Ленты новостей RSS
Главные новости Главные новости
Новости законодательства Новости законодательства
Лента новостей Лента новостей
Судебная практика Судебная практика
Обзор законодательства Обзор законодательства
Письма Минфина Письма Минфина
Обзор изменений Обзор изменений
Используйте наши ленты новостей и Вы всегда будете в курсе событий. Достаточно установить любое RSS расширение для браузера, например RSS Feed Reader
Если что-то не нашли
Присоединяйтесь!
Зарегистрированных пользователей портала: 504 823. Присоединяйтесь к нам, зарегистрироваться очень просто →

    

ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

 

ПОСТАНОВЛЕНИЕ
от 19 сентября 2016 г. N 939

 

О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ПРИЛОЖЕНИЯ N 2 И 3 К ПРАВИЛАМ КВАЛИФИКАЦИИ ГЕНЕРИРУЮЩЕГО ОБЪЕКТА, ФУНКЦИОНИРУЮЩЕГО НА ОСНОВЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ВОЗОБНОВЛЯЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ЭНЕРГИИ

 
    Правительство Российской Федерации постановляет:
    Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в приложения N 2 и 3 к Правилам квалификации генерирующего объекта, функционирующего на основе использования возобновляемых источников энергии, утвержденным постановлением Правительства Российской Федерации от 3 июня 2008 г. N 426 "О квалификации генерирующего объекта, функционирующего на основе использования возобновляемых источников энергии" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2008, N 23, ст. 2716; 2013, N 23, ст. 2909).
 

Председатель Правительства
Российской Федерации
Д. МЕДВЕДЕВ

 
 
 

УТВЕРЖДЕНЫ
постановлением Правительства
Российской Федерации
от 19 сентября 2016 г. N 939

 

ИЗМЕНЕНИЯ, КОТОРЫЕ ВНОСЯТСЯ В ПРИЛОЖЕНИЯ N 2 И 3 К ПРАВИЛАМ КВАЛИФИКАЦИИ ГЕНЕРИРУЮЩЕГО ОБЪЕКТА, ФУНКЦИОНИРУЮЩЕГО НА ОСНОВЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ВОЗОБНОВЛЯЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ЭНЕРГИИ

 
    1. Позицию 1 приложения N 2 изложить в следующей редакции:
    "

1. Кремний (в том числе из вторичного сырья) и кремниевые слитки, используемые для производства фотоэлементов, изготовлены на территории Российской Федерации20

".

    2. Позицию 1 приложения N 3 изложить в следующей редакции:
    "

1. Фотоэлектрические модули, в которых тонкопленочный фотогальванический переход изготовлен в Российской Федерации методами, которые включают плазмохимическое осаждение (в том числе на подложку из кристаллического кремния), но не ограничиваются им, изготовлены в Российской Федерации65