 990 0
 Примечание.  
 По пункту 1.3.12.1 не контролируются:  
 а) поставки, содержащие 1 г плутония или менее;  
 б) поставки, содержащие три эффективных грамма плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах;  
1.3.12.2. Предварительно обогащенный нептуний-237 в любой форме 2844 40 200 0;
2844 40 300 0
 Примечание.  
 По пункту 1.3.12.2 не контролируются поставки, содержащие не более 1 г нептуния-237  
 Техническое примечание.  
 Материалы, указанные в пункте 1.3.12, обычно используются для ядерных источников тепла  
 Особое примечание.  
 В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.12 - 1.3.12.2, см. также пункты 1.3.4 - 1.3.4.2 раздела 2 и пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 3  
1.4. Программное обеспечение  
1.4.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пункту 1.2  
1.4.2. Программное обеспечение для разработки композиционных материалов с объемной или слоистой структурой на основе органических, металлических или углеродных матриц  
 Особое примечание.  
 В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 1.4.2, см. также пункт 1.4.1 раздела 2  
1.5. Технология  
1.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 1.1.1.2, 1.1.1.3, 1.1.2 - 1.1.5, 1.2 или пункту 1.3  
 Особое примечание.  
 В отношении технологий, указанных в пункте 1.5.1, см. также пункт 1.5.1 разделов 2 и 3  
1.5.2. Иные нижеследующие технологии:  
1.5.2.1. Технологии разработки или производства полибензотиазолов или полибензоксазолов;  
1.5.2.2. Технологии разработки или производства фторэластомерных соединений, содержащих по крайней мере один винилэфирный мономер;  
1.5.2.3. Технологии разработки или производства следующих исходных материалов или некомпозиционных керамических материалов:  
1.5.2.3.1. Исходных материалов, обладающих всем нижеперечисленным:  
 а) любой из следующих композиций:  
 простые или сложные оксиды циркония и сложные оксиды кремния или алюминия;  
 простые нитриды бора (с кубической кристаллической решеткой);  
 простые или сложные карбиды кремния или бора; или  
 простые или сложные нитриды кремния;  
 б) суммарными металлическими примесями, исключая преднамеренно вносимые добавки, в количестве, не превышающем:  
 1000 частей на миллион для простых оксидов или карбидов; или  
 5000 частей на миллион для сложных соединений или простых нитридов; и  
 в) являющихся любым из следующего:  
 1) диоксидом циркония, имеющим средний размер частиц, равный или меньше 1 мкм, и не более 10% частиц с размером, превышающим 5 мкм;  
 2) другими исходными материалами, имеющими средний размер частиц, равный или меньше 5 мкм, и не более 10% частиц размером более 10 мкм; или  
 3) имеющих все следующее:  
 пластинки, отношение длины к толщине которых превышает значение 5;
 
 нитевидные кристаллы диаметром менее 2 мкм, отношение длины к диаметру которых превышает значение 10;
и
 
 непрерывные или рубленые волокна диаметром менее 10 мкм;  
1.5.2.3.2. Некомпозиционных керамических материалов, состоящих из материалов, указанных в пункте 1.5.2.3.1  
 Примечание.  
 По пункту 1.5.2.3.2 не контролируются технологии для разработки или производства абразивных материалов;  
1.5.2.4. Технологии производства ароматических полиамидных волокон;  
1.5.2.5. Технологии сборки, эксплуатации или восстановления материалов, контролируемых по пункту 1.3.1;  
1.5.2.6. Технологии восстановления конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, контролируемых по пункту 1.1.2, или материалов, контролируемых по пункту 1.3.7.3 или 1.3.7.4  
 Примечание.  
 По пункту 1.5.2.6 не контролируются технологии для ремонта элементов конструкций гражданских летательных аппаратов с использованием углеродных волокнистых или нитевидных материалов и эпоксидных смол, содержащиеся в руководствах производителя летательных аппаратов  
 Особое примечание.  
 В отношении технологий, указанных в пунктах 1.5.2.5 и 1.5.2.6, см. также пункты 1.5.2 - 1.5.2.2 раздела 2  

 
    

КАТЕГОРИЯ 2. ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ  
   
2.1. Системы, оборудование и компоненты  
2.1.1. Подшипники или подшипниковые системы и их составные части:  
2.1.1.1. Шариковые подшипники и неразъемные роликовые подшипники, имеющие все допуски, указанные производителем, в соответствии с классом точности 4 или выше (лучше) по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту, в которых как кольца, так и тела качения (ISO 5593) изготовлены из медно-никелевого сплава или бериллия 8482 10 100 0;
8482 10 900;
8482 30 000 0;
8482 40 000 0;
8482 50 000 0
 Примечание.  
 По пункту 2.1.1.1 не контролируются конические роликовые подшипники;  
2.1.1.2. Другие шариковые и неразъемные роликовые подшипники, имеющие все допуски, указанные производителем, в соответствии с классом точности 2 или выше (лучше) по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту 8482 80 000 0
 Примечание.  
 По пункту 2.1.1.2 не контролируются конические роликовые подшипники;  
2.1.1.3. Активные магнитные подшипниковые системы, характеризующиеся хотя бы одним из нижеперечисленных качеств: 8483 30 380 0;
8483 30 800 9
 а) выполнены из материала с магнитной индукцией 2 Т или более и пределом текучести выше 414 МПа;  
 б) являются полностью электромагнитными с трехмерным униполярным подмагничиванием привода; или  
 в) имеют высокотемпературные, с температурой 450 К (177 град. C) и выше, позиционные датчики  
 Примечание.  
 По пункту 2.1.1 не контролируются шарики с допусками, указанными производителем, в соответствии с международным стандартом ISO 3290, по степени точности 5 или ниже (хуже)  
2.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
 Технические примечания:  
 1. Вторичные параллельные оси для контурной обработки (например, W-ось на горизонтально-расточных станках или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее количество осей. Ось вращения необязательно означает вращение на угол, больший 360 град. Вращение может задаваться устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой)  
 2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, по которым или вокруг которых в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом. Это не включает любые дополнительные оси, по которым или вокруг которых осуществляются другие относительные движения в станке.  
 Такие оси включают:  
 а) оси систем правки шлифовальных кругов в шлифовальных станках;  
 б) параллельные оси вращения, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей;  
 в) коллинеарные оси вращения, предназначенные для манипулирования одной обрабатываемой деталью путем закрепления ее в патроне с разных концов  
 3. Номенклатура осей определяется в соответствии с международным стандартом ISO 841 "Станки с числовым программным управлением. Номенклатура осей и видов движения"  
 4. Для целей настоящей категории качающийся шпиндель рассматривается как ось вращения  
 5. Для всех станков одной модели может использоваться значение заявленной точности позиционирования, не полученное в результате испытаний отдельного станка, а найденное в результате измерений, проведенных в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом.  
 Заявленная точность позиционирования означает величину точности, представленную поставщиком (производителем) в качестве показателя точности станков определенной модели.  
 Определение показателя точности:  
 а) выбирается пять станков модели, подлежащей оценке;  
 б) измеряется точность линейных осей в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997);  
 в) определяются величины показателей А для каждой оси каждого станка. Метод определения величины показателя А описан в стандарте ISO;  
 г) определяется среднее значение показателя А для каждой оси. Эта средняя величина А- становится заявленной величиной (А- х, А- у ...) для всех станков данной модели;  
 д) поскольку станки, указанные в категории 2 настоящего Списка, имеют несколько линейных осей, количество заявленных величин показателя точности равно количеству линейных осей;  
 е) если любая из осей определенной модели станка, не контролируемого по пунктам 2.2.1.1 - 2.2.1.3, характеризуется показателем А-,для шлифовальных станков равным 5 мкм или менее (лучше), для фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм или менее (лучше), то производитель обязан каждые 18 месяцев заново подтверждать величину точности  
2.2.1. Станки, указанные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими спецификациями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления, а также специально разработанные для них компоненты:  
 Примечания:  
 1. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные изготовлением зубчатых колес. Для таких станков см. пункт 2.2.3  
 2. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные изготовлением любых из следующих деталей:  
 а) коленчатых или распределительных валов;  
 б) режущих инструментов;  
 в) червяков экструдеров;  
 г) гравированных или ограненных частей ювелирных изделий  
 3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3  
2.2.1.1. Токарные станки, имеющие все следующие характеристики: 8458;
8464 90 800 0;
 а) точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и 8465 99 100 0
 б) две или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления  
 Примечание.  
 По пункту 2.2.1.1 не контролируются токарные станки, специально разработанные для производства контактных линз;  
2.2.1.2. Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик: 8459 31 000 0;
8459 51 000 0;
 а) имеющие все следующие характеристики: 8459 61;
8464 90 800 0;
 точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; 8465 92 000 0
 б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;  
 в) для координатно-расточных станков точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; или  
 г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики:  
 биение шпинделя и эксцентриситет менее (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (ППИ); и  
 повороты суппорта относительно трех ортогональных осей меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на 300 мм перемещения;  
2.2.1.3. Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик: 8460 11 000;
8460 19 000 0;
 а) имеющие все следующие характеристики: 8460 21;
8460 29;
 точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и 8464 20 950 0;
8465 93 000 0
 три или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; или  
 б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления  
 Примечание.  
 По пункту 2.2.1.3 не контролируются следующие шлифовальные станки:  
 а) круглошлифовальные, внутришлифовальные и универсальные шлифовальные станки, обладающие всеми следующими характеристиками: предназначенные лишь для круглого шлифования; и с максимально возможной длиной или наружным диаметром обрабатываемой детали 150 мм;  
 б) станки, специально разработанные как координатно-шлифовальные, не имеющие Z-оси или W-оси, с точностью позиционирования со всеми доступными компенсациями меньше (лучше) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом;  
 в) плоскошлифовальные станки;  

 
 

2.2.1.4. Станки для электроискровой обработки (СЭО) беспроволочного типа, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; 8456 30
2.2.1.5. Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов, имеющие все следующие характеристики: 8424 30 900 0;
8456 10 00;
8456 90 000 0
 а) обработка материалов осуществляется любым из следующих способов: струями воды или других жидкостей, в том числе с абразивными присадками; электронным лучом; или лазерным лучом; и  
 б) имеющие две или более оси вращения, которые:  
 могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и  
 имеют точность позиционирования менее (лучше) 0,003 град.;  
2.2.1.6. Сверлильные станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий более 5000 мм, и специально разработанные для них компоненты 8458;
8459 21 000 0;
8459 29 000 0
2.2.2. Станки с числовым программным управлением, использующие процесс магнитореологической чистовой обработки (МРЧО) 8464 20 110 0;
8464 20 190 0;
8464 20 950 0;
8465 93 000 0
 Техническое примечание.  
 Для целей пункта 2.2.2 под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем  
2.2.3. Станки с числовым программным управлением или станки с ручным управлением и специально предназначенные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (R_c = 40 или более) прямозубых цилиндрических, косозубых и шевронных шестерен диаметром делительной окружности более 1250 мм и шириной зубчатого венца, равной 15% от диаметра делительной окружности или более, с качеством после финишной обработки по классу 3 в соответствии с международным стандартом ISO 1328 8461 40 710 0;
8461 40 790 0
2.2.4. Горячие изостатические прессы, имеющие все нижеперечисленное, и специально разработанные для них компоненты и приспособления: 8462 99
 а) камеры с регулируемыми температурами внутри рабочей полости и внутренним диаметром полости камеры 406 мм и более; и  
 б) любую из следующих характеристик: максимальное рабочее давление выше 207 МПа; регулируемые температуры выше 1773 К (1500 град. C); или оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения  
 Техническое примечание.  
 Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой  
2.2.5. Оборудование, специально разработанное для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения неорганических покрытий, слоев и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к пункту 2.5.3.6 и отмеченных в примечаниях к ней, а также специально разработанные для него автоматизированные компоненты установки, позиционирования, манипулирования и регулирования:  
2.2.5.1. Производственное оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеющее все нижеследующее: 8419 89 989 0
 а) процесс, модифицированный для реализации одного из следующих методов: CVD с пульсирующим режимом; термического осаждения с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD); или CVD с применением плазменного разряда, модифицирующего процесс; и  
 б) включающее любое из следующего: высоковакуумные (вакуум, равный 0,01 Па или ниже (лучше)) вращающиеся уплотнения; или средства регулирования толщины покрытия в процессе осаждения;  
2.2.5.2. Производственное оборудование ионной имплантации с током пучка 5 мА или более; 8543 10 000 0
2.2.5.3. Технологическое оборудование для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом электронным пучком (EB-PVD), включающее силовые системы с расчетной мощностью более 80 кВт и имеющее любую из следующих составляющих: 8543 70 900 9
 а) лазерную систему управления уровнем жидкой ванны, которая точно регулирует скорость подачи заготовок; или  
 б) управляемое компьютером контрольно-измерительное устройство, работающее на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимое для управления скоростью осаждения покрытия, содержащего два или более элемента;  
2.2.5.4. Производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик: 8419 89 300 0;
8419 89 98
 а) работающее при пониженном давлении контролируемой атмосферы (равном или ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии до 300 мм над выходным сечением сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, которая перед началом процесса напыления может быть откачана до 0,01 Па; или  
 б) включающее средства регулирования толщины покрытия в процессе напыления;  
2.2.5.5. Производственное оборудование осаждения распылением, обеспечивающее плотность тока 0,1 мА/кв. мм или более, со скоростью осаждения 15 мкм/ч или более; 8419 89 300 0;
8419 89 98
2.2.5.6. Производственное оборудование катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления положением активного пятна дуги на катоде; 8543 70 900 9
2.2.5.7. Производственное оборудование ионного осаждения, позволяющее осуществлять в процессе: 8543 70 900 9
 а) измерение толщины покрытия на подложке и управление скоростью осаждения; или  
 б) измерение оптических характеристик  
 Примечание.  
 По пунктам 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5 - 2.2.5.7 не контролируется оборудование химического осаждения из паровой фазы (CVD), катодно-дугового напыления, осаждения распылением, ионного осаждения или ионной имплантации, специально разработанное для покрытия режущего или обрабатывающего инструмента  
2.2.6. Системы и оборудование для измерения или контроля размеров:  
2.2.6.1. Координатно-измерительные машины (КИМ) с компьютерным управлением или числовым программным управлением, имеющие максимально допустимую погрешность показания (МДПП) по любому направлению в трехмерном пространстве в любой точке в пределах рабочего диапазона машины (то есть в пределах длины осей), равную или меньше (лучше) (1,7 + L/1000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах), определенную в соответствии с международным стандартом ISO 10360-2 (2001); 9031 80 320 0;
9031 80 340 0
2.2.6.2. Приборы для измерения линейных или угловых перемещений:  
2.2.6.2.1. Приборы для измерения линейных перемещений, имеющие любую из следующих составляющих: 9031 49 900 0;
9031 80 320 0;
9031 80 340 0;
 а) измерительные системы бесконтактного типа с разрешением, равным или меньше (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм; 9031 80 910 0
 б) системы с индуктивными дифференциальными датчиками, имеющие все следующие характеристики:  
 линейность, равную или меньше (лучше) 0,1%, в диапазоне измерений до 5 мм; и  
 дрейф, равный или меньше (лучше) 0,1% в день, при стандартной комнатной температуре +/- 1 К; или  
 в) измерительные системы, имеющие все следующие составляющие:  
 содержащие лазер; и  
 сохраняющие в течение по крайней мере 12 часов при колебаниях окружающей температуры +/- 1 К относительно стандартной температуры и нормальном атмосферном давлении все следующие характеристики:  
 разрешение на полной шкале 0,1 мкм или меньше (лучше); и  
 погрешность измерения, равную или меньше (лучше) (0,2 + L/2000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах)  
 Примечание.  
 По пункту 2.2.6.2.1 не контролируются измерительные интерферометрические системы без обратной связи с замкнутым или открытым контуром, содержащие лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения размеров или другого подобного оборудования  
 Техническое примечание.  
 Для целей пункта 2.2.6.2.1 линейное перемещение означает изменение расстояния между измеряющим элементом и контролируемым объектом;  

 
 

2.2.6.2.2. Приборы для измерения угловых перемещений с погрешностью измерения по угловой координате, равной или меньше (лучше) 0,00025 град. 9031 49 900 0;
9031 80 320 0;
9031 80 340 0;
9031 80 910 0
 Примечание.  
 По пункту 2.2.6.2.2 не контролируются оптические приборы, такие, как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала;  
2.2.6.3. Оборудование для измерения чистоты поверхности с применением оптического рассеяния как функции угла с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше) 9031 49 900 0
 Примечание.  
 Станки, которые могут быть использованы в качестве средств измерения, подлежат контролю, если их параметры соответствуют или превосходят критерии, установленные для параметров станков или измерительных приборов  
2.2.7. Роботы, имеющие любую из нижеперечисленных характеристик, и специально разработанные для них устройства управления и рабочие органы: 8479 50 000 0;
8537 10 100 0;
8537 10 910 9;
8537 10 990 0
 а) способность в реальном масштабе времени осуществлять полную трехмерную обработку изображений или полный трехмерный анализ сцены с генерированием или модификацией программ либо с генерированием или модификацией данных для числового программного управления  
 Техническое примечание.  
 Ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию третьего измерения по результатам наблюдения под заданным углом или ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или текстуры для утвержденных заданий (2 1/2 D);  
 б) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности применительно к условиям работы со взрывчатыми веществами военного назначения;  
 в) специально разработанные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие более 5 x 10(3) Гр (Si)[5 x 10(5) рад] без ухудшения эксплуатационных характеристик; или  
 г) специально разработанные для работы на высотах, превышающих 30 000 м  
2.2.8. Узлы или блоки, специально разработанные для станков, или системы для контроля или измерения размеров:  
2.2.8.1. Линейные измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие полную точность менее (лучше) [800 + (600 x L x 10(3))] нм (L - эффективная длина в миллиметрах) 9031
 Особое примечание.  
 Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.6.2.1;  
2.2.8.2. Угловые измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие точность менее (лучше) 0,00025 град. 9031
 Особое примечание.  
 Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.6.2.1;  
2.2.8.3. Составные поворотные столы или качающиеся шпиндели, применение которых в соответствии с техническими характеристиками изготовителя может модифицировать станки до уровня, указанного в пункте 2.2, или выше 8466
2.2.9. Обкатные вальцовочные и гибочные станки, которые в соответствии с технической документацией производителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерным управлением и которые имеют все следующие характеристики: 8462 21 100;
8462 21 800;
8463 90 000 0
 а) две или более контролируемые оси, по крайней мере две из которых могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; и  
 б) усилие на ролике более 60 кН  
 Техническое примечание.  
 Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.9 как относящиеся к гибочным станкам  
2.3. Материалы - нет  
2.4. Программное обеспечение  
2.4.1. Программное обеспечение иное, чем контролируемое по пункту 2.4.2, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пункту 2.1 или 2.2;  
2.4.2. Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное в электронное устройство или систему, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способный координировать одновременно более четырех осей для контурного управления  
 Примечания:  
 1. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для работы станков, не контролируемых по пунктам категории 2.  
 2. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2.  
 В отношении контроля за программным обеспечением для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2, см. пункт 2.4.1  
 Особое примечание.  
 В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, см. также пункт 2.4.1 раздела 2  
2.5. Технология  
2.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 2.1, 2.2 или 2.4  
2.5.2. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования, контролируемого по пункту 2.1 или 2.2  
 Особое примечание.  
 В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также пункт 2.5.1 раздела 2  
2.5.3. Иные нижеследующие технологии:  
2.5.3.1. Технологии для разработки интерактивной графики как встроенной части блока числового программного управления для подготовки или модификации программ обработки деталей;  
2.5.3.2. Технологии для производственных процессов металлообработки:  
2.5.3.2.1. Технологии для проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально разработанные для любого из следующих процессов:  
 а) формообразования в условиях сверхпластичности;  
 б) диффузионной сварки; или  
 в) гидравлического прессования прямого действия;  
2.5.3.2.2. Технические данные, включающие описание технологического процесса или его параметры:  
 а) для формообразования в условиях сверхпластичности изделий из алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов:  
 подготовка поверхности;  
 скорость деформации;  
 температура;  
 давление;  
 б) для диффузионной сварки титановых сплавов или суперсплавов:  
 подготовка поверхности;  
 температура;  
 давление;  
 в) для гидравлического прессования прямого действия алюминиевых или титановых сплавов:  
 давление;  
 время цикла;  
 г) для горячего изостатического уплотнения титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов:  
 температура;  
 давление;  
 время цикла;  
2.5.3.3. Технологии для разработки или производства гидравлических прессов для штамповки с вытяжкой и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов;  
2.5.3.4. Технологии для разработки генераторов машинных команд для управления станком (например, программ обработки деталей) на основе проектных данных, хранимых в блоках числового программного управления;  
2.5.3.5. Технологии для разработки комплексного программного обеспечения для включения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления;  
2.5.3.6. Технологии для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения внешних слоев неорганических покрытий, иных покрытий и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к настоящему пункту и примечаниях к ней  
 Особое примечание.  
 Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только при указанных в ней сочетаниях позиций в колонках "Получаемое покрытие" и "Подложки". Например, подлежат контролю технические характеристики процесса нанесения силицидного покрытия методом химического осаждения из паровой фазы (CVD) на подложки из углерод-углерода и композиционных материалов с керамической или металлической матрицей. Однако, если подложка выполнена из металлокерамического карбида вольфрама (16) или карбида кремния (18), контроль не требуется, так как во втором случае получаемое покрытие не указано в соответствующей колонке для этих подложек (металлокерамический карбид вольфрама и карбид кремния)  

 
 

Таблица к пункту 2.5.3.6

 

Технические приемы нанесения покрытий

 

Процесс нанесения покрытия (1) <*> Подложки Получаемое покрытие
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) суперсплавы алюминиды на поверхности внутренних каналов
 керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) силициды, карбиды, диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
 углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), нитрид бора
 металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)
 молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
 бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
 материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом   
2.1. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком суперсплавы сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
 керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) диэлектрические слои (15)
 коррозионно-стойкие стали (7) MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)
 углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
 металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)
 молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
 бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15), бориды, бериллий
 материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15)
 титановые сплавы (13) бориды, нитриды
2.2. Ионноассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом (ионное осаждение) керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод диэлектрические слои (15)
 металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) диэлектрические слои (15)
 молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
 бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15)
 материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
2.3. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной лазерным нагревом керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) силициды, диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
 углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей диэлектрические слои (15)
 металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) диэлектрические слои (15)
 молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
 бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15)
 материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
2.4. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной катодно-дуговым разрядом суперсплавы сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5)
 полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей бориды, карбиды, нитриды, алмазоподобный углерод (17)
3. Твердофазное диффузионное насыщение (10) углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
 титановые сплавы (13) силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2)
 тугоплавкие металлы и сплавы (8) силициды, оксиды
4. Плазменное напыление суперсплавы MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир, сплавы на основе алюминидов (2)
 алюминиевые сплавы (6) MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4)
 тугоплавкие металлы и сплавы (8) алюминиды, силициды, карбиды
 коррозионно-стойкие стали (7) MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)
 титановые сплавы (13) карбиды, алюминиды, силициды, сплавы на основе алюминидов (2), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир
5. Нанесение шликера тугоплавкие металлы и сплавы (8) оплавленные силициды, оплавленные алюминиды (кроме резистивных нагревательных элементов)
 углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
6. Осаждение распылением суперсплавы сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), алюминиды, модифицированные благородным металлом (3), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4)
 керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) силициды, платина, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
 титановые сплавы (13) бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), карбиды
 углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
 металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
 молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
 бериллий и его сплавы бориды, диэлектрические слои (15), бериллий
 материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
 тугоплавкие металлы и сплавы (8) алюминиды, силициды, оксиды, карбиды
7. Ионная имплантация высокотемпературные подшипниковые стали присадки хрома, тантала или ниобия
 титановые сплавы (13) бориды, нитриды
 бериллий и его сплавы бориды
 металлокерамический карбид вольфрама (16) карбиды, нитриды

 
    


    <*> См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий указанному в скобках.
 
    Примечания к таблице:
    1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий.
    2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов.
    3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия.
    4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице.
    5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, X - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:
    а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;
    б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;
    в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.
    6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 град. C).
    7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта.
    8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал.
    9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.
    10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2.
    11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны.
    12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются.
    13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20 град. C).
    14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20 град. C) коэффициент линейного расширения 10(-7) К(-1) или менее.
    15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл.
    16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель.
    17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы.
    18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением.
    19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, а также в сочетании с другими компонентами.
 
    Технические примечания к таблице:
    Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:
    1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера.
 
    Особые примечания:
    а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;
    б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;
    в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении.
    2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.
    Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.
    Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:
    а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;
    б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;
    в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;
    г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку;
 
    Особое примечание.
    Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку.
    д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса.
    3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:
    а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
    б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
    в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.
    Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757 град. C) до 1375 К (1102 град. C) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия.
    4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости.
 
    Особые примечания:
    а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;
    б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20 град. С) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с.
    5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия.
    6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку.
 
    Особые примечания:
    а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;
    б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ).
    7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением.
 
    Некоторые пояснения к таблице.
    Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:
    1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:
    1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:
    1.1.1. Состав раствора:
    1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;
    1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;
    1.1.2. Время обработки;
    1.1.3. Температура ванны;
    1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;
    1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;
    1.3. Параметры цикла термообработки:
    1.3.1. Атмосферные параметры:
    1.3.1.1. Состав атмосферы;
    1.3.1.2. Давление;
    1.3.2. Температура термообработки;
    1.3.3. Время термообработки;
    1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:
    1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:
    1.4.1.1. Состав крошки, дроби;
    1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;
    1.4.1.3. Скорость крошки;
    1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;
    1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;
    1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;
    1.5. Параметры маски:
    1.5.1. Материал маски;
    1.5.2. Расположение маски.
    2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:
    2.1. Параметры атмосферы:
    2.1.1. Состав;
    2.1.2. Давление;
    2.2. Время;
    2.3. Температура;
    2.4. Толщина;
    2.5. Коэффициент преломления;
    2.6. Контроль состава покрытия.
    3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:
    3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
    3.1.1. Состав дроби;
    3.1.2. Размер дроби;
    3.1.3. Скорость дроби;
    3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;
    3.3. Параметры цикла термообработки:
    3.3.1. Параметры атмосферы:
    3.3.1.1. Состав;
    3.3.1.2. Давление;
    3.3.2. Температура и время цикла;
    3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки.
    4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:
    4.1. Критерии для статистической выборки;
    4.2. Микроскопические критерии для:
    4.2.1. Увеличения;
    4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
    4.2.3. Целостности покрытия;
    4.2.4. Состава покрытия;
    4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
    4.2.6. Микроструктурной однородности;
    4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):
    4.3.1. Коэффициент отражения;
    4.3.2. Коэффициент пропускания;
    4.3.3. Поглощение;
    4.3.4. Рассеяние.
    5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:
    5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):
    5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;
    5.1.2. Состав газа-носителя;
    5.1.3. Температура подложки;
    5.1.4. Температура - время - давление циклов;
    5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;
    5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:
    5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;
    5.2.2. Температура подложки;
    5.2.3. Состав газа-реагента;
    5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;
    5.2.5. Температура - время - давление циклов;
    5.2.6. Управление пучком и подложкой;
    5.2.7. Параметры лазера:
    5.2.7.1. Длина волны;
    5.2.7.2. Плотность мощности;
    5.2.7.3. Длительность импульса;
    5.2.7.4. Периодичность импульсов;
    5.2.7.5. Источник;
    5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:
    5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;
    5.3.2. Состав газа-носителя;
    5.3.3. Температура - время - давление циклов;
    5.4. Для плазменного напыления:
    5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);
    5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
    5.4.3. Температура подложки;
    5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;
    5.4.5. Дистанция напыления;
    5.4.6. Угол напыления;
    5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;
    5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;
    5.5. Для осаждения распылением:
    5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;
    5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;
    5.5.3. Состав газа-реагента;
    5.5.4. Напряжение смещения;
    5.5.5. Температура - время - давление циклов;
    5.5.6. Мощность триода;
    5.5.7. Управление деталью (подложкой);
    5.6. Для ионной имплантации:
    5.6.1. Управление пучком и подложкой;
    5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
    5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
    5.6.4. Температура - время - давление циклов;
    5.7. Для ионного осаждения:
    5.7.1. Управление пучком и подложкой;
    5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
    5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
    5.7.4. Температура - время - давление циклов;
    5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;
    5.7.6. Температура подложки;
    5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.
    

N пункта Наименование Код ТН ВЭД
 КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА  
3.1. Системы, оборудование и компоненты  
 Примечания:  
 1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования  
 2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования  
 Особое примечание.  
 В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее статус контроля должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3  
3.1.1. Электронные компоненты:  
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:  
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий: 8542
 а) суммарную дозу 5 x 10_3 Гр (Si) [5 x 10_5 рад] или выше;  
 б) мощность дозы 5 x 10_6 Гр (Si)/c [5 x 10_8 рад/с] или выше; или  
 в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 10_13 н/кв. см или более по кремнию или его эквивалент для других материалов  
 Примечание.  
 Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДПструктуре);  
3.1.1.1.2. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, интегральные схемы для нейронных сетей, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик: 8542
 а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (+125 град. C);  
 б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 град. C); или  
 в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55 град. C) до 398 К (+125 град. C)  
 Примечание.  
 Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы, применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов;  
3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, имеющие любую из следующих характеристик:  
3.1.1.1.3.1. Изготовлены на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц; или 8542 31 900 1;
 8542 31 900 9;
 8542 39 900 9
3.1.1.1.3.2. Более трех шин данных или команд либо последовательных портов связи, обеспечивающих в отдельности прямое внешнее соединение между параллельными микросхемами микропроцессоров со скоростью передачи 1000 Мбайт/с или более 8542 31 900 1;
 8542 31 900 9;
 8542 39 900 9
 Примечание.  
 Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры;  
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях; 8542 31 900 1;
 8542 31 900 9;
 8542 39 900 9
3.1.1.1.5. Следующие интегральные схемы для аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей: 8542 31 900 3;
 8542 31 900 9;
 8542 39 900 2;
 а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 39 900 9
 разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду;  
 разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду;  
 разрешающую способность 12 бит со скоростью на выходе более 50 млн. слов в секунду;  
 разрешающую способность более 12 бит, но равную или меньше 14 бит, со скоростью на выходе более 5 млн. слов в секунду; или разрешающую способность более 14 бит со скоростью на выходе более 1 млн. слов в секунду;  
 б) цифроаналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит или более и временем установления сигнала менее 10 нс  
 Технические примечания:  
 1. Разрешающая способность n битов соответствует 2_n уровням квантования  
 2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности аналого-цифрового преобразователя  
 3. Скорость на выходе является максимальной скоростью на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с)  
 4. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду;  
3.1.1.1.6. Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: 8542
 а) один внутренний лазерный диод или более;  
 б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и  
 в) световоды;  
3.1.1.1.7. Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 39 900 2
 а) эквивалентное количество задействованных логических элементов более 30 000 (в пересчете на элементы с двумя входами);  
 б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или  
 в) частоту переключения выше 133 МГц  
 Примечание.  
 Пункт 3.1.1.1.7 включает:  
 простые программируемые логические устройства (ППЛУ);  
 сложные программируемые логические устройства (СПЛУ);  
 программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ);  
 программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ);  
 программируемые пользователем межсоединения (ППМС)  
 Особое примечание.  
 Программируемые пользователем логические устройства также известны как программируемые пользователем вентильные или программируемые пользователем логические матрицы;  

 
 

3.1.1.1.8. Интегральные схемы для нейронных сетей; Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик: 8542
3.1.1.1.9. 8542 31 900 3;
 8542 31 900 9;
 8542 39 900 2;
 8542 39 900 9
 а) более 1000 выводов;  
 б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или  
 в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;  
3.1.1.1.10. Цифровые интегральные схемы, иные, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего: 8542
 а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или  
 б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;  
3.1.1.1.11. Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного Nточечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log_2 N)/20 480 мс, где N - количество точек 8542 31 900 1;
 8542 31 900 9;
 8542 39 900 9
 Техническое примечание.  
 В случае, когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени выполнения 500 мкс  
 Примечания:  
 1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1  
 2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы:  
 монолитные интегральные схемы;  
 гибридные интегральные схемы;  
 многокристальные интегральные схемы;  
 пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире";  
 оптические интегральные схемы;  
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона:  
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:  
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия: 8540 79 000 0
 а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц;  
 б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;  
 в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;  
 г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик:  
 мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;  
 мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или пригодные для применения в космосе;  
3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; 8540 71 000 0
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/кв. см 8540 99 000 0
 Примечания:  
 1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:  
 а) частота не превышает 31,8 ГГц; и  
 б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения  
 2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, которые непригодны для применения в космосе и удовлетворяют всем следующим характеристикам:  
 а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; и  
 б) спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:  
 частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и  
 диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;  
3.1.1.2.2. Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 31 900 3;
 8542 33 000;
 8542 39 900 2;
 8543 90 000 1
 а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%;  
 б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;  
 в) предназначенные для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;  
 г) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;  
 д) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; или  
 е) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц  
 Примечания:  
 1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц  
 2. Контрольный статус ММИС, рабочая частота которых охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности  
 3. Примечания, приведенные после пункта 3.1 категории 3, подразумевают, что по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они специально разработаны для иных целей, например для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей;  
3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 21 000 0;
 8541 29 000 0
 а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);  
 б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);  
 в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);  
 г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); или  
 д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц  
 Примечание.  
 Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;  

 
 

3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие микроволновые усилители, имеющие любую из следующих характеристик: 8543 70 900 9
 а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%;  
 б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;  
 в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;  
 г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;  
 д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц; или  
 е) предназначенные для работы на частотах выше 3 ГГц и имеющие все следующее:  
 среднюю выходную мощность P (Вт), большую, чем результат от деления величины 150 (Вт x ГГц^2) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть:  
 P > 150/f^2 или в единицах размерности [(Вт) > (Вт x ГГц^2) / (ГГц^2)];  
 относительную ширину полосы частот 5% или более;  
 любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см x ГГц) на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: d <= 15/f или в единицах размерности [(см) <= (см x ГГц) / (ГГц)]  
 Особое примечание.  
 Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, описанные в пункте 3.1.1.2.2  
 Примечания:  
 1. По пункту 3.1.1.2.4 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц  
 2. Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;  
3.1.1.2.5. Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5:1 (f_max / f_min) менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик: 8543 70 900 9
 а) полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или  
 б) полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты;  
3.1.1.2.6. Смесители и преобразователи, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, указанной в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6; 8543 70 900 9
3.1.1.2.7. Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие лампы, контролируемые по пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие характеристики: 8543 70 900 9
 а) рабочие частоты выше 3 ГГц;  
 б) плотность средней выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и  
 в) объем менее 400 куб. см  
 Примечание.  
 По пункту 3.1.1.2.7 не контролируется аппаратура, спроектированная для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;  
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты:  
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие любую из следующих характеристик: 8541 60 000 0
 а) несущую частоту выше 2,5 ГГц;  
 б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик:  
 частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ;  
 произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;  
 ширину полосы частот выше 250 МГц; или дисперсионную задержку более 10 мкс; или  
 в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; дисперсионную задержку более 10 мкс; или  
 частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 50 МГц;  
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических волнах (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 1 ГГц; 8541 60 000 0
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку; 8541 60 000 0
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально спроектированные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из следующих признаков: 8540;
 8541;
 8542;
 8543
 а) токовые переключатели для цифровых схем, использующие сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10^(-14) Дж; или  
 б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000;  
3.1.1.5. Нижеперечисленные мощные энергетические устройства:  
3.1.1.5.1. Батареи и сборки фотоэлектрических элементов:  
3.1.1.5.1.1. Первичные элементы и батареи с плотностью энергии, превышающей 480 Вт.ч/кг, и пригодные для работы в диапазоне температур от ниже 243 К (-30 град. C) до выше 343 К (70 град. C); 8506;
 8507;
 8541 40 900 0
3.1.1.5.1.2. Подзаряжаемые элементы и батареи с плотностью энергии более 150 Вт.ч/кг после 75 циклов заряд-разряда при токе разряда, равном С/5 (С - номинальная емкость в ампер-часах, 5 - время разряда в часах), при работе в диапазоне температур от ниже 253 К (-20 град. C) до выше 333 К (60 град. C) 8506;
 8507;
 8541 40 900 0
 Техническое примечание.  
 Плотность энергии определяется путем умножения средней мощности в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75% от номинала, и деления полученного произведения на общую массу элемента (или батареи) в килограммах;  
3.1.1.5.1.3. Батареи, пригодные для применения в космосе, и радиационно стойкие сборки фотоэлектрических элементов с удельной мощностью более 160 Вт/кв. м при рабочей температуре 301 К (28 град. C) и облучении от вольфрамового источника, нагретого до температуры 2800 К (2527 град. С) с плотностью мощности излучения 1 кВт/кв. м 8506;
 8507;
 8541 40 900 0
 Примечание.  
 По пунктам 3.1.1.5.1.1 - 3.1.1.5.1.3 не контролируются батареи объемом 27 куб. см или менее (например, стандартные элементы с угольными стержнями или батареи типа R14);  

 
 

3.1.1.5.2. Высокоэнергетические накопительные конденсаторы:  
3.1.1.5.2.1. Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: 8506;
 8507;
 8532
 а) номинальное напряжение 5 кВ или более;  
 б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и  
 в) полную энергию 25 кДж или более;  
3.1.1.5.2.2. Конденсаторы с частотой повторения 8506;
 10 Гц и выше (многоразрядные 8507;
 конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: 8532
 а) номинальное напряжение 5 кВ или более;  
 б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;  
 в) полную энергию 100 Дж или более; и  
 г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более;  
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все нижеперечисленные характеристики: 8504 50;
 8505 90 100 0
 а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;  
 б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и  
 в) номинальную магнитную индукцию больше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/кв. мм  
 Примечание.  
 По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, специально разработанные для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии;  
3.1.1.6. Цифровые преобразователи абсолютного углового положения вращающегося вала, имеющие любую из следующих характеристик: 9031 80 320 0;
 9031 80 340 0
 а) разрешение лучше 1/265 000 от полного диапазона (18 бит); или  
 б) точность лучше +/- 2,5 угл. с  
3.1.2. Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения:  
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее:  
3.1.2.1.1. Устройства записи на магнитной ленте показаний аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик: 8519 81 540 1;
 8519 81 580;
 8519 81 900 0;
 8519 89 900 0;
 8521 10 200 0;
 8521 10 950 0
 а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку;  
 б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при количестве дорожек более 42; или  
 в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +/- 0,1 мкс  
 Примечание.  
 Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающие устройства, использующие ленту;  
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны на 8521 10;
 магнитной ленте, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 360 Мбит/с 8521 90 000 9
 Примечание.  
 По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания, Европейским институтом стандартов по телекоммуникациям или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике;  
3.1.2.1.3. Устройства записи на магнитной ленте показаний цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: 8471 70 800 0;
 8521 10
 а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или  
 б) пригодные для применения в космосе  
 Примечание.  
 По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются устройства записи данных на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных;  
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса, превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов на магнитной ленте для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; 8521 90 000 9
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: 8471 90 000 0;
 8543 70 900 9
 а) скорость преобразования в цифровую форму 200 млн. проб в секунду или более и разрешение 10 бит или более; и  
 б) непрерывную пропускную способность 2 Гбит/с или более  
 Техническое примечание.  
 Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине непрерывная пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Непрерывная пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования;  
3.1.2.1.6. Устройства записи данных цифровой аппаратуры, использующие способ хранения на магнитном диске, имеющие все следующие характеристики: 8471 50 000 0;
 8471 60;
 8471 70 200 0;
 8471 70 300 0;
 8471 70 500 0;
 а) скорость преобразования в цифровую форму 100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит или более; и 8519 81 900 0;
 8519 89 900 0;
 8521 90 000 9;
 8522 90 400 0;
 б) непрерывную пропускную способность не менее 1 Гбит/с или более; 8522 90 800 0
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты менее 1 мс; 8543 20 000 0
3.1.2.3. Анализаторы сигналов радиочастот:  
3.1.2.3.1. Анализаторы сигналов, способные анализировать любые сигналы с частотой выше 31,8 ГГц, но не превышающей 37,5 ГГц, и имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 10 МГц; 9030 84 000 9;
 9030 89 300 0
3.1.2.3.2. Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 43,5 ГГц; 9030 84 000 9;
 9030 89 300 0
3.1.2.3.3. Динамические анализаторы сигналов с полосой частот в реальном масштабе времени, превышающей 500 кГц 9030 20 200 9;
 9030 32 000 9;
 9030 39 000 9;
 9030 84 000 9;
 Примечание. 9030 89 300 0
 По пункту 3.1.2.3.3 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);  
3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты и имеющие любую из следующих характеристик: 8543 20 000 0
 а) максимальную синтезируемую частоту выше 31,8 ГГц, но не превышающую 43,5 ГГц, и предназначенные для создания длительности импульса менее 100 нс;  
 б) максимальную синтезируемую частоту выше 43,5 ГГц;  
 в) время переключения с одной выбранной частоты на другую менее 1 мс; или  
 г) фазовый шум одной боковой полосы лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах (дБ по шкале C шумомера)/Гц, где F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц  

 
 

Примечание.  
 По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты  
 Техническое примечание.  
 Для целей подпункта "а" пункта 3.1.2.4 длительность импульса определяется как временной интервал между передним фронтом импульса, достигающим 90% от максимума, и задним фронтом импульса, достигающим 10% от максимума  
3.1.2.5. Схемные анализаторы (панорамные измерители полных сопротивлений; измерители амплитуды, фазы и групповой задержки двух сигналов относительно опорного сигнала) с максимальной рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц; 9030 40 000 0
3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики: 8517 69 390 0
 а) максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и  
 б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу;  
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие любую из следующих характеристик: 8543 20 000 0
 а) долговременную стабильность (старение) меньше (лучше) 1 x 10^(-11) в месяц; или  
 б) пригодные для применения в космосе  
 Примечание.  
 По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе  
 Особое примечание.  
 В отношении атомных эталонов частоты, указанных в подпункте "б" пункта 3.1.2.7, см. также пункт 3.1.1 раздела 2  
3.1.3. Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты 8419 89 989 0;
 8424 89 000 9;
 8479 89 970 9
3.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:  
3.2.1.1. Оборудование для эпитаксиального выращивания:  
3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее производство любого из следующего: 8486 10 000 9
 а) силиконового слоя с отклонением равномерности его толщины менее +/- 2,5% на расстоянии 200 мм или более; или  
 б) слоя из любого материала, отличного от силикона, с отклонением равномерности толщины менее +/- 2,5% на расстоянии 75 мм или более;  
3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов полупроводниковых соединений с использованием материалов, контролируемых по пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве исходных 8486 20 900 9
 Особое примечание.  
 В отношении оборудования, указанного в пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2;  
3.2.1.1.3. Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников; 8486 10 000 9
3.2.1.2. Оборудование, предназначенное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик: 8486 20 900 9
 а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) более 1 МэВ;  
 б) специально спроектированное и оптимизированное для работы с энергией пучка (ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ;  
 в) имеет возможность непосредственного формирования рисунка; или  
 г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала;  
3.2.1.3. Оборудование для сухого анизотропного плазменного травления:  
3.2.1.3.1. Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее любую из следующих характеристик: 8486 20 900 2;
 8456 90 000 0
 а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 180 нм или менее и погрешностью (3 сигма), равной +/- 5%; или  
 б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре;  
3.2.1.3.2. Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и имеющее любую из следующих характеристик: 8486 20 900 2;
 8456 90 000 0
 а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 180 нм или менее и погрешностью (3 сигма), равной +/- 5%; или  
 б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре;  
3.2.1.4. Оборудование химического осаждения из паровой фазы с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс: 8486 20 900 9;
 8419 89 300 0
3.2.1.4.1. Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее;  
3.2.1.4.2. Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее;  
3.2.1.5. Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой полупроводниковых пластин (подложек), имеющие все следующие характеристики: 8456 10 00;
 8486 20 900 2;
 8456 90 000 0;
 8486 20 900 3;
 8479 50 000 0
 а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин (подложек), к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и  
 б) предназначенные для интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме  
 Примечание.  
 По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические робототехнические системы управления загрузкой пластин (подложек), не предназначенные для работы в вакууме;  
3.2.1.6. Оборудование для литографии:  
3.2.1.6.1. Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего: 8443 39 290 0
 а) источник света с длиной волны короче 245 нм; или  
 б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 180 нм и менее  
 Техническое примечание. Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле:  
 МРР = (длина волны источника света в нанометрах) x (К фактор) / (числовая апертура),  
 где К фактор = 0,45;  

 
 

3.2.1.6.2. Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов или производства полупроводниковых приборов с использованием отклоняемого сфокусированного электронного, ионного или лазерного пучка, имеющее любую из следующих характеристик: 8456 10 00;
 8486 20 900 3;
 8486 40 000 1
 а) размер пятна менее 0,2 мкм;  
 б) возможность формирования рисунка с размером элементов менее 1 мкм; или  
 в) точность совмещения слоев лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма);  
3.2.1.7. Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1; 8486 90 900 3
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем 8486 90 900 3
 Примечание.  
 По пункту 3.2.1.8 не контролируются многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, разработанные для изготовления запоминающих устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1  
3.2.2. Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления:  
3.2.2.1. Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах выше 31,8 ГГц; 9031 80 380 0
3.2.2.2. Для испытания микроволновых интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1.2.2 9030;
 9031 20 000 0;
 9031 80 380 0
3.3. Материалы  
3.3.1. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов:  
3.3.1.1. Кремний; 3818 00 100 0;
  3818 00 900 0
3.3.1.2. Германий; 3818 00 900 0
3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818 00 900 0
3.3.1.4. Соединения III/V на основе галлия или индия 3818 00 900 0
 Техническое примечание.  
 Соединения III/V - это либо поликристаллические, либо бинарные или многокомпонентные монокристаллические продукты, состоящие из элементов групп IIIA и VA (по отечественной классификации это группы A3 и B5) Периодической системы Менделеева (например, арсенид галлия, алюмоарсенид галлия, фосфид индия и тому подобное)  
3.3.2. Материалы резистов, а также подложки, покрытые контролируемыми резистами:  
3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны менее 350 нм; 3824 90 980 0
3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или лучше; 3824 90 980 0
3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или лучше; 3824 90 980 0
3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая силилированные резисты 3824 90 980 0
 Техническое примечание.  
 Технология силилирования - это процесс, включающий окисление поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления  
3.3.3. Следующие органо-неорганические соединения:  
3.3.3.1. Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999%; 2931 00 950 0
3.3.3.2. Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999% 2931 00 950 0
 Примечание.  
 По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы  
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999%, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде 2848 00 000 0;
 2850 00 200 0
 Примечание.  
 По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20% и более молей инертных газов или водорода  
3.4. Программное обеспечение  
3.4.1. Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2  
3.4.2. Программное обеспечение, специально разработанное для применения в любом нижеследующем оборудовании:  
 а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1 - 3.2.1.6; или  
 б) контролируемом по пункту 3.2.2  
3.4.3. Физически обоснованное программное обеспечение моделирования, специально разработанное для разработки процессов литографии, травления или осаждения с целью воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топографические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках  
 Техническое примечание.  
 Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается использование вычислений для определения последовательности физических факторов и результатов воздействия, основанных на физических свойствах (например, температура, давление, коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов)  
 Примечание.  
 Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология  
3.4.4. Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования, контролируемого по пункту 3.1.3  
3.5. Технология  
3.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пункту 3.1, 3.2 или 3.3  
 Примечание.  
 По пункту 3.5.1 не контролируются технологии для производства оборудования или компонентов, контролируемых по пункту 3.1.3  
3.5.2. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку другие, чем те, которые контролируются по пункту 3.5.1, для разработки или производства микросхем микропроцессоров, микросхем микрокомпьютеров и микросхем микроконтроллеров, имеющих совокупную теоретическую производительность (СТП) 530 Мтопс (миллионов теоретических операций в секунду) или более и арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более  
 Примечание.  
 По пунктам 3.5.1 и 3.5.2 не контролируются технологии для разработки или производства интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11, имеющих оба нижеперечисленных признака:  
 а) использующие технологии с разрешением 0,5 мкм или выше; и  
 б) не содержащие многослойных структур  
 Техническое примечание.  
 Термин "многослойные структуры", приведенный в пункте "б" примечания, не включает приборы, содержащие максимум три металлических слоя и три слоя поликристаллического кремния  
3.5.3. Прочие технологии для разработки или производства:  
 а) вакуумных микроэлектронных приборов;  
 б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких, как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках;  
 Примечание.  
 По подпункту "б" пункта 3.5.3 не контролируются технологии для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц;  
 в) сверхпроводящих электронных приборов;  
 г) подложек из алмазных пленок для электронных компонентов;  
 д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния;  
 е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов;  
 ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31,8 ГГц или выше  

 
    

КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА  
 Примечания:  
 1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 категории 5 (Телекоммуникации)  
 2. Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, устройства оперативной памяти или дисковые контроллеры, не рассматриваются как телекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 категории 5 (Телекоммуникации)  
 Особое примечание.  
 Для определения контрольного статуса программного обеспечения, специально разработанного для коммутации пакетов, следует применять пункт 5.4.1  
 3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, выполняющие функции криптографии, криптоанализа, сертифицируемой многоуровневой защиты информации или сертифицируемые функции изоляции пользователей либо ограничивающие электромагнитную совместимость (ЭМС), должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 2 категории 5 (Защита информации)  
4.1. Системы, оборудование и компоненты  
4.1.1. ЭВМ и сопутствующее оборудование, а также электронные сборки и специально разработанные для них компоненты:  
4.1.1.1. Специально разработанные для достижения любой из следующих характеристик: 8471
 а) по техническим условиям пригодные для работы при температуре внешней среды ниже 228 К (-45 град. C) или выше 358 К (85 град. C)  
 Примечание.  
 По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не контролируются ЭВМ, специально созданные для гражданских автомобилей или железнодорожных поездов;  
 б) радиационно стойкие при превышении любого из следующих требований: общая доза 5 x 10^3 Гр (Si) [5 x 10^5 рад];  
 мощность дозы 5 x 10^6 Гр (Si)/c [5 x 10^8 рад/с]; или сбой от однократного события 10^(-7) ошибок/бит/день  
 Особое примечание.  
 В отношении систем, оборудования и компонентов, соответствующих требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1.1, см. также пункт 4.1.1 раздела 2;  
4.1.1.2. Имеющие характеристики или функции производительности, превосходящие пределы, указанные в части 2 категории 5 (Защита информации) 8471
 Примечание.  
 По пункту 4.1.1.2 не контролируются ЭВМ и относящееся к ним оборудование, когда они вывозятся пользователями для своего индивидуального использования  
4.1.2. Цифровые ЭВМ, электронные сборки и сопутствующее оборудование, а также специально разработанные для них компоненты:  
4.1.2.1. Спроектированные или модифицированные для обеспечения отказоустойчивости 8471
 (кроме
 8471 30 000 0;
 8471 41 000 0;
 Примечание. 8471 49 000 0;
 Применительно к пункту 4.1.2.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее оборудование не считаются спроектированными или модифицированными для обеспечения отказоустойчивости, если в них используется любое из следующего: 8471 50 000 0)
 а) алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в оперативной памяти;  
 б) соединение двух цифровых вычислительных машин такое, что если происходит отказ активного центрального процессора, то холостой зеркальный центральный процессор может продолжить функционирование системы;  
 в) соединение двух центральных процессоров посредством каналов передачи данных или с применением разделяемой памяти, для того чтобы обеспечить одному центральному процессору возможность выполнять некоторую работу, пока не откажет другой центральный процессор; тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, чтобы продолжить функционирование системы; или  
 г) синхронизация двух центральных процессоров, объединенных посредством программного обеспечения так, что один центральный процессор распознает, когда отказывает другой центральный процессор, и восстанавливает задачи, выполнявшиеся отказавшим процессором;  
4.1.2.2. Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную теоретическую производительность (СТП), превышающую 190 000 Мтопс; 8471
 (кроме
 8471 30 000 0;
  8471 41 000 0;
  8471 49 000 0;
  8471 50 000 0)
4.1.2.3. Электронные сборки, специально разработанные или модифицированные для повышения производительности путем объединения вычислительных элементов таким образом, чтобы совокупная теоретическая производительность объединенных сборок превышала пределы, указанные в пункте 4.1.2.2 8471
 (кроме
 8471 30 000 0;
 8471 41 000 0;
 8471 49 000 0;
 8471 50 000 0)
 Примечания:  
 1. Пункт 4.1.2.3 распространяется только на электронные сборки и программируемые взаимосвязи, не превышающие пределы, указанные в пункте 4.1.2.2, при поставке в виде необъединенных электронных сборок. Он не применим к электронным сборкам, конструкция которых пригодна только для использования в качестве сопутствующего оборудования, контролируемого по пункту 4.1.2.4  
 2. По пункту 4.1.2.3 не контролируются электронные сборки, специально разработанные для продукции или целого семейства продукции, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, указанные в пункте 4.1.2.2;  
4.1.2.4. Оборудование, выполняющее аналого-цифровые преобразования, превосходящее пределы, указанные в пункте 3.1.1.1.5; 8471 90 000 0;
 8543 90 000 9
4.1.2.5. Аппаратура, специально разработанная для обеспечения внешних соединений цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, которые в коммуникациях имеют скорость передачи данных, превышающую 1,25 Гбайт/с 8471 90 000 0;
 8517 61 000 1;
 8517 62 000 1
 Примечание.  
 По пункту 4.1.2.5 не контролируется оборудование внутренней взаимосвязи (например, объединительные платы, шины), оборудование пассивной взаимосвязи, контроллеры доступа к сети или контроллеры каналов связи  
 Примечания:  
 1. Пункт 4.1.2 включает:  
 а) векторные процессоры;  
 б) матричные процессоры;  
 в) процессоры цифровой обработки сигналов;  
 г) логические процессоры;  
 д) оборудование для улучшения качества изображения;  
 е) оборудование для обработки сигналов  
 2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.2, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если:  
 а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем;  
 б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и  
 в) технология для цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5  
 Особые примечания:  
 1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально разработанного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом такого оборудования, даже если первое превосходит критерий основного элемента  
 2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации)  
4.1.3. ЭВМ, указанные ниже, и специально спроектированное сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них:  
4.1.3.1. ЭВМ с систолической матрицей; 8471
4.1.3.2. Нейронные ЭВМ; 8471
4.1.3.3. Оптические ЭВМ 8471
4.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет  
4.3. Материалы - нет  
4.4. Программное обеспечение  
 Примечание.  
 Контрольный статус программного обеспечения для разработки, производства или использования оборудования, указанного в других категориях, определяется по описанию соответствующей категории. В данной категории дается контрольный статус программного обеспечения для оборудования этой категории  
4.4.1. Программное обеспечение следующих видов:  
4.4.1.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 соответственно;  
4.4.1.2. Программное обеспечение иное, чем контролируемое по пункту 4.4.1.1, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства:  
 а) цифровых ЭВМ, имеющих совокупную теоретическую производительность (СТП), превышающую 75 000 Мтопс; или  
 б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения вычислительных элементов (ВЭ) таким образом, чтобы СТП объединенных сборок превышала пределы, указанные в подпункте "а" пункта 4.4.1.2  
 Особое примечание.  
 В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 4.4.1, см. также пункт 4.4.1 разделов 2 и 3  
4.4.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологии, контролируемой по пункту 4.5  
4.4.3. Специальное программное обеспечение следующих видов:  
4.4.3.1. Программное обеспечение операционных систем, инструментарий разработки программного обеспечения и компиляторы, специально разработанные для оборудования многопоточной обработки данных в исходных кодах;  
4.4.3.2. Программное обеспечение, имеющее характеристики или выполняющее функции, которые превышают пределы, указанные в части 2 категории 5 (Защита информации)  
 Примечание.  
 По пункту 4.4.3.2 не контролируется программное обеспечение, когда оно вывозится пользователями для своего индивидуального использования  
4.5. Технология  
4.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 соответственно;  
4.5.2. Иные технологии, кроме контролируемых по пункту 4.5.1, специально предназначенные или модифицированные для разработки или производства:  
 а) цифровых ЭВМ, имеющих совокупную теоретическую производительность (СТП), превышающую 75 000 Мтопс; или  
 б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения вычислительных элементов (ВЭ) таким образом, чтобы СТП объединенных сборок превышала пределы, указанные в подпункте "а"  
 Особое примечание.  
 В отношении технологий, указанных в пунктах 4.5.1 и 4.5.2, см. также пункт 4.5.1 разделов 2 и 3  

 
    Техническое примечание (по вычислению совокупной теоретической производительности).
    Используемые сокращения:
    ВЭ - вычислительный элемент (обычно арифметическое логическое устройство);
    ПЗ - плавающая запятая;
    ФЗ - фиксированная запятая;
    t - время решения;
    XOR - исключающее ИЛИ;
    ЦП - центральный процессор;
    ТП - теоретическая производительность (единичного вычислительного элемента);
    СТП - совокупная теоретическая производительность (всех вычислительных элементов);
    R - эффективная скорость вычислений;
    ДС - длина слова (число битов);
    L - корректировка длины слова (бита);
    АЛУ - арифметическое и логическое устройство;
    x - знак умножения.
    Время решения "t" выражается в микросекундах, ТП или СТП выражается в миллионах теоретических операций в секунду (Мтопс), ДС выражается в битах.
    Основной метод вычисления СТП:
    СТП - это мера вычислительной производительности в миллионах теоретических операций в секунду. При вычислении СТП конфигурации ВЭ необходимо выполнить три следующих этапа:
    1. Определить R для каждого ВЭ;
    2. Произвести L для этой R, что даст в результате ТП для каждого ВЭ;
    3. Объединить ТП и получить суммарную СТП для данной конфигурации, если имеется больше одного ВЭ.
    Подробное описание этих этапов приведено ниже.
 
    Примечания:
    1. Для объединенных в подсистемы вычислительных элементов, имеющих и общую память, и память каждой подсистемы, вычисление СТП производится в два этапа: сначала ВЭ с общей памятью объединяются в группы, затем с использованием предложенного метода вычисляется СТП групп для всех ВЭ, не имеющих общей памяти.
    2. Вычислительные элементы, скорость действия которых ограничена скоростью работы устройства ввода-вывода данных и периферийных функциональных блоков (например, дисковода, контроллеров системы передачи и дисплея), не объединяются при вычислении СТП.
    В приведенной ниже таблице демонстрируется метод расчета эффективной скорости вычислений R для каждого вычислительного элемента:
 

Этап I: Эффективная скорость вычислений (R)

 

Для вычислительных элементов, реализующих: Эффективная скорость вычислений
только ФЗ 1 / [3 x (время сложения ФЗ)],
 через умножение:
(R_ФЗ) 1 / (время умножения ФЗ), если нет ни операции сложения, ни
 ФЗ
 быструю из имеющихся
 1 / [3 x (время операции ФЗ)]
только ПЗ МАХ {1 / (время сложения ПЗ),
(R_ПЗ) 1 / (время умножения ПЗ)} см. примечания X и Y
и ФЗ, и ПЗ (R) вычисляется как R_ФЗ, так и R_ПЗ
Для простых логических процессоров, не 1 / [3 x (время логической операции)]
выполняющих указанные арифметические операции здесь время логической операции - это время выполнения
 берется самая быстрая простая
 примечания X и Z
Для специализированных R = R' x ДС / 64,
логических процессоров, не выполняющих указанные где R' - число результатов в секунду
арифметические и логические операции ДС - число битов, над которым выполняется логическая операция
 под 64-разрядную операцию

 
    Примечание.
    Каждый ВЭ должен оцениваться независимо.
 
    Примечание W.
    Для конвейерного ВЭ, способного выполнять до одной арифметической или логической операции на каждом такте при полном заполнении конвейера, можно определить конвейерную производительность. R для таких ВЭ равна наибольшей из конвейерной или неконвейерной скоростей вычислений.
 
    Примечание X.
    Для ВЭ, которые выполняют многократные операции определенного типа за один такт (например, два сложения за такт или две идентичные логические операции за такт), t вычисляется как:
 

t = время цикла
число арифметических операций в цикле

 
    ВЭ, который выполняет разные типы арифметических или логических операций в одном машинном цикле, должен рассматриваться как множество раздельных ВЭ, работающих одновременно (например, ВЭ, выполняющий в одном цикле операции сложения и умножения, должен рассматриваться как два ВЭ, один из которых выполняет сложение за один цикл, а другой - умножение за один цикл). Если в одном ВЭ реализуются как скалярные, так и векторные функции, то используют значение более короткого времени исполнения.
 
    Примечание Y.
    Если в ВЭ не реализуется сложение ПЗ или умножение ПЗ, а выполняется деление ПЗ, то
 

R_ПЗ = 1 / (время деления ПЗ)

 
    Если в ВЭ реализуется обратная величина ПЗ, но не сложение ПЗ, умножение ПЗ или деление ПЗ, тогда
 

R_ПЗ = 1 / (время обратной величины ПЗ)

 
    Если ни одна из указанных команд не используется, то эффективная ПЗ производительность равна 0.
 
    Примечание Z.
    Простая логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняется одно логическое действие не более чем над двумя операндами заданной длины. Сложная логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняются многократные логические действия над двумя или более операндами и выдается один или несколько результатов. Скорости вычислений рассчитываются для всех аппаратно поддерживаемых длин операндов, рассматривая обе конвейерные операции (если поддерживаются) и неконвейерные операции, использующие самые короткие операции для каждой длины операнда, с учетом следующего:
    1. Конвейерные операции или операции регистр-регистр. Исключаются чрезвычайно короткие операции, генерируемые для операций на заранее определенном операнде или операндах (например, умножение на 0 или 1). Если операций типа регистр-регистр нет, следует руководствоваться пунктом 2.
    2. Самая быстрая операция регистр-память или память-регистр. Если и таких нет, следует руководствоваться пунктом 3.
    3. Память-память.
    В любом случае из вышеперечисленных используйте самые короткие операции, указанные в паспортных данных изготовителем.
 

Этап II: ТП для каждой поддерживаемой длины операнда ДС

 
    Пересчитайте R (или R') с учетом L:
 
    ТП = R x L,
 
    где L = (1/3 + ДС/96)
 
    Примечание.
    ДС, используемая в этих расчетах, - это длина операнда в битах. (Если в операции задействованы операнды разной длины, пользуйтесь максимальной ДС.)
    Комбинация мантиссы АЛУ и экспоненты АЛУ в процессоре с ПЗ или функциональном устройстве считается одним ВЭ с ДС, эквивалентной количеству битов в представлении данных (32 или 64 разряда) при вычислении СТП.
    Данный пересчет не применяется к специализированным логическим процессорам, в которых операция XOR не используется. В этом случае ТП = R.
    Выбор максимального результирующего значения ТП для:
    каждого ВЭ, использующего только ФЗ (R_ФЗ);
    каждого ВЭ, использующего только ПЗ (R_ПЗ);
    каждого ВЭ, использующего комбинацию ПЗ и ФЗ ВЭ (R);
    каждого простого логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических операций; и
    каждого специализированного логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических или логических операций.
 

Этап III: Расчет СТП для конфигураций ВЭ, включая ЦП

 
    Для ЦП с одним ВЭ
 
    СТП = ТП
 
    (Для ВЭ, выполняющих операции как с ФЗ, так и с ПЗ,
 

ТП = max (ТП_ФЗ , ТП_ПЗ ))

 
    Для конфигураций всех ВЭ, работающих одновременно, СТП вычисляется следующим образом:
 
    Примечания:
    1. Для конфигураций, которые не допускают одновременно работу всех ВЭ, из возможных конфигураций ВЭ выбирается конфигурация с наибольшей СТП. Значение ТП для каждого ВЭ, дающего вклад, вычисляется как его максимально возможное теоретическое значение до вычисления СТП всей конфигурации.
 
    Особое примечание.
    Для определения возможной комбинации одновременно работающих ВЭ надо сгенерировать такую последовательность команд, которая производит операции над многими ВЭ, начиная с самого медленного ВЭ (такого, который требует наибольшего числа тактов для выполнения операции) и заканчивая самым быстрым ВЭ. На каждом такте последовательности комбинация ВЭ, которая находится в работе в этом такте, и есть возможная комбинация из вычислительных элементов ВЭ. Последовательность команд должна учитывать все оборудование и (или) архитектурные условия на перекрывающиеся в течение такта операции.
 
    2. Отдельная интегральная микросхема или отдельная плата могут содержать множество ВЭ.
    3. Предполагается, что одновременные операции имеют место, если производитель вычислительной машины утверждает о наличии конкурентных, параллельных или одновременных операциях или вычислениях в руководстве по использованию компьютера или в брошюре о нем.
    4. Значения СТП не суммируются для конфигураций ВЭ, взаимосвязанных в локальные вычислительные сети, распределенные вычислительные сети, объединенные устройствами разделенного ввода-вывода, контроллерами ввода-вывода и любыми другими взаимосвязанными системами передачи, реализованными программными средствами.
    5. Значение СТП должно суммироваться для множества ВЭ, специально разработанных для повышения их характеристик за счет объединения ВЭ, работающих одновременно и использующих совместно память, или в случае память-ВЭ комбинаций, работающих одновременно под управлением специально разработанных технических средств.
    Это не относится к электронным сборкам, указанным в пункте 4.1.2.3
 

СТП = ТП_1 + С_2 x ТП_2 + ... + С_n x ТП_n,

 
    где ТП упорядочены по их значению, начиная с наибольшего значения - ТП_1, затем ТП_2 - второй по величине и, наконец, наименьший по значению ТП_n; C_i - коэффициент, определяемый силой взаимосвязей между ВЭ следующим образом:
    Для случая множества ВЭ, работающих одновременно и разделяющих память:
 

C_2 = C_3 = C_4 = ... = С_n = 0,75

 
    Примечания:
    1. Когда СТП, вычисленная вышеуказанным методом, не превышает 194 Мтопс, C_i может быть определена дробью, числитель которой равен 0,75, а знаменатель - корню квадратному из m, где m - количество ВЭ или групп ВЭ, разделяющих доступ, при условии:
    а) ТП_i каждого ВЭ или группы ВЭ не превышает 30 Мтопс;
    б) ВЭ или группа ВЭ разделяют доступ к оперативной памяти (исключая кэш-память) по общему каналу; и
    в) только один ВЭ или группа ВЭ может использовать канал в любое данное время.
 
    Особое примечание.
    Сказанное выше не относится к пунктам, контролируемым по категории 3.
    2. Считается, что ВЭ разделяют доступ к памяти, если они обращаются к общему блоку твердотельной памяти. Эта память может включать в себя кэш-память, оперативную память или иную внутреннюю память. Внешняя память типа дисководов, ленточных накопителей или дисков с произвольным доступом сюда не входит.
    Для случая множества ВЭ или групп ВЭ, не разделяющих общую память, но взаимосвязанных одним или более каналами передачи данных:
 

C_i = 0,75 x k_i (i = 2, ..., 32) (см. примечание ниже)
= 0,60 x k_i (i = 33, ..., 64)  
= 0,45 x k_i (i = 65, ..., 256)  
= 0,30 x k_i (i > 256)  

 
 
    Величина C_i основывается на номере ВЭ, но не на номере узла,
    где k_i = min (S_i / K_r, 1); и
    K_r - нормализующий фактор, равный 20 Мбайт/с;
    S_i - сумма максимальных скоростей передачи данных (в Мбайт/с) для всех информационных каналов, связывающих i-тый ВЭ или группу ВЭ, имеющих общую память.
    Когда вычисляется С_i для группы ВЭ, номер первого ВЭ в группе определяет собственный предел для C_i . Например, в конфигурации групп, состоящих из трех ВЭ каждая, 22 группа будет содержать ВЭ_64 , ВЭ_65 и ВЭ_66 . Собственный предел для С_i для этих групп составляет 0,60.
    Конфигурация ВЭ или групп ВЭ может быть определена от самого быстрого к самому медленному, то есть:
 

ТП_1 >= ТП_2 >= ... >= ТП_n , и

 
    в случае, когда ТП_i = ТП_i+1 , от самого большого к самому маленькому, то есть:
 

C_i >= C_i+1

 
    Примечание.
    k_i -фактор не относится к ВЭ от 2 до 12, если ТП_1 ВЭ или группы ВЭ больше 50 Мтопс, то есть C_i для ВЭ от 2 до 12 равен 0,75.
    

N пункта Наименование Код ТН ВЭД
 КАТЕГОРИЯ 5  
 Часть 1. Телекоммуникации  
 Примечания:  
 1. В части 1 категории 5 определяется контрольный статус компонентов, лазерного, испытательного и производственного оборудования, материалов и программного обеспечения, специально разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем  
 2. В тех случаях, когда для функционирования или поддержки телекоммуникационного оборудования, указанного в этой категории, и его обеспечения важное значение имеют цифровые ЭВМ, связанное с ними оборудование или программное обеспечение, последние рассматриваются в качестве специально разработанных компонентов при условии, что они являются стандартными моделями, обычно поставляемыми производителем. Это включает компьютерные системы, реализующие функции управления, технического обслуживания оборудования, проектирования, выписывания счетов  
5.1.1. Системы, оборудование и компоненты  
5.1.1.1. Телекоммуникационное оборудование любого типа, имеющее любую из следующих характеристик, функций или свойств:  
5.1.1.1.1. Специально разработанное для сохранения работоспособности при воздействии кратковременных электронных эффектов или электромагнитных импульсных эффектов, возникающих при ядерном взрыве; 8517;
 8517 12 000 0;
 8517 61 000 9;
 8517 69 390 0;
 8525 60 000 0;
 8543 70 900 9
5.1.1.1.2. Специально повышенную стойкость к гамма-, нейтронному или ионному излучению; или 8517;
 8517 12 000 0;
 8517 61 000 9;
  8517 69 390 0;
  8525 60 000 0;
  8543 70 900 9
5.1.1.1.3. Специально разработанное для функционирования за пределами диапазона температур от 218 К (-55 град. C) до 397 К (124 град. C) 8517;
 8517 12 000 0;
 8517 61 000 9;
 8517 69 390 0;
 8525 60 000 0;
  8543 70 900 9
 Примечания:  
 1. Пункт 5.1.1.1.3 применяется только к электронной аппаратуре  
 2. По пунктам 5.1.1.1.2 и 5.1.1.1.3 не контролируется оборудование, разработанное или модифицированное для использования на борту спутников  
5.1.1.2. Телекоммуникационные передающие системы и аппаратура, а также специально разработанные для них компоненты и принадлежности, имеющие любые из следующих характеристик, свойств или качеств:  
5.1.1.2.1. Являются системами подводной 9014 80 000 0;
 связи, имеющими любую из следующих характеристик: 9015 80 910 0
 а) акустическую несущую частоту за пределами интервала от 20 кГц до 60 кГц;  
 б) использующие электромагнитную несущую частоту ниже 30 кГц; или  
 в) использующие электронное управление положением главного лепестка (диаграммы направленности антенны);  
5.1.1.2.2. Являются радиоаппаратурой, работающей в диапазоне частот 1,5 - 87,5 МГц и обладающей любой из следующих характеристик: 8517 12 000 0;
 8517 61 000 9;
 8525 60 000 0
 а) включает адаптивные системы, обеспечивающие более 15 дБ подавления помехи сигнала; или  
 б) имеет все следующие составляющие:  
 возможность автоматически прогнозировать и выбирать частоты и общие скорости цифровой передачи в канале для оптимизации передачи полезного сигнала; и  
 встроенный линейный усилитель мощности, способный одновременно пропускать множество сигналов с выходной мощностью 1 кВт или более в диапазоне частот от 1,5 МГц до 30 МГц или 250 Вт или более в диапазоне частот от 30 МГц до 87,5 МГц на мгновенной ширине полосы частот в одну октаву или более и с гармониками и искажениями на выходе лучше -80 дБ;  
5.1.1.2.3. Являются радиоаппаратурой, использующей методы расширения спектра, включая метод скачкообразной перестройки частоты, имеющей любую из следующих характеристик: 8517 12 000 0;
 8517 61 000 9;
 8525 60 000 0
 а) коды расширения, программируемые пользователем; или  
 б) общую ширину полосы частот выше 50 кГц, при этом она в 100 или более раз превышает ширину полосы частот любого единичного информационного канала  
 Примечания:  
 1. По подпункту "б" пункта 5.1.1.2.3 не контролируется радиооборудование, специально разработанное для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи.  
 2. По пункту 5.1.1.2.3 не контролируется оборудование, спроектированное для работы с выходной мощностью 1,0 Вт или менее  
 Особое примечание.  
 В отношении радиоаппаратуры, указанной в пункте 5.1.1.2.3, см. также пункт 5.1.1.1.1 раздела 2;  
5.1.1.2.4. Являются радиоаппаратурой, использующей технологию сверхширокополосного модулирования по времени и имеющей программируемые пользователем коды формирования каналов или шифрования; 8517 12 000 0;
 8517 61 000 9;
 8525 60 000 0
5.1.1.2.5. Являются радиоприемными устройствами с цифровым управлением, имеющими все следующие характеристики: 8527
 а) более 1000 каналов;  
 б) время переключения частоты менее 1 мс;  
 в) автоматический поиск или сканирование в части спектра электромагнитных волн; и  
 г) возможность идентификации принятого сигнала или типа передатчика  
 Примечание.  
 По пункту 5.1.1.2.5 не контролируется оборудование, специально разработанное для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи  
 Особое примечание.  
 В отношении радиоприемников, указанных в пункте 5.1.1.2.5, см. также пункт 5.1.1.1.2 раздела 2 и пункт 5.1.1.1 раздела 3;  
5.1.1.2.6. Используют функции цифровой обработки сигнала на выходном устройстве для обеспечения кодирования речи со скоростью менее 2400 бит/с 8517 12 000 0;
 8517 61 000 9;
 8525 60 000 0
 Техническое примечание.  
 Пункт 5.1.1.2.6 применяется при наличии выходного устройства для кодирования речевых сигналов связной речи с изменяющейся скоростью  
5.1.1.3. Волоконно-оптические кабели связи, оптические волокна и принадлежности:  
5.1.1.3.1. Оптические волокна длиной более 500 м, охарактеризованные производителем как способные выдерживать при контрольном испытании растягивающее напряжение 2 x 10(9) Н/кв. м или более 8544 70 000 0;
 9001 10 900
  
 Техническое примечание.  
 Контрольное испытание - отборочное испытание в режиме онлайн (встроенное в технологическую цепочку получения волокна) или проводимое отдельно, которое заключается в приложении заданного растягивающего напряжения к движущемуся со скоростью от 2 м/с до 5 м/с волокну на участке длиной от 0,5 м до 3 м между натяжными барабанами диаметром около 150 мм. Испытания могут проводиться по соответствующим национальным стандартам при температуре окружающей среды 293 К, относительной влажности 40%;  
5.1.1.3.2. Волоконно-оптические кабели и принадлежности, разработанные для использования под водой 8544 70 000 0;
 9001 10 900
 Примечание.  
 По пункту 5.1.1.3.2 не контролируются стандартные телекоммуникационные кабели и принадлежности для гражданского использования  
 Особые примечания:  
 1. Для подводных кабельных разъемов и соединителей для них см. пункт 8.1.2.1.3  

 
 

2. Для волоконно-оптических корпусных разъемов и соединителей см. пункт 8.1.2.3  
5.1.1.4. Фазированные антенные решетки с электронным управлением диаграммой направленности, функционирующие на частотах, превышающих 31,8 ГГц 8529 10 900 0
 Примечание.  
 По пункту 5.1.1.4 не контролируются антенные фазированные решетки с электронным управлением диаграммой направленности для систем посадки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам Международной организации гражданской авиации (ИКАО), перекрывающим системы посадки СВЧ-диапазона (MLS)  
5.1.1.5. Оборудование радиопеленгации, 8517 61 000 9;
 работающее на частотах выше 30 МГц и имеющее все следующие характеристики, и специально разработанные для него компоненты: 8526 91 200 0
 а) мгновенную ширину полосы частот, равную 1 МГц или выше;  
 б) параллельную обработку данных по более чем 100 частотным каналам; и  
 в) производительность более 1000 пеленгований в секунду на частотный канал  
5.2.1. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
5.2.1.1. Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально предназначенные для разработки, производства или использования оборудования, функций или свойств, контролируемых по части 1 категории 5  
 Примечание.  
 По пункту 5.2.1.1 не контролируется оборудование определения параметров оптического волокна  
 Особое примечание.  
 В отношении оборудования и компонентов или принадлежностей для них, указанных в пункте 5.2.1.1, см. также пункт 5.2.1.1 раздела 2  
5.2.1.2. Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально предназначенные для разработки любого из следующего телекоммуникационного передающего оборудования или коммутационного оборудования:  
5.2.1.2.1. Оборудования, использующего цифровые технологии и предназначенного для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 15 Гбит/с;  
 Техническое примечание.  
 Для коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи измеряется по самой высокой скорости порта или линии;  
5.2.1.2.2. Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:  
 а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм;  
 б) производящего оптическое усиление;  
 в) использующего технологии когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования (известных так же, как оптический гетеродин или оптический гомодин); или  
 г) использующего аналоговую технологию при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц  
 Примечание.  
 По подпункту "г" пункта 5.2.1.2.2 не контролируется оборудование, специально предназначенное для разработки систем коммерческого телевидения;  
5.2.1.2.3. Оборудования, использующего оптическую коммутацию;  
5.2.1.2.4. Радиоаппаратуры, использующей методы квадратурной амплитудной модуляции с уровнем выше 256; или  
5.2.1.2.5. Оборудования, использующего передачу сигнала по общему каналу, осуществляемую в несвязанном режиме работы  
5.3.1. Материалы - нет  
5.4.1. Программное обеспечение  
5.4.1.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования, функций или свойств, контролируемых по части 1 категории 5  
 Особое примечание.  
 В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 5.4.1.1, см. также пункт 5.4.1.1 разделов 2 и 3  
5.4.1.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обслуживания технологий, контролируемых по пункту 5.5.1  
 Особое примечание.  
 В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 5.4.1.2, см. также пункт 5.4.1.2 раздела 2  
5.4.1.3. Специальное программное обеспечение:  
5.4.1.3.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обеспечения характеристик, функций или свойств аппаратуры, контролируемой по пункту 5.1.1 или 5.2.1;  
5.4.1.3.2. Программное обеспечение в отличной от машиноисполняемой формы, специально разработанное для динамической адаптивной маршрутизации  
5.4.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки любого из следующего телекоммуникационного передающего оборудования или коммутационного оборудования:  
5.4.1.4.1. Оборудования, использующего цифровые технологии и предназначенного для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 15 Гбит/с;  
 Техническое примечание.  
 Для коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи измеряется по самой высокой скорости порта или линии;  
5.4.1.4.2. Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:  
 а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм; или  
 б) использующего аналоговую технологию при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц  
 Примечание.  
 По подпункту "б" пункта 5.4.1.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки систем коммерческого телевидения;  
5.4.1.4.3. Оборудования, использующего оптическую коммутацию; или  
5.4.1.4.4. Радиоаппаратуры, использующей методы квадратурной амплитудной модуляции с уровнем выше 256  
5.5.1. Технология  
5.5.1.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или использования (исключая рабочий режим) оборудования, функций или свойств или программного обеспечения, контролируемых по части 1 категории 5  
 Особое примечание.  
 В отношении технологий, указанных в пункте 5.5.1.1, см. также пункт 5.5.1.1 разделов 2 и 3  
5.5.1.2. Технологии следующих видов:  
5.5.1.2.1. Технология, требуемая для разработки или производства телекоммуникационного оборудования, специально предназначенного для использования на борту спутников;  
5.5.1.2.2. Технология разработки или использования методов лазерной связи со способностью автоматического захвата и удержания сигнала и поддержания связи через внеатмосферную или водную среду;  
5.5.1.2.3. Технология разработки приемной аппаратуры цифровых базовых сотовых радиостанций, приемные параметры которых, допускающие многодиапазонный, многоканальный, многомодовый, многокодируемый алгоритм или многопротокольную работу, могут быть модифицированы изменениями в программном обеспечении;  
5.5.1.2.4. Технология разработки аппаратуры, использующей методы расширения спектра, включая методы скачкообразной перестройки частоты  
5.5.1.3. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства любого из следующего телекоммуникационного передающего оборудования или коммутационного оборудования:  
5.5.1.3.1. Оборудования, использующего цифровые технологии и предназначенного для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 15 Гбит/с;  
 Техническое примечание.  
 Для коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи измеряется по самой высокой скорости порта или линии;  

 
 

5.5.1.3.2. Оборудования, использующего лазер и имеющего любую из следующих характеристик:  
 а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм;  
 б) производящего оптическое усиление с применением оптико-волоконных усилителей на допированном празеодимием фторидном стекле;  
 в) использующего технологию когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования (известного так же, как оптический гетеродин или оптический гомодин);  
 г) использующего методы мультиплексирования при распределении длин волн, при этом число оптических каналов в одном оптическом окне прозрачности превышает 8; или  
 д) использующего аналоговую технологию при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц  
 Примечание.  
 По подпункту "д" пункта 5.5.1.3.2 не контролируются технологии разработки или производства систем коммерческого телевидения;  
5.5.1.3.3. Оборудования, использующего оптическую коммутацию;  
5.5.1.3.4. Радиоаппаратуры, имеющей любую из следующих составляющих:  
 а) использующей методы квадратурной амплитудной модуляции с уровнем выше 256; или  
 б) работающей на входных или выходных частотах, превышающих 31,8 ГГц; или  
 Примечание.  
 По подпункту "б" пункта 5.5.1.3.4 не контролируются технологии разработки или производства оборудования, сконструированного или модифицированного для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;  
5.5.1.3.5. Оборудования, использующего передачу сигнала по общему каналу, осуществляемую в несвязанном режиме работы  
   
 Часть 2. Защита информации  
   
 Примечания:  
 1. Контрольный статус оборудования, программного обеспечения, систем, электронных сборок специального применения, модулей, интегральных схем, компонентов или функций, применяемых для защиты информации, определяется по части 2 категории 5, даже если они являются компонентами или электронными сборками другой аппаратуры  
 2. По части 2 категории 5 не контролируются товары, когда они вывозятся пользователем для собственного индивидуального использования  
 3. По пунктам 5.1.2 и 5.4.2 не контролируется продукция, которая удовлетворяет всем следующим требованиям:  
 а) общедоступна для продажи населению без ограничений, из имеющегося в наличии ассортимента в местах розничной продажи, посредством любого из следующего:  
 продажи за наличные;  
 продажи путем заказа товаров по почте;  
 электронных сделок; или продажи по телефонным заказам;  
 б) криптографические возможности которой не могут быть легко изменены пользователем;  
 в) разработана для установки пользователем без дальнейшей существенной поддержки поставщиком;  
 г) в случае необходимости является доступной и будет представляться экспортерами контролирующим органам Российской Федерации, по их требованию, в хорошем состоянии для подтверждения ее соответствия условиям, изложенным в подпунктах "а" - "в"  
 Техническое примечание.  
 В части 2 категории 5 биты четности не включаются в длину ключа  
5.1.2. Системы, оборудование и компоненты  
5.1.2.1. Системы, аппаратура, специальные электронные сборки, модули и интегральные схемы, применяемые для защиты информации, и другие специально разработанные для этого компоненты:  
 Особое примечание.  
 В отношении контроля за приемным оборудованием глобальных навигационных спутниковых систем, содержащим или использующим дешифрование (Глобальная спутниковая система местоопределения - GPS или Глобальная навигационная спутниковая система - ГЛОНАСС), см. пункт 7.1.5  
5.1.2.1.1. Разработанные или модифицированные для использования криптографии с применением цифровых методов, выполняющие любые криптографические функции, иные, чем аутентификация или цифровая подпись, имеющие любую из следующих составляющих: 8471;
 8543 70 900 9
 симметричный алгоритм, использующий ключ с длиной, превышающей 56 бит; или  
 асимметричный алгоритм, защита которого базируется на любом из следующих методов:  
 1) разложении на множители целых чисел, размер которых превышает 512 бит (например, алгоритм RSA);  
 2) вычислении дискретных логарифмов в мультипликативной группе конечного поля размера, превышающего 512 бит (например, алгоритм Диффи-Хелмана над Z/pZ); или  
 3) дискретном логарифме в группе, отличного от поименованного в вышеприведенном подпункте 2 размера, превышающего 112 бит (например, алгоритм Диффи-Хелмана над эллиптической кривой)  
 Технические примечания:  
 1. Функции аутентификации и цифровой подписи включают в себя связанную с ними функцию распределения ключей  
 2. Аутентификация включает в себя все аспекты контроля доступа, где нет шифрования файлов или текстов, за исключением шифрования, которое непосредственно связано с защитой паролей, персональных идентификационных номеров или подобных данных для защиты от несанкционированного доступа  
 3. Термин "криптография" не относится к фиксированным методам сжатия или кодирования данных  
 Примечание.  
 Пункт 5.1.2.1.1 включает оборудование, разработанное или модифицированное для использования криптографии на основе аналоговых принципов, в том случае, если они реализованы с использованием цифровых методов;  
5.1.2.1.2. Разработанные или модифицированные для выполнения криптоаналитических функций; 8471;
 8543 70 900 9
5.1.2.1.3. Специально разработанные или модифицированные для снижения нежелательной утечки несущих информацию сигналов, кроме того, что необходимо для защиты здоровья или соответствия установленным стандартам электромагнитных помех; 8471;
 8543 70 900 9
5.1.2.1.4. Разработанные или модифицированные для применения криптографических методов генерации расширяющегося кода для систем с расширяющимся спектром, включая скачкообразную перестройку кодов для систем со скачкообразной перестройкой частоты; 8471;
 8543 70 900 9
5.1.2.1.5. Разработанные или модифицированные для применения криптографических методов формирования каналов или засекречивающих кодов для модулированных по времени сверхширокополосных систем; 8471;
 8543 70 900 9
5.1.2.1.6. Кабельные системы связи, разработанные или модифицированные с использованием механических, электрических или электронных средств для обнаружения несанкционированного доступа 8471;
 8517 61 000 1;
 8517 62 000 1;
 8543 70 900 9
 Примечание.  
 По пункту 5.1.2 не контролируются:  
 а) персональные смарт-карты (интеллектуальные карты): криптографические возможности которых ограничены использованием в оборудовании или системах, выведенных из-под контроля подпунктами "б" - "е" настоящего примечания; или  
 для широкого общедоступного применения, криптографические возможности которых недоступны пользователю и которые в результате специальной разработки имеют ограниченные возможности защиты хранящейся на них персональной информации  
 Особое примечание.  
 Если персональная смарт-карта может выполнять несколько функций, то контрольный статус каждой из функций определяется отдельно;  
 б) приемное оборудование для радиовещания, платного телевидения или аналогичной передачи сообщений потребительского типа для вещания на ограниченную аудиторию без шифрования цифрового сигнала, кроме случаев его использования исключительно для отправки счетов или возврата информации, связанной с программой, провайдерам вещания;  
 в) оборудование, криптографические возможности которого недоступны пользователю, специально разработанное и ограниченное для применения любым из следующего:  

 
 

1) программное обеспечение исполнено в защищенном от копирования виде;  
 2) доступом к любому из следующего:  
 защищенному от копирования содержимому, хранящемуся на доступном только для чтения носителе информации; или  
 информации, хранящейся в зашифрованной форме на носителях (например, в связи с защитой прав интеллектуальной собственности), когда эти носители информации предлагаются на продажу населению в идентичных наборах; или  
 3) контролем копирования аудиоили видеоинформации, защищенной авторскими правами;  
 г) криптографическое оборудование, специально разработанное и ограниченное применением для банковских или финансовых операций  
 Техническое примечание.  
 Финансовые операции, указанные в пункте "г" примечания к пункту 5.1.2, включают сборы и оплату за транспортные услуги или кредитование;  
 д) портативные или мобильные радиотелефоны гражданского назначения (например, для использования в коммерческих гражданских системах сотовой радиосвязи), которые не способны к сквозному шифрованию;  
 е) беспроводное телефонное оборудование, не способное к сквозному шифрованию, максимальная дальность беспроводного действия которого без усиления (одиночное, без ретрансляции, соединение между терминалом и базовой станцией) составляет менее 400 м в соответствии с техническими условиями производителя  
5.2.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
5.2.2.1. Оборудование, специально предназначенное для: 8543 70 900 9
 а) разработки аппаратуры или функций, контролируемых по части 2 категории 5, включая аппаратуру для измерений или испытаний;  
 б) производства аппаратуры или функций, контролируемых по части 2 категории 5, включая аппаратуру для измерений, испытаний, ремонта или производства  
5.2.2.2. Измерительная аппаратура, специально разработанная для оценки и подтверждения функций защиты информации, контролируемых по пункту 5.1.2 или 5.4.2 8543 70 900 9
5.3.2. Материалы - нет  
5.4.2. Программное обеспечение  
5.4.2.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по части 2 категории 5  
5.4.2.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологии, контролируемой по пункту 5.5.2  
5.4.2.3. Специальное программное обеспечение следующих видов:  
5.4.2.3.1. Программное обеспечение, имеющее характеристики, моделирующее или выполняющее функции аппаратуры, контролируемой по пункту 5.1.2 или 5.2.2;  
5.4.2.3.2. Программное обеспечение для сертификации программного обеспечения, контролируемого по пункту 5.4.2.3.1  
 Примечание.  
 По пункту 5.4.2 не контролируются:  
 а) программное обеспечение, необходимое для использования в аппаратуре, выведенной из-под контроля в соответствии с примечанием к пункту 5.1.2;  
 б) программное обеспечение, реализующее любую функцию аппаратуры, выведенной из-под контроля в соответствии с примечанием к пункту 5.1.2  
5.5.2. Технология  
5.5.2.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или использования оборудования либо программного обеспечения, контролируемых по части 2 категории 5  

 
    

КАТЕГОРИЯ 6. ДАТЧИКИ И ЛАЗЕРЫ  
   
6.1. Системы, оборудование и компоненты  
6.1.1. Акустика  
6.1.1.1. Морские акустические системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты:  
6.1.1.1.1. Нижеперечисленные активные (передающие и приемопередающие) системы, оборудование и специально разработанные компоненты для них:  
6.1.1.1.1.1. Широкополосные батиметрические обзорные системы, разработанные для картографирования морского дна, имеющие все следующие предназначения: 9015 80 910 0
 а) для измерения при углах отклонения от вертикали более 20 град.;  
 б) для измерения глубины более 600 м от поверхности воды; и  
 в) для обеспечения любой из следующих характеристик: объединения нескольких лучей, любой из которых уже 1,9 град.; или  
 точности измерений лучше 0,3% от глубины воды, полученных путем усреднения отдельных измерений в пределах полосы;  
6.1.1.1.1.2. Системы обнаружения или определения местоположения, имеющие любую из следующих характеристик: 9014 80 000 0;
 9015 80 910 0
 а) частоту передачи ниже 10 кГц;  
 б) уровень звукового давления выше 224 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне от 10 кГц до 24 кГц включительно;  
 в) уровень звукового давления выше 235 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне между 24 кГц и 30 кГц;  
 г) формирование лучей уже 1 град. по любой оси и рабочую частоту ниже 100 кГц;  
 д) с дальностью надежного обнаружения целей более 5120 м; или  
 е) разработанные для нормального функционирования на глубинах более 1000 м и имеющие датчики с любыми из следующих характеристик: динамически подстраивающиеся под давление; или  
 содержащие чувствительные элементы, изготовленные не из титаната-цирконата свинца  
 Особое примечание.  
 В отношении активных систем обнаружения или определения местоположения, указанных в пункте 6.1.1.1.1.2, см. также пункт 6.1.1.1.1 разделов 2 и 3;  
6.1.1.1.1.3. Акустические излучатели, включающие преобразователи, объединяющие пьезоэлектрические, магнитострикционные, электрострикционные, электродинамические или гидравлические элементы, действующие индивидуально или в определенной комбинации, имеющие любую из следующих характеристик: 9014 80 000 0;
 9015 80 910 0
 а) плотность мгновенной излучаемой акустической мощности, превышающую 0,01 мВт/кв. мм/Гц для приборов, работающих на частотах ниже 10 кГц;  
 б) плотность непрерывно излучаемой акустической мощности, превышающую 0,001 мВт/кв. мм/Гц для приборов, работающих на частотах ниже 10 кГц; или  
 Техническое примечание.  
 Плотность акустической мощности получается делением выходной акустической мощности на произведение площади излучающей поверхности и рабочей частоты  
 в) подавление боковых лепестков более 22 дБ  
 Примечания:  
 1. Контрольный статус акустических излучателей, в том числе преобразователей, специально разработанных для другого оборудования, определяется контрольным статусом этого другого оборудования  
 2. По пункту 6.1.1.1.1.3 не контролируются электронные источники, осуществляющие только вертикальное зондирование, механические (например, пневмопушки или пароударные пушки) или химические (например, взрывные) источники;  
6.1.1.1.1.4. Акустические системы, оборудование и специально разработанные компоненты для определения положения надводных судов и подводных аппаратов, предназначенные для работы на дистанции более 1000 м с точностью позиционирования меньше (лучше) 10 м СКО (среднеквадратичное отклонение) при измерении на расстояниях до 1000 м 9014 80 000 0;
 9015 80 110 0

 
 

Примечание.  
 Пункт 6.1.1.1.1.4 включает:  
 а) оборудование, использующее согласованную обработку сигналов между двумя или более буями и гидрофонным устройством на надводном судне и подводном аппарате;  
 б) оборудование, обладающее способностью автокоррекции накапливающейся погрешности скорости звука для вычислений местоположения  
 Примечание.  
 По пункту 6.1.1.1.1 не контролируются:  
 а) эхолоты, действующие вертикально под аппаратом, не включающие функцию сканирования луча в диапазоне более +/- 20 град. и ограниченные измерением глубины воды, расстояния до погруженных или заглубленных объектов или косяков рыбы;  
 б) следующие акустические буи:  
 аварийные акустические буи;  
 акустические буи с дистанционным управлением, специально разработанные для перемещения или возвращения в подводное положение;  
6.1.1.1.2. Пассивные (принимающие, связанные или не связанные в условиях нормального применения с отдельными активными устройствами) системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты:  
6.1.1.1.2.1. Гидрофоны с любой из следующих характеристик:  
 а) включающие непрерывные гибкие чувствительные элементы; 9014 80 000 0;
 9015 80 110 0;
  9015 80 930 0
 б) включающие гибкие сборки дискретных чувствительных элементов с диаметром или длиной менее 20 мм и с расстоянием между элементами менее 20 мм; 9014 80 000 0;
 9015 80 110 0;
 9015 80 930 0
 в) имеющие любые из следующих чувствительных элементов: 9014 80 000 0;
 9015 80 930 0
 волоконно-оптические; пьезоэлектрические из полимерных пленок, отличные от поливинилиденфторида (PVDF) и его сополимеров {P(VDF-TrFE) и P(VDF-TFE)} ({поли(винилиденфторид-трифторэтилен) и поли(винилиденфторид-тетрафторэтилен)}); или  
 гибкие пьезоэлектрические из композиционных материалов;  
 г) имеющие гидрофонную чувствительность лучше -180 дБ на любой глубине без компенсации ускорения; 9014 80 000 0;
 9015 80 930 0
 д) разработанные для эксплуатации на глубинах, превышающих 35 м, с компенсацией ускорения; или 9014 80 000 0;
 9015 80 930 0
 е) разработанные для эксплуатации на глубинах более 1000 м 9014 80 000 0;
 9015 80 930 0
 Примечание.  
 Контрольный статус гидрофонов, специально разработанных для другого оборудования, определяется контрольным статусом этого оборудования  
 Технические примечания:  
 1. Пьезоэлектрические чувствительные элементы из полимерной пленки состоят из поляризованной полимерной пленки, которая натянута на несущую конструкцию или катушку (сердечник) и прикреплена к ним  
 2. Гибкие пьезоэлектрические чувствительные элементы из композиционного материала состоят из пьезоэлектрических керамических частиц или волокон, распределенных в электроизоляционном акустически прозрачном резиновом, полимерном или эпоксидном связующем, которое является неотъемлемой частью чувствительного элемента  
 3. Гидрофонная чувствительность определяется как 20-кратный десятичный логарифм отношения эффективного выходного напряжения к эффективной величине нормирующего напряжения 1 В, когда гидрофонный датчик без предусилителя помещен в акустическое поле плоской волны с эффективным давлением 1 мкПа. Например: гидрофон с -160 дБ (нормирующее напряжение 1 В на мкПа) даст выходное напряжение 10^(-8) В в таком поле, в то время как гидрофон с чувствительностью -180 дБ даст только 10^(-9) В на выходе. Таким образом, -160 дБ лучше, чем -180 дБ;  
6.1.1.1.2.2. Буксируемые акустические гидрофонные решетки, имеющие любую из следующих характеристик: 9014 80 000 0;
 9015 80 930 0;
 9015 80 990 0
 а) гидрофонные группы, расположенные с шагом менее 12,5 м, или имеющие возможность модификации для расположения гидрофонных групп с шагом менее 12,5 м;  
 б) разработанные или имеющие возможность модификации для работы на глубинах более 35 м  
 Техническое примечание.  
 Возможность модификации, указанная в подпунктах "а" и "б" пункта 6.1.1.1.2.2, означает наличие резервов, позволяющих изменять схему соединений или внутренних связей для усовершенствования гидрофонной группы по ее размещению или изменению пределов рабочей глубины. Такими резервами является возможность монтажа: запасных проводников в количестве, превышающем 10% от числа рабочих проводников связи; блоков настройки конфигурации гидрофонной группы или внутренних устройств, ограничивающих глубину погружения, что обеспечивает регулировку или контроль более чем одной гидрофонной группы;  
 в) датчики направленного действия, контролируемые по пункту 6.1.1.1.2.4;  
 г) продольно армированные рукава решетки;  
 д) собранные решетки диаметром менее 40 мм;  
 е) сигнальные многоэлементные гидрофонные группы, разработанные для работы на глубинах более 35 м или имеющие регулируемое либо сменное устройство измерения глубины для эксплуатации на глубинах, превышающих 35 м; или  
 ж) характеристики гидрофонов, указанные в пункте 6.1.1.1.2.1;  
6.1.1.1.2.3. Аппаратура обработки данных, специально разработанная для применения в буксируемых акустических гидрофонных решетках, обладающая программируемостью пользователем, обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований или процессов; 9014 80 000 0;
 9015 80 930 0;
 9015 80 990 0
6.1.1.1.2.4. Датчики направленного действия, имеющие все следующие характеристики: 9014 80 000 0;
 9014 90 000 0;
 9015 80 110 0;
 а) точность лучше +/- 0,5 град.; и 9015 80 930 0
 б) разработанные для работы на глубинах, превышающих 35 м, либо имеющие регулируемое или сменное глубинное чувствительное устройство, разработанное для работы на глубинах, превышающих 35 м;  
6.1.1.1.2.5. Донные или притопленные кабельные системы, имеющие любую из следующих составляющих: 8907 90 000 0;
 9014 80 000 0;
 9014 90 000 0;
 а) объединяющие гидрофоны, 9015 80 930 0;
 указанные в пункте 6.1.1.1.2.1; или 9015 80 990 0
 б) объединяющие сигнальные модули многоэлементной гидрофонной группы, имеющие все следующие характеристики:  
 разработаны для функционирования на глубинах, превышающих 35 м, либо обладают регулируемым или сменным устройством измерения глубины для работы на глубинах, превышающих 35 м; и  
 обладают возможностью оперативного взаимодействия с модулями буксируемых акустических гидрофонных решеток;  
6.1.1.1.2.6. Аппаратура обработки данных, специально разработанная для донных или притопленных кабельных систем, обладающая программируемостью пользователем и обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований либо процессов 8907 90 000 0;
 9014 80 000 0;
 9014 90 000 0;
 9015 80 930 0;
 9015 80 990 0
 Особое примечание.  
 В отношении пассивных систем, оборудования и специальных компонентов, указанных в пунктах 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6, см. также пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6 раздела 2 и пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.5 раздела 3  

 
 

6.1.1.2. Аппаратура гидролокационного корреляционного лага, разработанная для измерения горизонтальной составляющей скорости носителя аппаратуры относительно морского дна на расстояниях между носителем и дном моря более 500 м 9014 80 000 0;
 9015 80 930 0;
 9015 80 990 0
6.1.2. Оптические датчики  
6.1.2.1. Оптические детекторы:  
6.1.2.1.1. Нижеперечисленные твердотельные детекторы, пригодные для применения в космосе:  
6.1.2.1.1.1. Твердотельные детекторы, имеющие все следующие характеристики: 8541 40 900 0
 а) максимум чувствительности в диапазоне длин волн от 10 нм до 300 нм; и  
 б) чувствительность на длине волны, превышающей 400 нм, менее 0,1% относительно максимальной чувствительности;  
6.1.2.1.1.2. Твердотельные детекторы, имеющие все следующие характеристики: 8541 40 900 0
 а) максимум чувствительности в диапазоне длин волн от 900 нм до 1200 нм; и  
 б) постоянную времени отклика 95 нс или менее;  
6.1.2.1.1.3. Твердотельные детекторы, имеющие максимум чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30 000 нм 8541 40 900 0
 Особое примечание.  
 В отношении оптических твердотельных детекторов, указанных в пунктах 6.1.2.1.1 - 6.1.2.1.1.3, см. также пункты 6.1.2.1.1 - 6.1.2.1.1.3 раздела 2 и пункт 6.1.2.1 раздела 3;  
6.1.2.1.2. Электронно-оптические преобразователи и специально разработанные для них компоненты:  
6.1.2.1.2.1. Электронно-оптические преобразователи, имеющие все нижеперечисленное: 8540 20 800 0
 максимум чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050 нм;  
 микроканальную пластину для электронного усиления изображения с шагом между осями отверстий 12 мкм или менее; и  
 любые из следующих фотокатодов:  
 1) фотокатоды S-20, S-25 или многощелочные фотокатоды со светочувствительностью более 350 мкА/лм;  
 2) фотокатоды на GaAs или GaInAs; или  
 3) другие полупроводниковые фотокатоды на соединениях групп III - V  
 Примечание.  
 Подпункт 3 пункта 6.1.2.1.2.1 не включает фотокатоды на полупроводниковых соединениях с максимальной интегральной чувствительностью к лучистому потоку 10 мА/Вт или менее  
 Особое примечание.  
 В отношении электронно-оптических преобразователей, указанных в пункте 6.1.2.1.2.1, см. также пункт 6.1.2.1.2 раздела 2;  
6.1.2.1.2.2. Следующие специально разработанные компоненты:  
6.1.2.1.2.2.1. Микроканальные пластины с шагом между осями отверстий 12 мкм или менее; 8541 40 900 0
6.1.2.1.2.2.2. Фотокатоды на GaAs или GaInAs; 8541 40 900 0
6.1.2.1.2.2.3. Другие полупроводниковые фотокатоды на соединениях групп III - V 8541 40 900 0
 Примечание.  
 Пункт 6.1.2.1.2.2.3 не включает фотокатоды на полупроводниковых соединениях с максимальной интегральной чувствительностью к лучистому потоку 10 мА/Вт или менее;  
6.1.2.1.3. Решетки фокальной плоскости:  
6.1.2.1.3.1. Решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие все следующие составляющие: 8541 40 900 0
 а) отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от 900 нм до 1050 нм; и  
 б) постоянную времени отклика менее 0,5 нс;  
6.1.2.1.3.2. Решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие все следующие составляющие: 8541 40 900 0
 а) отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1200 нм; и  
 б) постоянную времени отклика 95 нс или менее;  
6.1.2.1.3.3. Нелинейные (двухмерные) решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30 000 нм; 8541 40 900 0
6.1.2.1.3.4. Линейные (одномерные) решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие все следующие составляющие: 8541 40 900 0
 а) отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от более 1200 нм до 2500 нм включительно; и  
 б) любое из следующего:  
 отношение размера в направлении сканирования детекторного элемента к размеру в направлении поперек сканирования детекторного элемента менее 3,8; или  
 обработку сигналов в элементе;  
6.1.2.1.3.5. Линейные (одномерные) решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от более 2500 нм до 30 000 нм включительно 8541 40 900 0
 Технические примечания:  
 1. Линейные или двухмерные многоэлементные детекторные решетки относятся к решеткам фокальной плоскости  
 2. Для целей пункта 6.1.2.1.3 "направление поперек сканирования" определяется как ось, параллельная линейке детекторных элементов, а "направление сканирования" определяется как ось, перпендикулярная линейке детекторных элементов  
 Примечания:  
 1. Пункт 6.1.2.1.3 включает фотопроводящие и фотоэлектрические решетки  
 2. По пункту 6.1.2.1.3 не контролируются:  
 а) кремниевые решетки фокальной плоскости;  
 б) многоэлементные (не более 16 элементов) фотопроводящие ячейки, использующие сульфид или селенид свинца;  
 в) пироэлектрические детекторы на основе любого из следующих материалов:  
 триглицинсульфата и его производных;  
 титаната свинца-лантана-циркония и его производных;  
 танталата лития;  
 поливинилиденфторида и его производных; или  
 ниобата бария-стронция и его производных  
 Примечание.  
 По пункту 6.1.2.1 не контролируются германиевые или кремниевые фотоустройства  
 Особое примечание.  
 В отношении решеток фокальной плоскости, указанных в пунктах 6.1.2.1.3 - 6.1.2.1.3.5, см. также пункты 6.1.2.1.3 - 6.1.2.1.3.5 раздела 2;  
6.1.2.2. Моноспектральные датчики изображения и многоспектральные датчики изображения, разработанные для применения при дистанционном зондировании и имеющие любую из следующих характеристик: 8540 89 000 0
 а) мгновенное поле обзора (МПО) менее 200 мкрад; или  
 б) разработанные для функционирования в диапазоне длин волн от 400 нм до 30 000 нм и обладающие всеми нижеперечисленными свойствами:  
 обеспечивающие выходные данные изображения в цифровом формате;  
 пригодные для применения в космосе или разработанные для функционирования на борту летательного аппарата при использовании некремниевых детекторов; и  
 имеющие МПО менее 2,5 мрад  
 Особое примечание.  
 В отношении многоспектральных датчиков изображения, указанных в пункте 6.1.2.2, см. также пункт 6.1.2.2 раздела 2  
6.1.2.3. Оборудование прямого наблюдения изображения, работающее в видимом диапазоне или ИК-диапазоне и содержащее любую из следующих составляющих:  
6.1.2.3.1. Электронно-оптические 8540 20 800 0;
 преобразователи, имеющие 8540 99 000 0;
 характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.2.1; или 9005

 
 

6.1.2.3.2. Решетки фокальной плоскости, 8540 99 000 0;
 имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.3 9005
 Техническое примечание.  
 Под оборудованием прямого наблюдения изображения подразумевается оборудование для получения изображения, работающее в видимом диапазоне или ИК-диапазоне, которое представляет визуальное изображение человеку-наблюдателю без преобразования изображения в электронный сигнал для телевизионного дисплея и которое не может записывать или сохранять изображение фотографически, а также электронным или другим способом  
 Примечание.  
 По пункту 6.1.2.3 не контролируется следующее оборудование, содержащее фотокатоды на материалах, отличных от GaAs или GaInAs:  
 а) промышленные или гражданские системы охранной сигнализации, системы управления движением транспорта или производственным движением и системы счета;  
 б) медицинское оборудование;  
 в) промышленное оборудование, используемое для инспекции, сортировки или анализа свойств материалов;  
 г) датчики контроля пламени для промышленных печей;  
 д) оборудование, специально разработанное для лабораторного использования  
 Особое примечание.  
 В отношении оборудования прямого наблюдения, указанного в пунктах 6.1.2.3 - 6.1.2.3.2, см. также пункты 6.1.2.3 - 6.1.2.3.2 раздела 2  
6.1.2.4. Специальные вспомогательные компоненты для оптических датчиков:  
6.1.2.4.1. Криоохладители, пригодные для применения в космосе; 8418 69 000 9
6.1.2.4.2. Нижеперечисленные криоохладители, непригодные для применения в космосе, с температурой источника охлаждения ниже 218 К (-55 град. С):  
6.1.2.4.2.1. Замкнутого цикла с определенным техническими условиями средним временем наработки на отказ или средним временем наработки между отказами более 2500 ч; 8418 69 000 9
6.1.2.4.2.2. Саморегулирующиеся миниохладители Джоуля-Томсона с наружными диаметрами канала менее 8 мм; 8418 69 000 9
6.1.2.4.3. Оптические индикаторные волокна, специально изготовленные с заданным составом или структурой, либо модифицированные с помощью покрытия, чтобы обеспечить их акустическую, термическую, инерциальную, электромагнитную чувствительность или чувствительность к ядерному излучению 9001 10 900
6.1.2.5. Решетки фокальной плоскости, пригодные для применения в космосе, имеющие более 2048 элементов на решетку и максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм 9013 80 900 0
 Особое примечание.  
 В отношении решеток фокальной плоскости, указанных в пункте 6.1.2.5, см. также пункт 6.1.2.4 раздела 2  
6.1.3. Камеры  
 Особое примечание.  
 Для камер, специально разработанных или модифицированных для подводного использования, см. пункты 8.1.2.4 и 8.1.2.5  
6.1.3.1. Камеры контрольно-измерительных приборов и специально разработанные для них компоненты:  
6.1.3.1.1. Высокоскоростные записывающие 9007 11 000 0;
 кинокамеры, использующие любой формат пленки от 8 мм до 16 мм, в которых пленка непрерывно движется вперед в течение всего периода записи и которые способны записывать при скорости кадрирования более 13 150 кадров/с 9007 19 000 0
 Примечание.  
 По пункту 6.1.3.1.1 не контролируются записывающие кинокамеры, разработанные для гражданских целей;  
6.1.3.1.2. Механические высокоскоростные камеры, с неподвижной пленкой и скоростью записи более 1 000 000 кадров/с для полной высоты кадрирования 35-мм пленки или при пропорционально более высокой скорости для меньшей высоты кадров, или при пропорционально меньшей скорости для большей высоты кадров; 9007 19 000 0
6.1.3.1.3. Механические или электронные фотохронографы, имеющие скорость записи более 10 мм/мкс; 9007 19 000 0
6.1.3.1.4. Электронные камеры с кадрированием изображения, имеющие скорость более 1 000 000 кадров/с; 9007 19 000 0
6.1.3.1.5. Электронные камеры, имеющие все следующие характеристики: 9007 19 000 0
 а) скорость электронного затвора (способность стробирования) менее 1 мкс на полный кадр; и  
 б) время считывания, обеспечивающее скорость кадрирования более 125 полных кадров в секунду  
 Примечание.  
 Измерительные камеры с модульными конструкциями, контролируемые по пунктам 6.1.3.1.3 - 6.1.3.1.5, должны оцениваться их максимальной способностью использования подходящих сменных модулей в соответствии со спецификацией изготовителя;  
6.1.3.1.6. Сменные модули, имеющие все 9007 19 000 0;
 следующие характеристики: 9007 91 000 0
 а) специально разработанные для камер контрольно-измерительных приборов, имеющих модульную структуру и контролируемых по пункту 6.1.3.1; и  
 б) дающие возможность камерам удовлетворять характеристикам, установленным в пунктах 6.1.3.1.3 - 6.1.3.1.5, в соответствии с техническими требованиями производителей  
6.1.3.2. Камеры формирования изображения:  
6.1.3.2.1. Видеокамеры, включающие твердотельные датчики, имеющие максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от более 10 нм до 30 000 нм включительно и все следующее: 8525 80
 а) имеющие любую из следующих характеристик:  
 более 4x10(6) активных пикселей на твердотельную матрицу для монохромных (черно-белых) камер;  
 более 4x10(6) активных пикселей на твердотельную матрицу для цветных камер, включающих три твердотельные матрицы; или  
 более 12x10(6) активных пикселей для цветных камер на основе одной твердотельной матрицы; и  
 б) имеющие любую из следующих характеристик: оптические зеркала, контролируемые по пункту 6.1.4.1;  
 оборудование оптического контроля, контролируемое по пункту 6.1.4.4; или  
 способность комментирования отслеживаемых данных, накопленных внутри камеры  
 Технические примечания:  
 1. Для целей настоящего пункта цифровые видеокамеры должны оцениваться максимальным числом активных пикселей, используемых для фиксации движущихся изображений  
 2. Для целей настоящего пункта термин "отслеживаемые данные камеры" означает информацию, необходимую для определения ориентации по линии визирования камеры относительно земли. Это включает:  
 а) азимутальный угол линии визирования камеры, образованный относительно направления магнитного поля земли; и  
 б) вертикальный угол между линией визирования камеры и горизонтом земли;  
6.1.3.2.2. Сканирующие камеры и системы на 8525 80 300 0;
 основе сканирующих камер, имеющие 8525 80 910;
 все следующие характеристики: 8525 80 990
 а) максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от более 10 нм до 30 000 нм включительно;  
 б) линейные детекторные матрицы с более чем 8192 элементами на матрицу; и  
 в) механическое сканирование в одном направлении;  
6.1.3.2.3. Камеры формирования изображений, 8525 80 300 0;
 содержащие электронно-оптические 8525 80 910;
 преобразователи, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.2.1; 8525 80 990
6.1.3.2.4. Камеры формирования изображений, 8525 80 300 0;
 включающие решетки фокальной 8525 80 910;
 плоскости, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.3 8525 80 990

 
 

Примечание.  
 По пункту 6.1.3.2.4 не контролируются камеры формирования изображений, содержащие линейные решетки фокальной плоскости с 12 или меньшим числом элементов, не применяющих задержку по времени и интегрирование в элементе, разработанные для любого из следующего:  
 а) промышленных или гражданских систем охранной сигнализации, систем управления движением транспорта или производственным движением и систем счета;  
 б) производственного оборудования, используемого для контроля или мониторинга тепловых потоков в зданиях, оборудовании или производственных процессах;  
 в) производственного оборудования, используемого для контроля, сортировки или анализа свойств материалов;  
 г) оборудования, специально разработанного для лабораторного использования;  
 д) медицинского оборудования  
 Примечание.  
 По пункту 6.1.3.2 не контролируются телевизионные или видеокамеры, специально разработанные для телевизионного вещания  
 Особое примечание.  
 В отношении камер формирования изображения, указанных в пунктах 6.1.3.2.3 и 6.1.3.2.4, см. также пункты 6.1.3.1 - 6.1.3.1.2 раздела 2  
6.1.4. Оптика  
6.1.4.1. Оптические зеркала (рефлекторы):  
6.1.4.1.1. Деформируемые зеркала, имеющие сплошные или многоэлементные поверхности, и специально разработанные для них компоненты, которые способны динамически осуществлять перерегулировку положения частей поверхности зеркала с частотой выше 100 Гц; 9001 90 000 0;
 9002 90 000 0
6.1.4.1.2. Легкие монолитные зеркала, имеющие среднюю эквивалентную плотность менее 30 кг/кв. м и общую массу более 10 кг; 9001 90 000 0;
 9002 90 000 0
6.1.4.1.3. Зеркала из легких композиционных или пенообразных материалов, имеющие среднюю эквивалентную плотность менее 30 кг/кв. м и общую массу более 2 кг; 9001 90 000 0;
 9002 90 000 0
6.1.4.1.4. Зеркала для управления лучом с диаметром или длиной главной оси более 100 мм, имеющие плоскостность 1/2 длины волны или лучше (длина волны равна 633 нм) и ширину полосы частот управления более 100 Гц 9001 90 000 0;
 9002 90 000 0
6.1.4.2. Оптические компоненты, изготовленные из селенида цинка (ZnSe) или сульфида цинка (ZnS), с полосой пропускания от 3000 нм до 25 000 нм, имеющие любую из следующих характеристик: 9001 90 000 0;
 9002 90 000 0
 а) объем более 100 куб. см; или  
 б) диаметр или длину главной оси более 80 мм и толщину (глубину) более 20 мм  
6.1.4.3. Компоненты для оптических систем, пригодные для применения в космосе:  
6.1.4.3.1. Оптические элементы облегченного типа с эквивалентной плотностью менее 20% по сравнению со сплошной заготовкой с теми же апертурой и толщиной; 9001 90 000 0;
 9002 90 000 0
6.1.4.3.2. Необработанные подложки, обработанные подложки с поверхностным покрытием (однослойным или многослойным, металлическим или диэлектрическим, проводящим, полупроводящим или изолирующим) или имеющие защитные пленки; 7014 00 000 0;
 9001 90 000 0
6.1.4.3.3. Сегменты или системы зеркал, предназначенные для сборки в космосе в оптическую систему с приемной апертурой, равной или больше одного оптического метра в диаметре; 9001 90 000 0;
 9002 90 000 0
6.1.4.3.4. Изготовленные из композиционных материалов, имеющих коэффициент линейного термического расширения, равный или меньше 5 x 10(-6) в любом направлении 9003 90 000 0
 Особое примечание.  
 В отношении компонентов оптических систем, указанных в пунктах 6.1.4.3 - 6.1.4.3.4, см. также пункты 6.1.4.1 - 6.1.4.1.4 раздела 2  
6.1.4.4. Оборудование оптического контроля:  
6.1.4.4.1. Специально разработанное для поддержания профиля поверхности или ориентации оптических компонентов, пригодных для применения в космосе, контролируемых по пункту 6.1.4.3.1 или 6.1.4.3.3; 9031 49 900 0;
 9032 89 000 0
6.1.4.4.2. Имеющее управление, слежение, стабилизацию или юстировку резонатора в полосе частот, равной или выше 100 Гц, и погрешность 10 мкрад или менее; 9031 49 900 0;
 9032 89 000 0
6.1.4.4.3. Кардановы подвесы, имеющие все следующие характеристики: 8412 21 200 9;
 8412 31 000 0;
 а) максимальный угол поворота более 5 град.; 8479 89 970 9;
 9032 81 000 9;
 б) ширину полосы, равную или выше 100 Гц; 9032 89 000 0
 в) ошибки угловой наводки, равные или меньше 200 мкрад; и  
 г) имеющие любую из следующих характеристик:  
 диаметр или длину главной оси более 0,15 м, но не более 1 м и допускающие угловые ускорения более 2 рад/с_2 ; или  
 диаметр или длину главной оси более 1 м и допускающие угловые ускорения более 0,5 рад/с_2 ;  
6.1.4.4.4. Специально разработанное для поддержания юстировки фазированной решетки или систем зеркал с фазированными сегментами, содержащее зеркала с диаметром сегмента или длиной главной оси 1 м или более 9032 89 000 0
 Особое примечание.  
 В отношении оборудования оптического контроля, указанного в пунктах 6.1.4.4 - 6.1.4.4.4, см. также пункты 6.1.4.2 - 6.1.4.2.4 раздела 2  
6.1.4.5. Асферические оптические элементы, имеющие все следующие характеристики: 9001 90 000 0;
 9002 90 000 0
 а) наибольший размер оптической апертуры более 400 мм;  
 б) шероховатость поверхности менее 1 нм (среднеквадратичную) на выборочном участке длиной, равной или превышающей 1 мм; и  
 в) абсолютную величину коэффициента линейного теплового расширения менее 3 x 10(-6)/К при температуре 25 град. C  
 Технические примечания:  
 1. Асферический оптический элемент - любой элемент, используемый в оптической системе, оптическая поверхность или поверхности которого разработаны отличающимися от формы идеальной сферы  
 2. Изготовители не нуждаются в измерении шероховатости поверхности, указанной в подпункте "б" пункта 6.1.4.5, за исключением тех случаев, когда оптический элемент разработан или изготовлен с целью соответствия или превышения контрольного параметра  
 Примечание.  
 По пункту 6.1.4.5 не контролируются асферические оптические элементы, имеющие любые из следующих характеристик:  
 а) наибольший размер оптической апертуры менее 1 м и относительное отверстие, равное или больше 4,5:1 (отношение диаметра к фокусному расстоянию, равное или больше 4,5:1);  
 б) наибольший размер оптической апертуры, равный или больше 1 м, и относительное отверстие, равное или больше 7:1 (отношение диаметра к фокусному расстоянию, равное или больше 7:1);  
 в) разработанные в качестве Френелевого, плавающего видеосенсора, полосы, призмы или дифракционных оптических элементов;  
 г) изготовленные из боросиликатного стекла, имеющего коэффициент линейного теплового расширения более 2,5 x 10(-6) /К при температуре 25 град. C; или  
 д) являющиеся оптическими элементами для рентгеновских лучей, обладающие свойствами внутреннего отражения (например: зеркала трубчатого типа)  
 Особое примечание.  
 Для асферических оптических элементов, специально разработанных для литографического оборудования, см. пункт 3.2.1  
 Лазеры  
6.1.5. Лазеры, компоненты и оптическое оборудование:  
 Примечания:  
 1. Импульсные лазеры включают лазеры, работающие в квазинепрерывном режиме с перекрытием импульсов  
 2. Лазеры с импульсной накачкой включают лазеры, работающие в непрерывном режиме при перекрывающихся импульсах накачки  
 3. Контрольный статус рамановских лазеров определяется параметрами лазерного источника накачки. Лазерным источником накачки может быть любой лазер, рассматриваемый ниже  

 
 

6.1.5.1. Газовые лазеры:  
6.1.5.1.1. Эксимерные лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
 а) выходную длину волны не более 150 нм и имеющие любую из следующих характеристик:  
 выходную энергию в импульсе более 50 мДж; или  
 среднюю выходную мощность более 1 Вт;  
 б) выходную длину волны в диапазоне от 150 нм до 190 нм и имеющие любую из следующих характеристик:  
 выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж; или  
 среднюю выходную мощность более 120 Вт;  
 в) выходную длину волны в диапазоне от 190 нм до 360 нм и имеющие любую из следующих характеристик:  
 выходную энергию в импульсе более 10 Дж; или  
 среднюю выходную мощность более 500 Вт; или  
 г) выходную длину волны более 360 нм и имеющие любую из следующих характеристик:  
 выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж; или  
 среднюю выходную мощность более 30 Вт  
 Особое примечание.  
 Для эксимерных лазеров, специально разработанных для литографического оборудования, см. пункт 3.2.1;  
6.1.5.1.2. Лазеры на парах металла:  
6.1.5.1.2.1. Медные (Cu) лазеры, имеющие среднюю выходную мощность более 20 Вт; 9013 20 000 0
6.1.5.1.2.2. Золотые (Au) лазеры, имеющие среднюю выходную мощность более 5 Вт; 9013 20 000 0
6.1.5.1.2.3. Натриевые (Na) лазеры, имеющие выходную мощность более 5 Вт; 9013 20 000 0
6.1.5.1.2.4. Бариевые (Ba) лазеры, имеющие среднюю выходную мощность более 2 Вт; 9013 20 000 0
6.1.5.1.3. Лазеры на оксиде углерода (CO), имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
 а) выходную энергию в импульсе более 2 Дж и пиковую мощность более 5 кВт; или  
 б) среднюю мощность или выходную мощность в непрерывном режиме более 5 кВт;  
6.1.5.1.4. Лазеры на диоксиде углерода (СО2), имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
 а) выходную мощность в непрерывном режиме более 15 кВт;  
 б) длительность импульсов в импульсном режиме более 10 мкс и имеющие любую из следующих характеристик:  
 среднюю выходную мощность более 10 кВт; или  
 пиковую мощность более 100 кВт; или  
 в) длительность импульсов в импульсном режиме, равную или меньше 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик:  
 энергию в импульсе более 5 Дж; или среднюю выходную мощность более 2,5 кВт;  
6.1.5.1.5. Химические лазеры:  
6.1.5.1.5.1. Лазеры на фториде водорода (HF); 9013 20 000 0
6.1.5.1.5.2. Лазеры на фториде дейтерия (DF); 9013 20 000 0
6.1.5.1.5.3. Переходные лазеры: 9013 20 000 0
 а) кислородно-йодные (O2-I) лазеры;  
 б) фториддейтерия-диоксидуглеродные DF-СО2) лазеры; 9013 20 000 0
6.1.5.1.6. Лазеры на ионах аргона (Ar) или криптона (Kr), имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
 а) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность импульса более 50 Вт; или  
 б) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 50 Вт;  
6.1.5.1.7. Другие газовые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
 а) выходную длину волны не более 150 нм и имеющие любую из следующих характеристик:  
 выходную энергию в импульсе более 50 мДж и пиковую мощность более 1 Вт; или  
 среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт;  
 б) выходную длину волны в диапазоне от 150 нм до 800 нм и имеющие любую из следующих характеристик:  
 1) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт; или  
 2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 30 Вт;  
 в) выходную длину волны от 800 нм до 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик:  
 выходную энергию в импульсе более 0,25 Дж и пиковую мощность более 10 Вт; или  
 среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 10 Вт; или  
 г) выходную длину волны более 1400 нм и среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт  
 Примечание.  
 По пункту 6.1.5.1.7 не контролируются азотные лазеры;  
6.1.5.2. Полупроводниковые лазеры:  
 Примечания:  
 1. Пункт 6.1.5.2 включает полупроводниковые лазеры, имеющие оптические выходные соединители (например, волоконно-оптические гибкие проводники)  
 2. Контрольный статус полупроводниковых лазеров, специально разработанных для другого оборудования, определяется статусом контроля этого другого оборудования;  
6.1.5.2.1. Одиночные с одной поперечной модой полупроводниковые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 40 100 0
 а) длину волны, равную или меньше 1510 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 1,5 Вт; или  
 б) длину волны более 1510 нм и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 500 мВт;  
6.1.5.2.2. Одиночные с многократными поперечными модами полупроводниковые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 40 100 0
 а) длину волны менее 1400 нм и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 10 Вт;  
 б) длину волны, равную или больше 1400 нм, но менее 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 2,5 Вт; или  
 в) длину волны, равную или больше 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 1 Вт;  
6.1.5.2.3. Матрицы отдельных полупроводниковых лазеров, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 40 100 0
 а) длину волны менее 1400 нм и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 80 Вт;  
 б) длину волны, равную или больше 1400 нм, но менее 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 25 Вт; или  
 в) длину волны, равную или больше 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 10 Вт  
6.1.5.2.4. Наборы матриц полупроводниковых лазеров, включающие по меньшей мере одну матрицу, которая контролируется по пункту 6.1.5.2.3 8541 40 100 0
 Технические примечания:  
 1. Полупроводниковые лазеры обычно называются лазерными диодами  
 2. Матрица состоит из повторяющихся излучателей полупроводникового лазера, скомпонованных как однокристальная микросхема таким образом, чтобы центры пучков излучаемого света находились на параллельных траекториях  
 3. Набор матриц компонуется наложением или иным способом сборки матриц таким образом, чтобы центры пучков излучаемого света находились на параллельных траекториях  
6.1.5.3. Твердотельные лазеры:  

 
 

6.1.5.3.1. Перестраиваемые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
 а) выходную длину волны менее 600 нм и имеющие любую из следующих характеристик:  
 выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или  
 среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт;  
 б) выходную длину волны 600 нм или более, но не более 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик:  
 выходную энергию в импульсе более 1 Дж и импульсную пиковую мощность более 20 Вт; или  
 среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 20 Вт; или  
 в) выходную длину волны более 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик:  
 выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или  
 среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт  
 Примечание.  
 Пункт 6.1.5.3.1 включает титаносапфировые (Ti:Al2O3) тулий-YAG (Tm:YAG), тулий-YSGG (Tm:YSGG) лазеры, лазеры на александрите (Cr:BeAl2O4) и лазеры на центрах окраски;  
6.1.5.3.2. Неперестраиваемые лазеры:  
 Примечание.  
 Пункт 6.1.5.3.2 включает твердотельные лазеры на атомных переходах  
6.1.5.3.2.1. Лазеры на неодимовом стекле:  
6.1.5.3.2.1.1. Лазеры с модуляцией добротности, имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
 а) выходную энергию в импульсе более 20 Дж, но не более 50 Дж и среднюю выходную мощность более 10 Вт; или  
 б) выходную энергию в импульсе более 50 Дж;  
6.1.5.3.2.1.2. Лазеры без модуляции добротности, имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
 а) выходную энергию в импульсе более 50 Дж, но не более 100 Дж и среднюю выходную мощность более 20 Вт; или  
 б) выходную энергию в импульсе более 100 Дж;  
6.1.5.3.2.2. Следующие лазеры с легированием неодимом (другие, нежели на стекле), имеющие выходную длину волны более 1000 нм, но не более 1100 нм:  
 Особое примечание.  
 Для лазеров с легированием неодимом (других, нежели на стекле), имеющих выходную длину волны менее 1000 нм или более 1100 нм, см. пункт 6.1.5.3.2.3  
6.1.5.3.2.2.1. Лазеры с модуляцией добротности, импульсным возбуждением и синхронизацией мод или компрессией импульсов при вынужденном рассеянии Мандельштама-Бриллюэна длительностью импульса менее 1 нс и имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
 а) пиковую мощность более 5 ГВт;  
 б) среднюю выходную мощность более 10 Вт; или  
 в) энергию в импульсе более 0,1 Дж;  
6.1.5.3.2.2.2. Лазеры с модуляцией добротности и импульсным возбуждением с длительностью импульса, равной или больше 1 нс, и имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
 а) одномодовое излучение поперечной моды, имеющее:  
 пиковую мощность более 100 МВт;  
 среднюю выходную мощность более 20 Вт; или  
 энергию в импульсе более 2 Дж; или  
 б) многомодовое излучение поперечных мод, имеющее:  
 пиковую мощность более 400 МВт;  
 среднюю выходную мощность более 2 кВт; или  
 энергию в импульсе более 2 Дж;  
6.1.5.3.2.2.3. Лазеры с импульсным возбуждением без модуляции добротности, имеющие: 9013 20 000 0
 а) одномодовое излучение поперечной моды, имеющее: пиковую мощность более 500 кВт; или  
 среднюю выходную мощность более 150 Вт; или  
 б) многомодовое излучение поперечных мод, имеющее:  
 пиковую мощность более 1 МВт; или  
 среднюю выходную мощность более 2 кВт;  
6.1.5.3.2.2.4. Лазеры с непрерывным возбуждением, имеющие: 9013 20 000 0
 а) одномодовое излучение поперечной моды, имеющее: пиковую мощность более 500 кВт; или  
 среднюю мощность или выходную мощность в непрерывном режиме более 150 Вт; или  
 б) многомодовое излучение поперечных мод, имеющее:  
 пиковую мощность более 1 МВт; или  
 среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 2 кВт;  
6.1.5.3.2.3. Другие неперестраиваемые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
 а) длину волны менее 150 нм и:  
 выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или  
 среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт;  
 б) длину волны не менее 150 нм, но не более 800 нм и:  
 выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт; или  
 среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 30 Вт;  
 в) длину волны более 800 нм, но не более 1400 нм, а именно:  
 1) лазеры с модуляцией добротности, имеющие:  
 выходную энергию в импульсе более 0,5 Дж и импульсную пиковую мощность более 50 Вт; или  
 среднюю выходную мощность, превышающую:  
 10 Вт для лазеров с одной поперечной модой;  
 30 Вт для лазеров с несколькими поперечными модами;  
 2) лазеры без модуляции добротности, имеющие:  
 выходную энергию в импульсе более 2 Дж и импульсную пиковую мощность более 50 Вт; или  
 среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 50 Вт; или  
 г) длину волны более 1400 нм и любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 100 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или  
 среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт;  
6.1.5.4. Лазеры на красителях и других жидкостях, имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
 а) длину волны менее 150 нм и имеющие любую из следующих характеристик:  
 выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или  
 среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт;  
 б) длину волны 150 нм или более, но не более 800 нм и имеющие любую из следующих характеристик:  
 выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и импульсную пиковую мощность более 20 Вт;  
 среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 20 Вт; или  
 импульсный генератор, работающий на одной продольной моде со средней выходной мощностью более 1 Вт и частотой повторения импульсов выше 1 кГц, если длительность импульса менее 100 нс;  
 в) длину волны более 800 нм, но не более 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик:  
 выходную энергию в импульсе более 0,5 Дж и импульсную пиковую мощность более 10 Вт; или  
 среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме не более 10 Вт; или  
 г) длину волны более 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик:  
 выходную энергию в импульсе более 100 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или  
 среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт;  
6.1.5.5. Следующие компоненты:  
6.1.5.5.1. Зеркала, охлаждаемые либо активным методом, либо методом тепловой трубы 9001 90 000 0;
 9002 90 000 0

 
 

Техническое примечание.  
 Активным охлаждением является метод охлаждения оптических компонентов, в котором используется течение жидкости по субповерхности (расположенной обычно менее чем в 1 мм под оптической поверхностью) оптического компонента для отвода тепла от оптики;  
6.1.5.5.2. Оптические зеркала или прозрачные или частично прозрачные оптические или электрооптические компоненты, специально разработанные для использования с контролируемыми лазерами; 9001 90 000 0;
 9002 90 000 0
6.1.5.6. Оптическое оборудование следующих видов:  
6.1.5.6.1. Оборудование, измеряющее динамический волновой фронт (фазу), использующее по крайней мере 50 позиций на волновом фронте луча, имеющее любую из следующих характеристик: 9031 49 900 0
 а) частоту кадров, равную или выше 100 Гц, и фазовую дискриминацию, составляющую по крайней мере 5% от длины волны луча; или  
 б) частоту кадров, равную или выше 1000 Гц, и фазовую дискриминацию, составляющую по крайней мере 20% от длины волны луча;  
6.1.5.6.2. Оборудование лазерной диагностики, способное измерять погрешности углового управления положением луча лазера сверхвысокой мощности, равные или меньше 10 мкрад; 9031 49 900 0
6.1.5.6.3. Оптическое оборудование и компоненты, специально разработанные для использования в системе лазера сверхвысокой мощности с фазированными решетками для суммирования когерентных лучей с точностью 1/10 длины волны или 0,1 мкм, в зависимости от того, какая из величин меньше; 9013 90 900 0
6.1.5.6.4. Проекционные телескопические оптические системы, специально разработанные для использования с системами лазеров сверхвысокой мощности 9002 19 000 0
 Магнитометры  
6.1.6. Магнитометры, магнитные градиентометры, внутренние магнитные градиентометры и компенсационные системы и специально разработанные для них компоненты:  
6.1.6.1. Следующие магнитометры и их подсистемы:  
6.1.6.1.1. Использующие технологию сверхпроводящих материалов (сверхпроводящих квантовых интерференционных датчиков или СКВИДов) и имеющие любую из следующих характеристик: 9015 80 110 0;
 9015 80 930 0
 а) системы СКВИДов, разработанные для стационарной эксплуатации, без специально разработанных подсистем, предназначенных для уменьшения шума в движении, и имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность), равный или меньше (лучше) 50 фТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц; или  
 б) системы СКВИДов, специально разработанные для устранения шума в движении и имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) магнитометра в движении меньше (лучше) 20 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц;  
6.1.6.1.2. Использующие технологии оптической накачки или ядерной прецессии (протонной/Оверхаузера), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) меньше (лучше) 20 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах 9015 80 110 0;
 9015 80 930 0
 Особое примечание.  
 В отношении магнитометров и их подсистем, указанных в пункте 6.1.6.1.2, см. также пункт 6.1.5.1 раздела 2;  
6.1.6.1.3. Использующие технологию феррозондов (магнитомодуляционных датчиков), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность), равный или меньше (лучше) 10 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц; 9015 80 110 0;
 9015 80 930 0
6.1.6.1.4. Магнитометры с катушкой индуктивности, имеющие среднеквадратичное значение уровня шума (чувствительности) меньше (лучше), чем любой из следующих показателей: 9015 80 110 0;
а) 0,05 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте ниже 1 Гц; 9015 80 930 0
 б) 1 x 10^(-3)нТ,деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц или выше, но не выше 10 Гц; или  
 в) 1 x 10^(-4) нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частотах выше 10 Гц;  
6.1.6.1.5. Волоконно-оптические магнитометры со среднеквадратичным уровнем шума (чувствительностью) меньше (лучше) 1 нТ, деленной на корень квадратный из частоты в герцах; 9015 80 110 0;
 9015 80 930 0
6.1.6.2. Следующие магнитные градиентометры  
6.1.6.2.1. Магнитные градиентометры, использующие наборы магнитометров, контролируемых по пункту 6.1.6.1; 9015 80 110 0;
 9015 80 930 0
6.1.6.2.2. Волоконно-оптические внутренние магнитные градиентометры со среднеквадратичным уровнем шума (чувствительностью) градиента магнитного поля меньше (лучше) 0,3 нТ/м, деленных на корень квадратный из частоты в герцах; 9015 80 110 0;
 9015 80 930 0
6.1.6.2.3. Внутренние магнитные градиентометры, использующие технологию, отличную от волоконнооптической, со среднеквадратичным уровнем шума (чувствительностью) градиента магнитного поля меньше (лучше) 0,015 нТ/м, деленных на корень квадратный из частоты в герцах; 9015 80 110 0;
 9015 80 930 0
6.1.6.3. Магнитокомпенсационные системы для магнитных датчиков, разработанных для применения на подвижных платформах 9015 80 110 0;
 9015 80 930 0
 Особое примечание.  
 В отношении магнитокомпенсационных систем, указанных в пункте 6.1.6.3, см. также пункт 6.1.5.2 раздела 2;  
 Примечание.  
 По пункту 6.1.6 не контролируются инструменты, специально разработанные для биомагнитных измерений медицинской диагностики  
 Гравиметры  
6.1.7. Гравиметры и гравитационные градиентометры:  
6.1.7.1. Гравиметры, разработанные или модифицированные для наземного использования, со статической точностью меньше (лучше) 10 микрогалей 9015 80 930 0
 Примечание.  
 По пункту 6.1.7.1 не контролируются наземные гравиметры типа кварцевых элементов (Уордена);  
6.1.7.2. Гравиметры, разработанные для мобильных средств, имеющие все следующие характеристики: 9015 80 930 0
 а) статическую точность меньше (лучше) 0,7 миллигалей; и  
 б) рабочую точность меньше (лучше) 0,7 миллигалей со временем регистрации в состоянии готовности менее 2 мин. в любой комбинации корректирующих компенсаций и влияния движения;  
6.1.7.3. Гравитационные градиентометры 9015 80 930 0
 Радиолокаторы  
6.1.8. Локационные системы, оборудование и узлы, имеющие любую из следующих характеристик, и специально разработанные для них компоненты:  
6.1.8.1. Работают на частотах от 40 ГГц до 230 ГГц и имеют среднюю выходную мощность более 100 мВт; 8526 10 000
6.1.8.2. Имеют перестраиваемую рабочую полосу частот, ширина которой превышает +/- 6,25% от центральной рабочей частоты 8526 10 000
 Техническое примечание.  
 Центральная рабочая частота равна половине суммы наибольшей и наименьшей номинальных рабочих частот;  
6.1.8.3. Имеют возможность работать одновременно на двух или более несущих частотах; 8526 10 000
6.1.8.4. Имеют возможность работы в режимах радиолокационных станций (РЛС) с синтезированной апертурой или обратной синтезированной апертурой или в режиме локатора бокового обзора воздушного базирования 8526 10 000
 Особое примечание.  
 В отношении локационных систем, оборудования и узлов, указанных в пункте 6.1.8.4, см. также пункт 6.1.6.1 раздела 2;  
6.1.8.5. Включают фазированные антенные решетки с электронным управлением диаграммой направленности; 8526 10 000
6.1.8.6. Определяют высотные одиночные цели 8526 10 000
 Примечание.  
 По пункту 6.1.8.6 не контролируется прецизионное радиолокационное оборудование для контроля захода на посадку, соответствующее стандартам ИКАО;  

 
 

6.1.8.7. Специально разработаны для воздушного базирования (устанавливаются на воздушном шаре или летательном аппарате) и имеют допплеровскую обработку сигнала для обнаружения движущихся целей; 8526 10 000
6.1.8.8. Используют обработку сигналов локатора с применением: 8526 10 000
 а) методов расширения спектра РЛС; или  
 б) методов радиолокации с быстрой перестройкой частоты  
 Особое примечание.  
 В отношении РЛС, указанных в пункте 6.1.8.8, см. также пункт 6.1.6.2 раздела 2;  
6.1.8.9. Обеспечивают наземное функционирование с максимальной инструментальной дальностью действия более 185 км 8526 10 000
 Примечание.  
 По пункту 6.1.8.9 не контролируются:  
 а) обзорные РЛС для рыболовецких целей;  
 б) наземные РЛС, специально разработанные для управления воздушным движением в случае, когда они удовлетворяют всем следующим условиям:  
 имеют максимальную инструментальную дальность действия 500 км или менее; сконфигурированы так, что данные с РЛС о цели могут быть переданы только в одну сторону от места нахождения локатора к одному или нескольким гражданским центрам управления воздушным движением (УВД) на маршруте;  
 не содержат средств для дистанционного управления скоростью сканирования локатора из центра УВД на маршруте; и  
 должны устанавливаться для постоянной работы;  
 в) локаторы для слежения за метеорологическими воздушными шарами;  
6.1.8.10. Являются лазерными локационными станциями или лазерными дальномерами (ЛИДАРы), имеющими любую из следующих характеристик: 9015 10 100 0;
 9015 10 900 0;
 9031 80 340 0;
 9031 80 910 0
 а) пригодные для применения в космосе; или  
 б) использующие методы когерентного гетеродинного или гомодинного детектирования и имеющие угловое разрешение меньше (лучше) 20 мкрад  
 Примечание.  
 По пункту 6.1.8.10 не контролируются ЛИДАРы, специально разработанные для геодезических или метеорологических целей;  
6.1.8.11. Имеют подсистемы обработки сигнала со сжатием импульса с любой из следующих характеристик: 8526 10 000
 а) коэффициентом сжатия импульса более 150; или  
 б) шириной импульса менее 200 нс  
 Особое примечание.  
 В отношении локационных систем, оборудования и узлов, указанных в пункте 6.1.8.11, см. также пункт 6.1.6.3 раздела 2;  
6.1.8.12. Имеют подсистемы обработки данных, обеспечивающие любое из нижеследующего: 8526 10 000
 а) автоматическое сопровождение цели, обеспечивающее при любом повороте антенны определение прогнозируемого положения цели на время, превышающее время до следующего прохождения луча антенны;  
 б) вычисление скорости цели от активной РЛС, имеющей непериодическое (варьируемое) сканирование;  
 в) обработку сигнала для автоматического распознавания образов (выделение признаков) и сравнения с базами данных характеристик цели (формы сигналов или формирование изображений) для идентификации или классификации целей; или  
 г) наложение и корреляция или синтез данных о цели от двух или более пространственно распределенных и взаимосвязанных радиолокационных датчиков для усиления распознавания целей  
 Примечания:  
 1. По подпункту "а" пункта 6.1.8.12 не контролируются средства выдачи сигнала для предупреждения столкновений в системах контроля воздушного движения, морских или прибрежных РЛС  
 2. По подпункту "г" пункта 6.1.8.12 не контролируются системы, оборудование и узлы, используемые для контроля морского движения  
 Особое примечание.  
 В отношении локационных систем, оборудования и узлов, указанных в подпункте "в" пункта 6.1.8.12, см. также пункт 6.1.6.4 раздела 2 и пункт 6.1.3 раздела 3  
 Примечание.  
 По пункту 6.1.8 не контролируются:  
 а) обзорные РЛС с активным ответом;  
 б) автомобильные РЛС, предназначенные для предотвращения столкновений;  
 в) дисплеи или мониторы, используемые для управления воздушным движением (УВД), имеющие не более 12 различимых элементов на 1 мм;  
 г) метеорологические локаторы  
6.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
6.2.1. Акустика - нет  
6.2.2. Оптические датчики - нет  
6.2.3 Камеры - нет  
 Оптика  
6.2.4. Следующее оптическое оборудование:  
6.2.4.1. Оборудование для измерения абсолютной отражательной способности с погрешностью +/- 0,1% от величины отражательной способности; 9031 49 900 0
6.2.4.2. Оборудование, отличное от оборудования для измерения оптического поверхностного рассеяния, имеющее незатемненную апертуру с диаметром более 10 см, специально разработанное для бесконтактного оптического измерения неплоской фигуры (профиля) оптической поверхности с точностью 2 нм или меньше (лучше) от требуемого профиля 9031 49 900 0
 Примечание.  
 По пункту 6.2.4 не контролируются микроскопы  
6.2.5. Лазеры - нет  
6.2.6. Магнитометры - нет  
 Гравиметры  
6.2.7. Оборудование для производства, юстировки и калибровки гравиметров наземного базирования со статической точностью лучше 0,1 миллигала 9031 80 380 0
 Радиолокаторы  
6.2.8. Импульсные локационные системы для измерения поперечного сечения, имеющие длительность передаваемых импульсов 100 нс или менее, и специально разработанные для них компоненты 8526 10 000 9
 Особое примечание.  
 В отношении импульсных локационных систем, указанных в пункте 6.2.8, см. также пункт 6.2.1 разделов 2 и 3  
6.3. Материалы  
6.3.1. Акустика - нет  
 Оптические датчики  
6.3.2. Материалы оптических датчиков:  
6.3.2.1. Теллур (Te) с чистотой 99,9995% или более; 2804 50 900 0
6.3.2.2. Монокристаллы (включая пластины с эпитаксиальными слоями) любого из следующего: 3818 00 900 0;
 8107 90 000 0
 а) теллурида цинка-кадмия с содержанием цинка менее 6% по мольным долям;  
 б) теллурида кадмия (CdTe) любой чистоты; или  
 в) теллурида ртути-кадмия (HgCdTe) любой чистоты  
 Техническое примечание.  
 Мольная доля определяется отношением молей ZnTe к сумме молей CdTe и ZnTe, присутствующих в кристалле  
6.3.3. Камеры - нет  
 Оптика  
6.3.4. Следующие оптические материалы:  
6.3.4.1. Заготовки из селенида цинка (ZnSe) и сульфида цинка (ZnS), полученные химическим осаждением паров, имеющие любую из следующих характеристик: 2830 90 850 0;
 2842 90 100 0
 а) объем более 100 куб. см; или  
 б) диаметр более 80 мм и толщину 20 мм или более;  
6.3.4.2. Були следующих электрооптических материалов:  

 
 

6.3.4.2.1. Арсенат титанила-калия (КТА); 2842 90 800 0
6.3.4.2.2. Селенид серебра-галлия(AgGaSe2); 2842 90 100 0
6.3.4.2.3. Селенид таллия-мышьяка (Tl3AsSe3, известный также как TAS); 2842 90 100 0
6.3.4.3. Нелинейные оптические материалы, имеющие все следующие характеристики: 7020 00 800 0
 а) кубичную восприимчивость (хи 3) 10^(-6) кв. м/В2 или более; и  
 б) время отклика менее 1 мс;  
6.3.4.4. Заготовки карбида кремния или осажденных материалов бериллия-бериллия (Be/Be) с диаметром или длиной главной оси более 300 мм; 2849 20 000 0;
 8112 19 000 0
6.3.4.5. Стекло, в том числе кварцевое стекло, фосфатное стекло, фторофосфатное стекло, фторид циркония (ZrF4) и фторид гафния (HfF4), имеющее все следующие характеристики: 7001 00 910 0;
 7001 00 990 0;
 7020 00 800 0
 а) концентрацию гидроксильных ионов (ОН-) менее 5 частей на миллион;  
 б) интегральные уровни чистоты по металлам лучше 1 части на миллион; и  
 в) высокую однородность (флуктуацию коэффициента преломления) менее 5 x 10^(-6);  
6.3.4.6. Искусственный алмаз с поглощением менее 10^(-5) см(-1) на длине волны от 200 нм до 14 000 нм 7104 20 000 0
 Лазеры  
6.3.5. Синтетические кристаллические материалы (основа) лазера в виде заготовок:  
6.3.5.1. Сапфир, допированный титаном; 7104 20 000 0
6.3.5.2. Александрит 7104 20 000 0
6.3.6. Магнитометры - нет  
6.3.7. Гравиметры - нет  
6.3.8. Радиолокаторы - нет  
6.4. Программное обеспечение  
6.4.1. Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 6.1.4, 6.1.5, 6.1.8 или 6.2.8  
 Особое примечание.  
 В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 6.4.1, см. также пункт 6.4.1 разделов 2 и 3  
6.4.2. Программное обеспечение, специально разработанное для использования оборудования, контролируемого по пункту 6.1.2.2, 6.1.8 или 6.2.8  
6.4.3. Иное программное обеспечение, кроме указанного в пунктах 6.4.1 и 6.4.2:  
 Акустика  
6.4.3.1. Программное обеспечение следующих видов:  
6.4.3.1.1. Программное обеспечение, специально разработанное для формирования акустического луча при обработке в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема с использованием буксируемых гидрофонных решеток;  
6.4.3.1.2. Исходная программа для обработки в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема с использованием буксируемых гидрофонных решеток;  
6.4.3.1.3. Программное обеспечение, специально разработанное для формирования акустического луча при обработке акустических данных в реальном масштабе времени при пассивном приеме донными или погруженными кабельными системами;  
6.4.3.1.4. Исходная программа для обработки в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема донными или погруженными кабельными системами  
 Особое примечание.  
 В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 6.4.3.1, см. также пункт 6.4.2 разделов 2 и 3;  
6.4.3.2. Оптические датчики - нет;  
6.4.3.3. Камеры - нет;  
6.4.3.4. Оптика - нет;  
6.4.3.5. Лазеры - нет;  
 Магнитометры  
6.4.3.6. Программное обеспечение следующих видов:  
6.4.3.6.1. Программное обеспечение, специально разработанное для магнитокомпенсационных систем для магнитных датчиков, разработанных в целях работы на подвижных платформах;  
6.4.3.6.2. Программное обеспечение, специально разработанное для обнаружения магнитных аномалий на подвижных платформах;  
 Гравиметры  
6.4.3.7. Программное обеспечение, специально разработанное для коррекции влияния движения гравиметров или гравитационных градиентометров;  
 Радиолокаторы  
6.4.3.8. Программное обеспечение следующих видов:  
6.4.3.8.1. Программы для применения программного обеспечения для управления воздушным движением, установленные на компьютерах общего назначения, находящихся в центрах управления воздушным движением и обладающих любой из следующих возможностей:  
 а) одновременной обработкой и отображением более 150 траекторий систем; или  
 б) приемом радиолокационной информации о целях от более чем четырех активных РЛС;  
6.4.3.8.2. Программное обеспечение для разработки или производства обтекателей антенн радиолокаторов, которые:  
 а) специально разработаны для защиты фазированных антенных решеток с электронным управлением диаграммой направленности, контролируемых по пункту 6.1.8.5; и  
 б) обеспечивают средний уровень боковых лепестков более чем на 40 дБ ниже максимального уровня главного луча  
 Техническое примечание.  
 Средний уровень боковых лепестков, указанный в подпункте "б" пункта 6.4.3.8.2, измеряется целиком для всей решетки, за исключением диапазона углов, в который входят главный луч и первые два боковых лепестка по обе стороны главного луча  
6.5. Технология  
6.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования, материалов или программного обеспечения, контролируемых по пунктам 6.1 - 6.4  
 Особое примечание.  
 В отношении технологий, указанных в пункте 6.5.1, см. также пункт 6.5.1 разделов 2 и 3  
6.5.2. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования или материалов, контролируемых по пункту 6.1, 6.2 или 6.3  
 Особое примечание.  
 В отношении технологий, указанных в пункте 6.5.2, см. также пункт 6.5.2 разделов 2 и 3  
6.5.3. Другие технологии:  
6.5.3.1. Акустика - нет;  
6.5.3.2. Оптические датчики - нет;  
6.5.3.3. Камеры - нет;  
 Оптика  
6.5.3.4. Технологии следующих видов:  
6.5.3.4.1. Технология покрытия и обработки оптических поверхностей, требуемая для достижения однородности 99,5% или лучше, для оптических покрытий диаметром или длиной главной оси более 500 мм и с общими потерями (поглощение и рассеяние) менее 5 x 10(-3)  
 Особое примечание.  
 См. также пункт 2.5.3.6;  
6.5.3.4.2. Технология изготовления оптических изделий, использующая технику алмазной обработки, дающей точность финишной обработки неплоских поверхностей площадью более 0,5 кв. м с наибольшим среднеквадратичным отклонением от заданной поверхности менее 10 нм;  
 Лазеры  
6.5.3.5. Технологии, требуемые для разработки, производства или использования специализированных диагностических инструментов или мишеней в испытательных установках для испытаний лазеров сверхвысокой мощности или испытаний, или оценки стойкости материалов, облучаемых лучами лазеров сверхвысокой мощности;  
6.5.3.6. Магнитометры - нет  
6.5.3.7. Гравиметры - нет  
6.5.3.8. Радиолокаторы - нет  

 
    

КАТЕГОРИЯ 7. НАВИГАЦИЯ И АВИАЦИОННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА  
   
7.1. Системы, оборудование и компоненты  
 Особое примечание.  
 Для автоматических систем управления подводных аппаратов - см. категорию 8, для РЛС - категорию 6  
7.1.1. Линейные акселерометры, разработанные для использования в инерциальных системах навигации или наведения и имеющие любую из следующих характеристик, и специально разработанные для них компоненты: 9014 20;
 9032 89 000 0
 а) стабильность смещения меньше (лучше) 130 микро g относительно фиксированной калиброванной величины на протяжении периода в 1 год;  
 б) стабильность масштабного коэффициента меньше (лучше) 0,013% относительно фиксированной калиброванной величины на протяжении периода в 1 год; или  
 в) предназначенные для работы при линейных ускорениях, превышающих 100 g  
 Особое примечание.  
 Для угловых или вращающихся акселерометров см. пункт 7.1.2  
7.1.2. Гироскопы и угловые или вращающиеся акселерометры, имеющие любую из следующих характеристик, и специально разработанные для них компоненты: 9014 20 200 0;
 9032 89 000 0
 а) стабильность скорости дрейфа, измеренную в условиях приложения нормальной силы тяжести (1 g) на протяжении периода в 1 месяц относительно фиксированной калибровочной величины:  
 меньше (лучше) 0,1 град. в час для предназначенных (по паспорту) для работы при линейных ускорениях ниже 12 g; или  
 меньше (лучше) 0,5 град. в час для предназначенных (по паспорту) для работы при линейных ускорениях от 12 g до 100 g включительно;  
 б) угловой случайный дрейф, равный или меньше (лучше) 0,0035 градуса, деленного на корень квадратный из времени в часах; или  
 Примечание.  
 По подпункту "б" пункта 7.1.2 не контролируются гироскопы с вращающейся массой (гироскопы с вращающейся массой - гироскопы, использующие непрерывно вращающуюся массу для определения углового перемещения)  
 Техническое примечание.  
 Для целей подпункта "б" пункта 7.1.2 угловой случайный дрейф - угловое отклонение, накопленное со временем, в результате белого шума на угловой частоте (стандарт IEEE STD 528-2001)  
 в) предназначены (по паспорту) для работы при линейных ускорениях, превышающих 100 g  
7.1.3. Инерциальные системы и специально разработанные компоненты:  
7.1.3.1. Инерциальные навигационные системы 9014 10 000 0;
 (ИНС) на кардановом подвесе или бесплатформенные и инерциальное оборудование, разработанное для летательных аппаратов, наземных средств передвижения, судов (надводных или подводных) или космических аппаратов для ориентации в пространстве, наведения или управления, имеющие любую из следующих характеристик, и специально разработанные для них компоненты: 9014 20
 а) навигационную ошибку (чисто инерциальную) после нормальной выставки от 0,8 морской мили (1500 м) в час кругового вероятного отклонения (КВО) или меньше (лучше); или  
 б) предназначенные для работы при линейных ускорениях выше 10 g;  
7.1.3.2. Гибридные инерциальные навигационные системы, сопряженные с глобальной навигационной спутниковой системой (системами) (GNSS) или с навигационной системой (системами) на основе эталонных баз данных (DBRN) для определения положения в пространстве, наведения или управления после нормальной выставки, имеющие навигационную точность определения местоположения ИНС после потери связи с GNSS или DBRN на время до 4 минут меньше (лучше) 10 м КВО  
7.1.3.3. Инерциальное оборудование для указания азимута, курса или севера, имеющее любую из следующих характеристик, а также специально разработанные компоненты для него: 9014 10 000 0;
 9014 20;
 9014 80 000 0;
 9014 90 000 0
 а) разработанное для указания азимута, курса или севера со среднеквадратичной погрешностью, равной 6 угловым минутам или менее (лучше) от действующего значения на 45 град. широты; или  
 б) разработанное с уровнем ударной нагрузки до нерабочего состояния в 900 g и более при продолжительности в 1 мс или более  
 Примечания:  
 1. Параметры, указанные в пунктах 7.1.3.1 и 7.1.3.2, применимы для любого из следующих условий среды:  
 а) суммарная эффективная случайная вибрация на входе равна 7,7 g (среднеквадратичная величина) в первые полчаса и полная продолжительность испытания вдоль каждой из трех взаимно перпендикулярных осей составляет полтора часа, при этом случайная вибрация характеризуется следующими параметрами:  
 постоянная величина спектральной плотности мощности 0,04 g(2)/Гц в частотном интервале от 15 Гц до 1000 Гц; и  
 спектральная плотность мощности спадает в зависимости от частоты от 0,04 g(2)/Гц до 0,01 g(2)/Гц в частотном интервале от 1000 Гц до 2000 Гц;  
 б) скорости крена и рыскания равны или больше +2,62 рад/с (150 град./с); или  
 в) условий, указанных в национальных стандартах, положения которых эквивалентны пунктам "а" и "б" настоящего примечания  
 2. По пункту 7.1.3 не контролируются инерциальные навигационные системы, сертифицированные для применения на гражданских летательных аппаратах  
 3. По подпункту "а" пункта 7.1.3.3 не контролируются теодолитовые системы, включающие инерциальное оборудование, специально разработанные для гражданских исследовательских целей  
 Технические примечания:  
 1. К системам, указанным в пункте 7.1.3.2, относятся как ИНС, так и другие независимые навигационные вспомогательные средства, которые встраиваются (вставляются) в отдельную конструкцию и объединяются в целях достижения улучшенных характеристик  
 2. Круговое вероятное отклонение - это радиус круга в круговом нормальном распределении, включающего 50% проведенных отдельных измерений, или радиус круга, в котором распределяется 50% вероятности нахождения в нем  
7.1.4. Гироастрокомпасы и другие устройства, которые обеспечивают определение местоположения или ориентацию посредством автоматического слежения за небесными телами или спутниками с точностью по азимуту, равной или меньше (лучше) 5 угловых секунд 9014 20;
 9014 80 000 0
7.1.5. Приемная аппаратура глобальных навигационных спутниковых систем (GPS или ГЛОНАСС), имеющая любую из следующих характеристик, и специально разработанные для нее компоненты: 9014 20;
 9014 80 000 0
 а) использующая дешифровку; или  
 б) использующая антенну с управляемым положением нуля диаграммы направленности  
7.1.6. Бортовые альтиметры, работающие на частотах вне полосы от 4,2 ГГц до 4,4 ГГц включительно, имеющие любую из следующих характеристик: 8526 10 000 9;
 8526 91 200 0
 а) имеют управление мощностью; или  
 б) используют амплитудную модуляцию с фазовым сдвигом  
7.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
7.2.1. Оборудование для испытаний, калибровки или юстировки, специально разработанное для оборудования, контролируемого по пункту 7.1 9031 10 000 0;
 9031 20 000 0;
 9031 80
 Примечание.  
 По пункту 7.2.1 не контролируется оборудование для испытаний, калибровки или юстировки для технического обслуживания по первому или второму уровню  
 Технические примечания:  
 1. Техническое обслуживание по первому уровню.  
 Повреждение инерциального навигационного устройства на летательном аппарате обнаруживается по показаниям устройства контроля и отображения информации или по сообщению сигнализации от соответствующей подсистемы. Следуя инструкциям руководства по эксплуатации, определяется заменяемый блок, являющийся причиной нарушения. Затем оператор заменяет этот блок запасным  
 2. Техническое обслуживание по второму уровню.  
 Неисправный заменяемый блок отправляется в ремонтную организацию (непосредственно производителю или организации, ответственной за техническое обслуживание по второму уровню). В ремонтной организации неисправный блок испытывается соответствующими средствами в целях проверки и поиска неисправного модуля сборки. Эта сборка заменяется запасной в заводских условиях. Поврежденная сборка (или, возможно, блок целиком) возвращается изготовителю. Техническое обслуживание по второму уровню не включает извлечение подпадающих под контроль акселерометров и гироскопических датчиков из заменяемой в заводских условиях сборки  

 
 

7.2.2. Оборудование, специально разработанное для измерения характеристик зеркал кольцевых лазерных гироскопов:  
7.2.2.1. Рефлектометры, имеющие точность измерений в 10 миллионных долей или меньше (лучше); 9031 80
7.2.2.2. Профилометры, имеющие точность измерений в 0,5 нм (5 ангстрем) или меньше (лучше) 9031 80
7.2.3. Оборудование, специально разработанное для производства оборудования, контролируемого по пункту 7.1 8413;
 8421 19 200;
 8421 19 700;
 9031 10 000 0;
  9031 20 000 0;
  9031 80
 Примечание.  
 Пункт 7.2.3 включает:  
 а) испытательные установки для регулирования гироскопов;  
 б) установки для динамической балансировки гироскопов;  
 в) установки для испытания гиромоторов;  
 г) установки для наполнения и откачки рабочего вещества гироскопа;  
 д) центрифуги для гироподшипников;  
 е) установки для выравнивания осей акселерометра  
7.3. Материалы - нет  
7.4. Программное обеспечение  
7.4.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 7.1 или 7.2  
7.4.2. Исходная программа для использования в любом инерциальном навигационном оборудовании, включая инерциальное оборудование, не контролируемое по пункту 7.1.3 или 7.1.4, либо в инерциальных курсовертикалях  
 Примечание.  
 По пункту 7.4.2 не контролируются исходные программы для использования в инерциальных курсовертикалях с кардановым подвесом  
 Техническое примечание.  
 Инерциальная курсовертикаль, как правило, отличается от инерциальной навигационной системы (ИНС) тем, что она обеспечивает информацией об угловых координатах летательного аппарата и обычно не дает информации об ускорении, скорости и пространственных координатах, которую дают ИНС  
 Особое примечание.  
 В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 7.4.2, см. также пункт 7.4.1 раздела 2  
7.4.3. Иное программное обеспечение, кроме указанного в пунктах 7.4.1 и 7.4.2:  
7.4.3.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для улучшения эксплуатационных характеристик или уменьшения навигационной ошибки систем до уровней, указанных в пункте 7.1.3 или 7.1.4  
 Особое примечание.  
 В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 7.4.3.1, см. также пункт 7.4.2.1 раздела 2 и пункт 7.4.1 раздела 3;  
7.4.3.2. Исходная программа для гибридных интегрированных систем, которые улучшают эксплуатационные характеристики или уменьшают навигационную ошибку систем до уровней, указанных в пункте 7.1.3, при непрерывном комбинировании инерциальных данных с данными любой из следующих систем:  
 а) допплеровского определителя скорости;  
 б) глобальной навигационной спутниковой системы (GPS или ГЛОНАСС); или  
 в) навигационных систем на основе эталонных баз данных (DBRN)  
 Особое примечание.  
 В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 7.4.3.2, см. также пункт 7.4.2.2 раздела 2 и пункт 7.4.2 раздела 3;  
7.4.3.3. Исходная программа для интегрированных авиационных или космических систем, которая объединяет данные измерений датчиков и использует экспертные системы  
 Особое примечание.  
 В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 7.4.3.3, см. также пункт 7.4.2.3 раздела 2;  
7.4.3.4. Исходная программа для разработки любого из следующего:  
7.4.3.4.1. Цифровых систем управления полетом для общего управления полетом;  
7.4.3.4.2. Интегрированных систем управления двигателями и полетом;  
7.4.3.4.3. Электродистанционных или оптико-дистанционных систем управления полетом;  
7.4.3.4.4. Отказоустойчивых или реконфигурируемых активных систем управления полетом;  
7.4.3.4.5. Бортового автоматического радиопеленгационного оборудования;  
7.4.3.4.6. Систем воздушных сигналов, основанных на измерении статического давления на поверхности летательного аппарата; или  
7.4.3.4.7. Растровых индикаторов, проецирующих показания приборов на лобовом стекле, или трехмерных дисплеях  
 Особое примечание.  
 В отношении программного обеспечения, указанного в пунктах 7.4.3.4.1 - 7.4.3.4.4 и 7.4.3.4.7, см. также пункты 7.4.2.4 - 7.4.2.4.5 раздела 2;  
7.4.3.5. Программное обеспечение систем автоматизированного проектирования, специально разработанное для разработки активных систем управления полетом, многоканальных систем электродистанционного или оптико-дистанционного управления вертолетом или систем управления циркуляцией в целях создания управляющих сил и моментов или компенсации реактивного момента ротора вертолета, технологии разработки которых контролируются по пункту 7.5.4.2, 7.5.4.3.1 или 7.5.4.3.2  
7.5. Технология  
7.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 7.1, 7.2 или 7.4  
 Особое примечание.  
 В отношении технологий, указанных в пункте 7.5.1, см. также пункт 7.5.1 раздела 2  
7.5.2. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования, контролируемого по пункту 7.1 или 7.2  
 Особое примечание.  
 В отношении технологий, указанных в пункте 7.5.2, см. также пункт 7.5.2 раздела 2  
7.5.3. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для ремонта, капитального ремонта или восстановления оборудования, контролируемого по пунктам 7.1.1 - 7.1.4  
 Примечание.  
 По пункту 7.5.3 не контролируются технологии технического обслуживания, непосредственно связанного с калибровкой, демонтажом или заменой неисправных или непригодных к эксплуатации блоков аппаратуры гражданских летательных аппаратов, заменяемых эксплуатирующей или ремонтной организацией в соответствии с процедурами, описанными в технических примечаниях к пункту 7.2.1  
7.5.4. Иные технологии, кроме указанных в пунктах 7.5.1 - 7.5.3:  
7.5.4.1. Технологии разработки или производства:  
7.5.4.1.1. Бортового автоматического радиопеленгационного оборудования, работающего на частотах выше 5 МГц;  

 
 

7.5.4.1.2. Систем воздушных сигналов, основанных только на измерении статического давления на поверхности летательного аппарата, то есть систем, в которых не используются обычные датчики воздушных параметров;  
7.5.4.1.3. Растровых индикаторов, проецирующих показания приборов на лобовое стекло, или трехмерных дисплеев;  
7.5.4.1.4. Инерциальных навигационных систем или гироастрокомпасов, содержащих в себе акселерометры или гироскопы, контролируемые по пункту 7.1.1 или 7.1.2;  
7.5.4.1.5. Электрических приводов (то есть электромеханических, электрогидравлических и интегрированных исполнительных блоков), специально разработанных для основной системы управления полетом (прямого управления полетом);  
7.5.4.1.6. Распределенных оптических датчиков, использующих лучи лазера (групп оптических датчиков системы управления полетом), специально разработанных для применения в активных системах управления полетом;  
7.5.4.2. Технологии разработки, необходимые для активных систем управления полетом (включая электродистанционные и оптико-дистанционные системы управления):  
7.5.4.2.1. Конфигураций, предназначенных для связи множества микропроцессоров (бортовых компьютеров), реализующих законы управления в реальном масштабе времени;  
7.5.4.2.2. Алгоритмов управления с компенсацией влияния расположения датчиков или динамических нагрузок на конструкцию летательного аппарата, то есть с компенсацией вибрационного фона датчика или смещения датчиков относительно центра тяжести;  
7.5.4.2.3. Электронного управления резервированием данных или системным резервированием для выявления отказа, повышения отказоустойчивости, локализации отказа или реконфигурации  
 Примечание.  
 По пункту 7.5.4.2.3 не контролируется технология проектирования физического запаса;  
7.5.4.2.4. Управления летательным аппаратом, которое позволяет автономно изменять структуру сил и моментов в полете в реальном масштабе времени;  
7.5.4.2.5. Объединения цифровых систем управления полетом, навигации и управления двигательной установкой в интегрированную цифровую систему управления полетом  
 Примечание.  
 По пункту 7.5.4.2.5 не контролируются:  
 а) технологии разработки интегрированных цифровых систем управления полетом, навигации и управления двигательной установкой для оптимизации траектории полета;  
 б) технологии разработки интегрированных авиационных средств навигации при посадке и заходе на посадку, объединяющих навигационную информацию, поступающую от различных инструментальных средств обеспечения посадки;  
7.5.4.2.6. Полностью автономной цифровой системы управления полетом или управления многодатчиковыми системами, в которых используются экспертные системы  
 Особое примечание.  
 Для технологий электронно-цифровой системы управления двигателем (FADEC) см. пункт 9.5.3.1.9;  
7.5.4.3. Технология разработки следующих вертолетных систем:  
7.5.4.3.1. Многокоординатных средств электродистанционного или оптико-дистанционного управления, в которых по крайней мере две из следующих функций объединяются в один управляющий элемент:  
 а) общее управление;  
 б) управление креном;  
 в) управление рысканием;  
7.5.4.3.2. Систем управления циркуляцией для создания управляющих сил и моментов или компенсации реактивного момента ротора вертолета;  
7.5.4.3.3. Лопастей несущего винта, сконструированных с использованием аэродинамических профилей с изменяемой геометрией для систем с индивидуально управляемыми лопастями  

 
    

КАТЕГОРИЯ 8. МОРСКОЕ ДЕЛО  
   
8.1. Системы, оборудование и компоненты  
8.1.1. Подводные аппараты и надводные суда:  
 Особое примечание.  
 Для оценки контрольного статуса оборудования подводных аппаратов необходимо руководствоваться: для оборудования передачи зашифрованной информации - частью 2 категории 5 (Защита информации);  
 применительно к датчикам - категорией 6; для навигационного  
 оборудования - категориями 7 и 8; для подводного оборудования - пунктом 8.1  
8.1.1.1. Обитаемые, привязанные к базе подводные аппараты, предназначенные для работы на глубинах более 1000 м; 8906 90 100 0;
 8906 90 990 0
8.1.1.2. Обитаемые, непривязные подводные аппараты, имеющие любую из следующих характеристик:  
8.1.1.2.1. Спроектированные для работы в автономном режиме и имеющие все следующие характеристики по подъемной силе: 8906 90 100 0;
 8906 90 990 0
 а) 10% или более их собственного веса (веса в воздухе); и  
 б) 15 кН или более;  
8.1.1.2.2. Спроектированные для работы на глубинах более 1000 м; или 8906 90 100 0;
 8906 90 990 0
8.1.1.2.3. Имеющие все следующие характеристики: 8906 90 100 0;
 8906 90 990 0
 а) экипаж из четырех или более человек;  
 б) возможность автономной работы в течение 10 часов или более;  
 в) радиус действия 25 морских миль или более; и  
 г) длину 21 м или менее  
 Технические примечания:  
 1. Для целей пункта 8.1.1.2 термин "автономная работа" означает, что аппараты полностью погружаются без шнорхеля, все их системы функционируют и обеспечивают плавание на минимальной скорости, при которой глубиной погружения можно безопасно управлять в динамике с использованием только глубинных рулей без участия надводного судна поддержки или базы на поверхности, на дне или на берегу; аппараты имеют двигательную установку для движения в подводном и надводном состоянии  
 2. Для целей пункта 8.1.1.2 термин "радиус действия" означает половину максимального расстояния, которое может преодолеть подводный аппарат  
 Особое примечание.  
 В отношении подводных аппаратов, указанных в пунктах 8.1.1.2 - 8.1.1.2.3, см. также пункты 8.1.1.1 - 8.1.1.1.3 разделов 2 и 3;  
8.1.1.3. Необитаемые, привязанные к базе подводные аппараты, работоспособные на глубинах более 1000 м, имеющие любую из следующих характеристик:  
8.1.1.3.1. Разработанные для самостоятельных маневров с применением движителей или тяговых установок, контролируемых по пункту 8.1.2.1.2; или 8906 90 100 0;
 8906 90 990 0
8.1.1.3.2. Имеющие волоконно-оптические каналы передачи данных 8906 90 100 0;
 8906 90 990 0
 Особое примечание.  
 В отношении подводных аппаратов, указанных в пунктах 8.1.1.3 - 8.1.1.3.2, см. также пункты 8.1.1.2 - 8.1.1.2.2 раздела 2;  
8.1.1.4. Необитаемые, непривязные подводные аппараты, имеющие любую из следующих характеристик:  
8.1.1.4.1. Разработанные для прокладки курса по отношению к любому географическому ориентиру в реальном масштабе времени без участия человека; 8906 90 100 0;
 8906 90 990 0
8.1.1.4.2. Имеющие акустическую связь для передачи данных или команд; или 8906 90 100 0;
 8906 90 990 0
8.1.1.4.3. Имеющие волоконно-оптическую связь для передачи данных или команд на расстояние более 1000 м 8906 90 100 0;
 8906 90 990 0
 Особое примечание.  
 В отношении подводных аппаратов, указанных в пунктах 8.1.1.4 - 8.1.1.4.3, см. также пункты 8.1.1.3 - 8.1.1.3.3 раздела 2 и пункты 8.1.1.2 - 8.1.1.2.3 раздела 3;  
8.1.1.5. Океанские системы спасения с подъемной силой, превышающей 5 МН, для спасения объектов с глубин более 250 м, и имеющие любую из следующих составляющих: 8905 90 100 0;
 8906 90 100 0
 а) системы динамического позиционирования с максимально допустимым отклонением от точки, задаваемой навигационной системой, не более 20 м; или  
 б) системы придонной навигации и интегрированные навигационные системы для глубин более 1000 м с точностью позиционирования не хуже 10 м;  

 
 

8.1.1.6. Суда на воздушной подушке с полностью гибкой юбкой (завесой воздушной подушки), имеющие все следующие характеристики: 8906 90 100 0;
 8906 90 990 0
 а) максимальную проектную скорость при полной загрузке более 30 узлов при характерной высоте волны 1,25 м или более (состояние моря - 3 балла);  
 б) давление в воздушной подушке выше 3830 Па; и  
 в) отношение водоизмещения незагруженного и полнозагруженного судна менее 0,70;  
8.1.1.7. Суда на воздушной подушке с жесткими бортами (с неизменяемой геометрией) с максимальной проектной скоростью, превышающей 40 узлов при полной загрузке и при характерной высоте волны 3,25 м или более (состояние моря - 5 баллов); 8906 90 100 0;
 8906 90 990 0
8.1.1.8. Суда на подводных крыльях с активными системами для автоматического управления крыльевыми устройствами, с максимальной проектной скоростью 40 узлов или более при полной загрузке и характерной высоте волны 3,25 м или более (состояние моря - 5 баллов); 8906 90 100 0;
 8906 90 990 0
8.1.1.9. Суда с малой площадью ватерлинии, имеющие любую из следующих характеристик: 8906 90 100 0;
 8906 90 990 0
 а) водоизмещение при полной загрузке более 500 тонн с максимальной проектной скоростью более 35 узлов при полной загрузке и характерной высоте волны 3,25 м или более (состояние моря - 5 баллов); или  
 б) водоизмещение при полной загрузке более 1500 тонн с максимальной проектной скоростью более 25 узлов при полной загрузке и характерной высоте волны 4 м или более (состояние моря - 6 баллов)  
 Техническое примечание.  
 Судно принадлежит к категории судов с малой площадью ватерлинии, если площадь ватерлинии при расчетной рабочей осадке меньше произведения: 2 x (водоизмещение при расчетной рабочей осадке)^(2/3)  
8.1.2. Системы и оборудование:  
 Примечание.  
 Для систем подводной связи см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации)  
8.1.2.1. Системы и оборудование, специально разработанные или модифицированные для подводных аппаратов, предназначенных для работы на глубинах, превышающих 1000 м:  
8.1.2.1.1. Прочные корпуса или оболочки с максимальным внутренним диаметром камеры, превышающим 1,5 м; 8905 90 100 0;
 8906 90 990 0
8.1.2.1.2. Движители или тяговые установки, приводимые в движение электродвигателями постоянного тока; 8501 33 000 2;
 8501 33 000 9;
 8501 34 500 0;
 8501 34 980 0
8.1.2.1.3. Кабели и разъемы для них, использующие оптическое волокно и имеющие силовые элементы из синтетических материалов; 7326 90 980 0;
 8544 70 000 0;
 9001 10
8.1.2.2. Системы, специально разработанные или модифицированные для автоматического управления движением подводных аппаратов, контролируемых по пункту 8.1.1, использующие навигационные данные и имеющие сервоуправление с замкнутым контуром: 9014 80 000 0
 а) позволяющие аппарату перемещаться вблизи заданного горизонта в пределах 10 м;  
 б) удерживающие аппарат в пределах 10 м относительно заданного горизонта; или  
 в) удерживающие аппарат в пределах 10 м при следовании по кабелю, лежащему на дне или заглубленному в грунт  
 Особое примечание.  
 В отношении систем автоматического управления движением подводных аппаратов, указанных в пункте 8.1.2.2, см. также пункт 8.1.2.1 раздела 2;  
8.1.2.3. Волоконно-оптические вводы в корпус или соединители; 7326 90 980 0;
 8544 70 000 0;
  9001 10
8.1.2.4. Подводные видеосистемы:  
8.1.2.4.1. Телевизионные системы и телевизионные камеры:  
8.1.2.4.1.1. Телевизионные системы (включающие камеру, аппаратуру контроля и передачи сигнала), имеющие предельное разрешение более 800 линий при измерении разрешения в воздушной среде и специально разработанные или модифицированные для дистанционной работы с подводным аппаратом; 8517 61 000 9;
 8517 69 900 0;
 8525 50 000 0
8.1.2.4.1.2. Подводные телекамеры, имеющие предельное разрешение более 1100 линий при измерении разрешения в воздушной среде; 8525 80 190 0
8.1.2.4.1.3. Телевизионные камеры для съемки объектов с низким уровнем освещенности, специально разработанные или модифицированные для использования под водой и содержащие все следующие составляющие: 8525 80 110 0;
 8525 80 190 0
 а) электронно-оптические преобразователи, которые контролируются по пункту 6.1.2.1.2.1; и  
 б) более 150 000 активных пикселей на площади твердотельного приемника  
 Техническое примечание.  
 Предельное разрешение в телевидении измеряется горизонтальным разрешением, обычно выраженным в максимальном числе линий по высоте изображения, различаемых на тестовой таблице, использующей стандарт IEEE 208/1960 или любой эквивалент этого стандарта;  
8.1.2.4.2. Системы, специально разработанные или модифицированные для дистанционного управления подводным аппаратом, в которых использованы способы минимизации эффектов обратного рассеяния, включающие в себя разнесенные излучатели с селекторным импульсом дальности или лазерные системы; 8526 91;
 9031 80 910 0
8.1.2.5. Фотодиапозитивные камеры, специально разработанные или модифицированные для подводного применения на глубинах более 150 м, имеющие формат ленты 35 мм или более и любую из следующих составляющих: 9006 53;
 9006 59 000 9
 а) аннотацию ленты данными, поступающими в камеру от внешних источников;  
 б) автоматическую обратную коррекцию фокусного расстояния; или  
 в) автоматическое управление компенсацией, специально разработанное для обеспечения возможности использования бокса подводной камеры на глубинах, превышающих 1000 м;  
8.1.2.6. Электронные системы формирования сигналов изображения, специально разработанные или модифицированные для подводного использования, способные хранить в цифровом формате более 50 экспонированных кадров; 8517 61 000 9;
 8517 69 900 0;