Присоединяйтесь!
Зарегистрированных пользователей портала: 506 374. Присоединяйтесь к нам, зарегистрироваться очень просто →
Законодательство
Законодательство

ПОСТАНОВЛЕНИЕ Правительства РФ от 08.09.2011 N 763 "О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ФЕДЕРАЛЬНУЮ ЦЕЛЕВУЮ ПРОГРАММУ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008 - 2015 ГОДЫ"

Дата документа08.09.2011
Статус документаДействует
МеткиПостановление

    

ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

 

ПОСТАНОВЛЕНИЕ
от 8 сентября 2011 г. N 763

 

О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ФЕДЕРАЛЬНУЮ ЦЕЛЕВУЮ ПРОГРАММУ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008 - 2015 ГОДЫ

 
    Правительство Российской Федерации постановляет:
    Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы, утвержденную Постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. N 809 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, N 51, ст. 6361; 2009, N 9, ст. 1130).
 

Председатель Правительства
Российской Федерации
В.ПУТИН

 
 
 

УТВЕРЖДЕНЫ
Постановлением Правительства
Российской Федерации
от 8 сентября 2011 г. N 763

 

ИЗМЕНЕНИЯ, КОТОРЫЕ ВНОСЯТСЯ В ФЕДЕРАЛЬНУЮ ЦЕЛЕВУЮ ПРОГРАММУ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008 - 2015 ГОДЫ

 
    1. В паспорте Программы:
    а) позицию, касающуюся государственных заказчиков Программы, изложить в следующей редакции:
 

"Государственные - Министерство промышленности и торговли
заказчики ПрограммыРоссийской Федерации,
 Федеральное космическое агентство,
 Министерство образования и науки
 Российской Федерации,
 Федеральная служба по техническому и
 экспортному контролю, Государственная
 корпорация по атомной энергии "Росатом";

 
    б) в позиции, касающейся важнейших целевых индикатора и показателей:
    в абзаце втором слова "Ожидается, что в 2008 году в организациях микроэлектроники будет освоен технологический уровень 0,18 мкм, что обеспечит" заменить словами "В организациях микроэлектроники в 2008 году освоен технологический уровень 0,18 мкм, что позволило обеспечить";
    в абзаце третьем цифры "0,09" заменить цифрами "0,13";
    в абзаце пятом цифры "64" заменить цифрами "62", цифры "117" заменить цифрами "114";
    в) в позиции, касающейся объемов и источников финансирования Программы:
    в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366";
    в абзаце втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71", цифры "66000" заменить цифрами "63908,3", цифры "44000" заменить цифрами "42936,41";
    в абзаце третьем цифры "77000" заменить цифрами "72379,656;
    г) в позиции, касающейся ожидаемых конечных результатов реализации Программы и показателей социально-экономической эффективности:
    в абзаце тринадцатом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4", цифры "125045,9" заменить цифрами "131640";
    в абзаце четырнадцатом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8".
    2. Предложения третье и четвертое абзаца четвертого подраздела, касающегося целевых индикатора и показателей реализации Программы, раздела II заменить текстом следующего содержания: "В результате реализации Программы в 41 организации электронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации будут созданы центры проектирования, а в 96 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение. Кроме того, техническое перевооружение будет осуществлено в одной организации, подведомственной Федеральной службе по техническому и экспортному контролю. Также к 2015 году центры проектирования будут созданы в 21 организации Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", Федерального космического агентства и Министерства образования и науки Российской Федерации, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, а в 17 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение.".
    3. В разделе IV:
    а) в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366";
    б) в абзаце втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71";
    в) в абзаце третьем цифры "66000" заменить цифрами "63908,3";
    г) в абзаце четвертом цифры "44000" заменить цифрами "42936,41";
    д) в абзаце пятом цифры "77000" заменить цифрами "72379,656";
    е) в абзаце седьмом цифры "33000" заменить цифрами "32500".
    4. В абзаце десятом раздела V слова "Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное агентство по образованию" заменить словами "Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральная служба по техническому и экспортному контролю".
    5. В разделе VI:
    а) в абзаце пятом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4";
    б) в абзаце шестом цифры "64374,4" заменить цифрами "64554,9";
    в) в абзаце седьмом цифры "125045,9" заменить цифрами "131640";
    г) в абзаце девятом цифры "1,52" заменить цифрами "1,54";
    д) в абзаце десятом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8".
    6. Приложения N 1 - 4 к указанной Программе изложить в следующей редакции:
 
 
 

Приложение N 1
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы
(в редакции Постановления
Правительства Российской Федерации
от 8 сентября 2011 г. N 763)

 

ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008 - 2015 ГОДЫ

 

Единица измерения 2007 год 2008 год 2009 год 2010 год 2011 год 2012 год 2013 год 2014 год 2015 год
  Индикатор         
Достигаемый технологический уровень электроники мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,09 0,09 0,09 0,09 0,045
  Показатели         
Увеличение объемов продаж изделий электронной и радиоэлектронной техники млрд. рублей 19 58 70 95 130 170 210 250 300
Количество разработанных базовых технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом) - 3 - 5 16 - 20 80 - 90 125 - 135 179 - 185 210 230 250 260 - 270
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом) - 1 8 10 14 30 30 31 31 42
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - - - - - 1 1 1 4 4
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - - - - - - 1 3 3 10
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минобрнауки России, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - - 1 1 2 2 3 5 5 7
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом) - - 1 5 8 18 21 25 25 96
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях ФСТЭК России (нарастающим итогом) - - - - - - 1 1 1 1
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - -  - - - - 1 1 9
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - - - - - - - 1 1 8
Количество завершенных поисковых технологических научно-исследовательских работ (нарастающим итогом) - 1 3 9 9 - 10 10 - 12 12 - 14 14 - 16 16 - 18 20 - 22
Количество реализованных мероприятий по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом) - 4 11 - 12 16 - 20 22 - 25 36 - 40 41 - 45 45 - 50 50 - 55 55 - 60
Количество создаваемых рабочих мест (нарастающим итогом) - 450 1020 - 1050 1800 - 2200 3000 - 3800 3800 - 4100 4100 - 4400 4400 - 4700 4700 - 5000 5000 - 6000

 
 
 

Приложение N 2
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы (в редакции
Постановления Правительства
Российской Федерации
от 8 сентября 2001 г. N 763

 

ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008 - 2015 ГОДЫ

 

Мероприятия 2008 - 2015 годы - всего В том числе Ожидаемые результаты
2008 год 2009 год 2010 год 2011 год 2012 год 2013 год 2014 год 2015 год
I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника
1. Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы A B 3 5 128,624
------
84
66
-
44
62,624
-----
40
      создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы A B для бортовой и 3 5 наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
           
2. Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона 208,25
-----
137,7
 30,5
---
20
39,5
---
26
53,25
----
35,5
31,8
---
21,2
53,2
---
35
  создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемопередающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы A B для 3 5 бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
3. Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур 212,75
------
134,75
141,75
----
87,75
71
-
47
      создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации (2009 год)
4. Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур 531
--
375
 20
-
17
77,5
---
65
163,5
---
109
118
--
80
152
--
104
  создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для техники связи, радиолокации (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
5. Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложнофункциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий" 149,257
------
101,7
85,757
----
59,7
63,5
---
42
      создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
6. Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий" 248,55
-----
158,1
 5,6
--
5
65,8
---
35
177,15
----
118,1
    создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
7. Разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе гетероструктур "кремний - германий" 448,408
-----
308,75
253
--
169
195,408 ------
139,75
      разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
8. Разработка базовых технологий проектирования кремний-германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков 217,44
-----
142
 47
-
30
80,09
----
52
58,95
----
39,3
17
---
11,3
14,4
---
9,4
  создание базовых технологий проектирования на основе библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
9. Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры 114,9
----
74
60
-
40
54,9
---
34
      создание базовых технологий производства элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
10. Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры 126,913
------
73,1
  79,513
-----
41,5
47,4
---
31,6
    создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
11. Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X- , C-, S-, L- и P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью 226
--
152
151,2
----
102
74,8
---
50
      создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
12. Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов X- и ‘диапазонов на основе новых материалов 83,5
---
55
 13
-
8
40,5
---
27
30
-
20
    создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов
13. Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов X- и ‘диапазонов на основе новых материалов 109
--
62
  64
-
32
45
-
30
    создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры X- и C-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
14. Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов 13
-
8
 13
-
8
      создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
15. Разработка конструктивно-параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов 208,9
----
115,9
  139,9
----
69,9
69
-
46
    создание конструктивно-параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
16. Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и ђдиапазонов для их массового производства 32
-
22
18
-
12
14
-
10
      разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании
17. Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения 149,416
------
102
84,916
-----
59
64,5
---
43
      создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
18. Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения 118,45
-----
85,3
  77,5
---
58
40,95
----
27,3
    разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
19. Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивноемкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа и сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми дефектами 110,5
----
75,5
65,5
---
45,5
45
-
30
      создание технологических процессов производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивноемкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2008 год), создание базовой технологии получения сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
20. Разработка базовых конструкций и технологии производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивноемкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа 84,5
---
53
  50
-
30
34,5
---
23
    создание конструктивных рядов и базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивноемкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
21. Разработка базовой технологии сверхвысокочастотных p-i-n диодов, матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования 133,314
------
88
63,447
-----
42
69,867
-----
46
      создание базовой технологии производства элементов и специальных элементов и блоков портативной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств связи, радиолокационных станций, радионавигации, измерительной техники, автомобильных радаров, охранных и сигнальных устройств (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
22. Разработка базовых технологий создания мощных вакуумных сверхвысокочастотных устройств 2342,933
-------
1540,66
338
--
230
295,11
-----
193,1
364,823 ------
226,98
380,85
-----
253,9
320
--
210
189,8
----
124,8
218,35
-----
145,88
236
--
156
создание конструктивных рядов и базовых технологий проектирования и производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку: конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год); мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год); малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год)

 
 

23. Разработка базовых технологий создания мощных твердотельных сверхвысокочастотных устройств на базе нитрида галлия 1661,182
-------
1096,4
158,001 ------
103
253,012 ------
166,5
296,269 ------
192,4
293,55
-----
195,7
287,35
-----
189,9
118
----
78,9
112
--
75
143
--
95
создание базовых конструкций и технологий изготовления сверхвысокочастотных мощных приборов на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая: создание гетеропереходных полевых транзисторов с диодом Шоттки с удельной мощностью до 30 - 40 Вт/мм и рабочими напряжениями до 100 В; исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год); разработка технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год)
24. Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов и структур, разработка технологических принципов их изготовления 1085,2
-----
724,12
   160,2
----
106,8
99,5
----
67,02
300
----
200,3
308
--
205
217,5
----
145
исследование технологических принципов формирования перспективных сверхвысокочастотных приборов и структур, включая создание наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц
25. Разработка перспективных методов проектирования и моделирования сложнофункциональной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы 1043,3
-----
699,1
   49,2
---
32,8
331,7
----
224,7
221,4
----
147,6
255
--
170
186
--
124
создание полного состава прикладных программ проектирования и оптимизации сверхвысокочастотной электронной компонентной базы, включая проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе
 Всего по направлению 1 9787,287
-------
6468,08
1485,57 ------
993,95
1392,821 -------
929,35
375,395 ------
855,78
1603,5
-----
1069
1205,35
-----
804,12
1048,8
-----
700
893,35
-----
595,88
782,5
----
520
 
 Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база
26. Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм 106,65
-----
79,65
60
-
38
46,65
----
41,65
      создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2009 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)
27. Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм 286,65
-----
188,1
  39,2
---
19,6
170,25
-----
113,5
53,2
---
37,2
24
---
17,8
  создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2013 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы
28. Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм 245,904
-----
164
130
--
87
115,904 ------
77
      создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,25 мкм (2009 год)
29. Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм 365,35
----
235
  108,6
----
54,3
166,05
-----
110,7
67,7
---
52,6
23
---
17,4
  создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,18 мкм
30. Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы 141,75
-----
97,65
92
-
63
49,75
----
34,65
      создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,35 мкм и базовой технологии создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2009 год)
31. Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы 257,45
-----
159,2
  74,6
---
37,3
130,35
----
86,9
42,3
---
28,2
10,2
---
6,8
  создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2013 год)
32. Разработка технологии "кремний на сапфире" изготовления ряда лицензионно-независимых радиационно стойких комплементарных полевых полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса 110,736
------
73
58,609
-----
38
52,127
-----
35
      разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения
33. Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире 370,802
-----
231,7
  82,952
----
39,8
190,35
-----
126,9
72,6
---
48,4
24,9
---
16,6
  создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2013 год)
34. Разработка базовой технологии и приборно-технологического базиса производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", радиационно стойкой силовой электроники для аппаратуры питания и управления 92,669
-----
73,15
51
-
40
41,669
-----
33,15
      разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год)
35. Разработка элементной базы радиационно стойких интегральных схем на основе полевых эмиссионных микронанотриодов 74,471
-----
50,6
36,2
---
26,1
38,271
-----
24,5
      создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования
36. Создание информационной базы радиационно стойкой электронной компонентной базы, содержащей модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы 256,6
----
167,3
  21,4
---
10,7
25
---
16,6
92,4
---
61,6
117,8
----
78,4
  разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний
37. Разработка библиотек стандартных элементов и сложнофункциональных блоков для создания радиационно стойких сверхбольших интегральных схем 975,5
----
650
   105
--
70
184,5
----
123
281,5
----
187,5
209,5
----
139,5
195
--
130
создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год)
38. Разработка расширенного ряда радиационно стойких сверхбольших интегральных схем для специальной аппаратуры связи, обработки и передачи информации, систем управления 978,75
-----
650
   187,5
----
125
185
--
123
163
----
108,5
242,75
-----
160
200,5
----
133,5
разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления спробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанотриодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования
39. Разработка и совершенствование методов моделирования и проектирования радиационно стойкой элементной базы 953
--
634
   75
-
50
275
--
183
230
----
153,5
196
----
130,5
177
--
117
разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний
40. Разработка и совершенствование базовых технологий и конструкций радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе" с топологическими нормами не менее 0,18 мкм 988,15
-----
650
   180
--
120
191
--
123
177,5
----
113,5
233,65
-----
160
206
----
133,5
создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2014 год), создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год)
 Всего по направлению 2 6204,432
-------
4103,35
427,809 ------
292,1
344,371 ------
245,95
326,752 ------
161,7
1229,5
----
819,6
1163,7
----
780
1051,9
----
700
881,9
----
590
778,5
----
514
 
 Направление 3. Микросистемная техника
41. Разработка базовых технологий микро-электромеханических систем 184,215
------
117,9
165,053 ------
105,9
19,162
-----
12
      создание базовых технологий (2009 год) и комплектов технологической документации на изготовление микро-электромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов
42. Разработка базовых конструкций микроэлектромеханических систем 433,712
------
273,8
 87,239
-----
42,1
73,473
-----
49,7
108
--
72
82,5
---
55
82,5
---
55
  разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике
43. Разработка базовых технологий микроакустоэлектромеханических систем 166,784
------
108,15
122,356 ------
78,55
44,428
-----
29,6
      создание базовых технологий (2009 год) и комплектов необходимой технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники
44. Разработка базовых конструкций микроакустоэлектромеханических систем 244,325
------
147,3
 52
-
28
103,825 -----
60,3
88,5
---
59
    разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов

 
 

45. Разработка базовых технологий микроаналитических систем 37
-
25
37
-
25
       создание базовых технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов
46. Разработка базовых конструкций микроаналитических систем 134
--
78
 47
-
20
60
-
40
27
-
18
    создание базовых конструкций микроаналитических систем, предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники; разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах
47. Разработка базовых технологий микрооптоэлектромеханических систем 42,444
----
27
15,358
----
10,2
27,086
-----
16,8
      создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал, микропереключателей и фазовращателей (2009 год)
48. Разработка базовых конструкций микрооптоэлектромеханических систем 109,278
------
70
 33,95
----
21
48,328
-----
31
27
-
18
    разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения
49. Разработка базовых технологий микросистем анализа магнитных полей 55,008
-----
36
55,008
-----
36
       создание базовых технологий изготовления микросистем анализа магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год)
50. Разработка базовых конструкций микросистем анализа магнитных полей 153,518
------
98,018
 39,518
-----
22,018
93
-
62
21
-
14
    разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях
51. Разработка базовых технологий радиочастотных микроэлектромеханических систем 123,525
------
80,662
43,274
-----
28,45
80,251
-----
52,212
      разработка и освоение в производстве базовых технологий изготовления радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год)
52. Разработка базовых конструкций радиочастотных микроэлектромеханических систем 142,577
------
96
 35,6
---
25
63,477
-----
42
43,5
---
29
    разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий
53. Разработка методов и средств обеспечения создания и производства изделий микросистемной техники 38,915
-----
22,8
38,915
-----
22,8
       создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии
54. Разработка перспективных технологий и конструкций микрооптоэлектромеханических систем для оптической аппаратуры, систем отображения изображений, научных исследований и специальной техники 1155
---
770
    345
--
230
315
--
210
270
--
180
225
--
150
создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения (2012 год), акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения (2015 год)
55. Разработка и совершенствование методов и средств контроля, испытаний и аттестации изделий микросистемотехники 1140
---
760
   150
--
100
262,5
----
175
232,5
----
155
270
--
180
225
--
150
создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии
56. Разработка перспективных технологий и конструкций микроаналитических систем для аппаратуры контроля и обнаружения токсичных, горючих, взрывчатых и наркотических веществ 1170
---
780
    360
--
240
315
--
210
255
--
170
240
--
160
создание перспективных технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год)
 Всего по направлению 3 5330,301
-------
3490,63
476,964 ------
306,9
466,233 ------
268,73
442,103 ------
285
465
--
310
1050
--
700
945
--
630
795
--
530
690
--
460
 
 Направление 4. Микроэлектроника
57. Разработка технологии и развитие методологии проектирования изделий микроэлектроники: разработка и освоение современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и "системы на кристалле" на основе каталогизированных сложнофункциональных блоков и библиотечных элементов, в том числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования; освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм 308,667
------
178,4
219,3
----
129,5
89,367
-----
48,9
      разработка комплекта нормативно-технической документации по проектированию изделий микроэлектроники, создание отраслевой базы данных с каталогами библиотечных элементов и сложнофункциональных блоков с каталогизированными результатами аттестации на физическом уровне, разработка комплекта нормативно-технической и технологической документации по взаимодействию центров проектирования в сетевом режиме
58. Разработка и освоение базовой технологии производства фотошаблонов с технологическим уровнем до 0,13 мкм с целью обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) 34,569
-----
22,7
22,7
---
14,7
11,869
----
8
      разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров проектирования и центра изготовления фотошаблонов
59. Разработка семейств и серий изделий микроэлектроники: универсальных микропроцессоров для встроенных применений; универсальных микропроцессоров для серверов и рабочих станций; цифровых процессоров обработки сигналов; сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем; сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти; микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью; схем интерфейса дискретного ввода/вывода; схем аналогового интерфейса; цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8 - 12 бит; схем приемопередатчиков шинных интерфейсов; изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения; встроенных интегральных источников питания 852,723
------
490,2
350,836 ------
190,1
501,887 ------
300,1
      разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства