Присоединяйтесь!
Зарегистрированных пользователей портала: 505 372. Присоединяйтесь к нам, зарегистрироваться очень просто →
Законодательство
Законодательство

ПРИКАЗ ГТК РФ от 23.05.96 N 315 (ред. от 11.01.2002) "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ПРИМЕНЕНЫ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ОРУЖИЯ МАССОВОГО УНИЧТОЖЕНИЯ И РАКЕТНЫХ СРЕДСТВ ЕГО ДОСТАВКИ"

Дата документа23.05.1996
Статус документаНе действует
МеткиПриказ · Положение
x
Документ не действует
Данная редакция документа не действует в связи с внесением в нее изменений. Перейти к действующей редакции документа.

    

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТАМОЖЕННЫЙ КОМИТЕТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

 

ПРИКАЗ
от 23 мая 1996 г. N 315

 

О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ПРИМЕНЕНЫ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ОРУЖИЯ МАССОВОГО УНИЧТОЖЕНИЯ И РАКЕТНЫХ СРЕДСТВ ЕГО ДОСТАВКИ

 

(в ред. Приказов ГТК РФ от 19.11.96 N 698, от 20.11.96 N 700, от 31.01.97 N 43, от 24.02.98 N 99, от 22.03.99 N 189, от 22.03.99 N 190, от 10.03.2000 N 176, от 10.05.2000 N 385, от 29.05.2000 N 436. от 16.07.2001 N 675, от 07.08.2001 N 764, от 31.10.2001 N 1032, от 31.10.2001 N 1033, от 16.11.2001 N 1093, от 16.11.2001 N 1094, от 16.11.2001 N 1095, от 11.01.2002 N 21)

 
    В целях исполнения Указа Президента Российской Федерации от 21.02.96 N 228, распоряжений Президента Российской Федерации от 11.02.94 N 74-рп, от 14.06.94 N 298-рп, от 07.12.94 N 621-рп, от 25.04.95 N 193-рп и Постановлений Правительства Российской Федерации от 19.11.93 N 1178, от 10.03.94 N 197, от 26.09.94 N 1098, от 16.01.95 N 50, от 24.05.95 N 521, от 08.05.96 N 575, принятых во исполнение Указа Президента Российской Федерации от 11.04.92 N 388 "О мерах по созданию системы экспортного контроля в Российской Федерации", а также систематизации нормативных актов ГТК России приказываю:
    1. При вывозе из Российской Федерации товаров (Приложение 1), осуществлять таможенное оформление с учетом Положения о порядке контроля за вывозом из Российской Федерации товаров и технологий двойного назначения, экспорт которых контролируется (Приложение 2) <*>.
    


    <*> Приложения 4, 6, 8 не приводятся.
    (в ред. Приказа ГТК РФ от 20.11.96 N 700)
    2. При вывозе из Российской Федерации товаров из Списка, приведенного в Приложении 3, осуществлять таможенное оформление с учетом Положения о порядке контроля за экспортом из Российской Федерации химикатов, оборудования и технологий, которые имеют мирное назначение, но могут быть применены при создании химического оружия (приложение 4).
    3. При вывозе из Российской Федерации товаров из Списка, приведенного в Приложении 5, осуществлять таможенное оформление с учетом Положения о порядке контроля за экспортом из Российской Федерации оборудования и материалов двойного использования и соответствующей технологии, применяемых в ядерных целях (приложение 6).
    4. При вывозе из Российской Федерации товаров из Списка, приведенного в Приложении 7, осуществлять таможенное оформление с учетом Положения о порядке контроля за экспортом из Российской Федерации возбудителей заболеваний (патогенов) человека, животных и растений, их генетически измененных форм, фрагментов генетического материала и оборудования, которые могут быть применены при создании бактериологического (биологического) и токсичного оружия (приложение 8).
    5. При вывозе из Российской Федерации товаров из Списка, приведенного в Приложении 9, осуществлять таможенное оформление с учетом Положения о порядке контроля за экспортом из Российской Федерации оборудования, материалов и технологий, применяющихся при создании ракетного оружия (Приложение 10).
    6. В связи с выходом настоящего Приказа считать утратившими силу следующие нормативные акты Государственного таможенного комитета Российской Федерации:
    - п. п. 7, 8, 9 приложения 5 Приказа ГТК России от 12.12.92 N 610;
    - добавления 1, 7 - 9 к приложению 5 Приказа ГТК России от 12.12.92 N 610;
    - дополнения 1, 2 к добавлению 9 к приложению 5 Приказа ГТК России от 12.12.92 N 610;
    - Приказ ГТК России от 09.03.93 N 75;
    - Приказ ГТК России от 20.12.93 N 540;
    - Приказ ГТК России от 14.04.94 N 139;
    - Приказ ГТК России от 14.11.94 N 593;
    - Приказ ГТК России от 07.06.95 N 369;
    - Приказ ГТК России от 09.08.95 N 490;
    - Приказ ГТК России от 18.05.95 N 329.
    7. Пресс - службе ГТК России (А.П. Евстигнеева) с даты подписания настоящего Приказа приступить к его освещению в средствах массовой информации.
    8. Контроль за исполнением настоящего Приказа осуществлять заместителю председателя ГТК России Бекову С.М.
 

Первый заместитель Председателя
Государственного таможенного комитета
Российской Федерации
В.Ф.КРУГЛИКОВ

 
 
    

Приложение 1
к Приказу ГТК России
от 23.05.96 N 315

 

Утвержден
Указом Президента
Российской Федерации
от 26.08.96 N 1268

 

СПИСОК
ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, ЭКСПОРТ КОТОРЫХ КОНТРОЛИРУЕТСЯ

 

(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.03.2000 N 176, от 10.05.2000 N 385, от 07.08.2001 N 764, от 11.01.2002 N 21)

 

Раздел 1

 

N позиции Наименование Код товарной номенклатуры внешне-экономической деятельности
 Категория 1. Перспективные материалы  
1.1. Системы, оборудование и компоненты  
1.1.1. Компоненты, изготовленные из фторированных соединений, такие как:  
1.1.1.1. Уплотнения, прокладки, уплотнительные материалы или трубчатые уплотнения, предназначенные для применения в авиационной или аэрокосмической технике и изготовленные из материалов, содержащих более 50% (по весу) любого материала, контролируемого по подпунктам "б" и "в" пункта 1.3.9; 3919 90 900 0
1.1.1.2. Пьезоэлектрические полимеры и сополимеры, изготовленные из фтористых винилиденовых материалов, контролируемых по подпункту "а" пункта 1.3.9: 3921 90 900 0
 а) в виде пленки или листа; и  
 б) толщиной более 200 мкм;  
1.1.1.3. Уплотнения, прокладки, седла клапанов, трубчатые уплотнения или диафрагмы, изготовленные из фторэластомеров, содержащих по крайней мере один виниловый мономер, специально предназначенные для авиационной, аэрокосмической или ракетной техники 3919 90 900 0
1.1.2. Композиционные конструкции или слоистые структуры (ламинаты), имеющие любую из следующих составляющих:  
1.1.2.1. Органическую матрицу и выполненные из материалов, контролируемых по пунктам 1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5 Примечание. По пункту 1.1.2.1 не контролируются завершенные или полузавершенные предметы, специально предназначенные для следующего только гражданского использования: 3926 90 100 0; 3926 90 910 0; 3926 90 990
 а) в спортивных целях;  
 б) в автомобильной промышленности;  
 в) в станкостроительной промышленности;  
 г) в медицинских целях.  
1.1.2.2. Металлическую или углеродную матрицу и выполненные из:  
1.1.2.2.1. Углеродных волокнистых или нитевидных материалов: 3801; 3926 90 100 0;
 а) с удельным модулем упругости свыше 10,15 x 1E6 м; и 3926 90 910 0; 3926 90 990;
 б) с удельной прочностью на растяжение свыше 17,7 x 1E4 м; или 6903 10 000 0
1.1.2.2.2. Материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.3  
 Примечание. По пункту 1.1.2.2 не контролируются завершенные или полузавершенные предметы, специально предназначенные для следующего только гражданского использования:  
 а) в спортивных целях;  
 б) в автомобильной промышленности;  
 в) в станкостроительной промышленности;  
 г) в медицинских целях.  
 Технические примечания. 1. Удельный модуль упругости - модуль Юнга, выраженный в паскалях или в Н/кв. м, деленный на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +/- 2) К [(23 +/- 2) град. C] и относительной влажности (50 +/- 5)%  
 2. Удельная прочность на растяжение - критическая прочность на разрыв, выраженная в паскалях или в Н/кв. м, деленная на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +/- 2) K [(23 +/- 2) град. C] и относительной влажности (50 +/- 5)%.  
 Примечание. По пункту 1.1.2 не контролируются композиционные структуры или ламинаты, изготовленные из эпоксидной смолы, импрегнированной углеродом, волокнистые или нитевидные материалы для ремонта структур летательных аппаратов или ламинаты, имеющие размеры, не превышающие 1 кв. м.  
1.1.3. Изделия из нефторидных полимерных веществ, контролируемых по пункту 1.3.8.1.3, в виде пленки, листа, ленты или полосы: 3919 90 900 0; 3920 99 900 0
1.1.3.1. При толщине свыше 0,254 мм;  

 

1.1.3.2. Покрытые углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами  
 Примечание. По пункту 1.1.3 не контролируются изделия, покрытые или ламинированные медью и предназначенные для производства электронных печатных плат  
1.1.4. Оборудование для защиты и обнаружения и его части, не предназначенные специально для военного применения, такие как:  
1.1.4.1. Газовые маски, коробки противогазов с фильтрами и оборудование для обеззараживания, предназначенные или модифицированные для защиты от биологических факторов или радиоактивных материалов, приспособленных для применения в военных целях, или боевых химических агентов, и специально предназначенные для этого компоненты; 9020 00 900 0
1.1.4.2. Защитные костюмы, перчатки и ботинки, предназначенные или модифицированные для защиты от биологических факторов или радиоактивных материалов, приспособленных для применения в военных целях, или боевых химических агентов; 6204 29 900 0; 6216 00 000 0; 6405 90
1.1.4.3. Ядерные, биологические и химические системы обнаружения, специально предназначенные или модифицированные для обнаружения или распознавания биологических факторов или радиоактивных материалов, приспособленных для применения в военных целях, или боевых химических агентов, и специально предназначенные для этого компоненты 9027 10 100 0; 9027 10 900 0; 9027 90 900 0; 9030 10 900 0
 Примечание. По пункту 1.1.4 не контролируются:  
 а) персональные радиационные мониторинговые дозиметры;  
 б) оборудование, ограниченное конструктивным или функциональным назначением для защиты от токсичных веществ, специфичных для гражданской промышленности: горного дела, работ в карьерах, сельского хозяйства, фармацевтики, медицинского, ветеринарного использования, утилизации отходов или для пищевой промышленности  
1.1.5. Бронежилеты и специально предназначенные компоненты, изготовленные не по военным стандартам или спецификациям и не равноценные им в исполнении 6204 29 900 0
 Примечания. 1. По пункту 1.1.5 не контролируются индивидуальные бронежилеты и принадлежности к ним, которые вывозятся пользователями для собственной индивидуальной защиты.  
 2. По пункту 1.1.5 не контролируются бронежилеты, предназначенные только для обеспечения фронтальной защиты как от осколков, так и от взрыва невоенных взрывчатых устройств  
1.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
1.2.1. Оборудование для производства волокон, препрегов, преформ или композиционных материалов либо изделий, контролируемых по пунктам 1.1.2 или 1.3.10, а также специально предназначенные компоненты и вспомогательные устройства:  
1.2.1.1. Машины для намотки волокон, у которых перемещения, связанные с позиционированием, обволакиванием и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более осям и которые специально предназначены для производства композиционных конструкций или ламинатов из волокнистых или нитевидных материалов; 8446 30 000 0
1.2.1.2. Машины для намотки ленты или троса, у которых перемещения, связанные с позиционированием и намоткой ленты, троса или рулона, координируются и программируются по двум или более осям и которые специально предназначены для производства элементов корпусов боевых ракет или летательных аппаратов из композиционных материалов; 8446 30 000 0
1.2.1.3. Ткацкие машины или машины для плетения, действующие в разных измерениях и направлениях, включая адаптеры и устройства для изменения функций машин, которые предназначены для ткачества, перемеживания или переплетения волокон с целью изготовления композиционных материалов 8446 21 000 0; 8447 90 000
 Примечание. По пункту 1.2.1.3 не контролируются текстильные машины, не модифицированные для вышеуказанного конечного использования;  
1.2.1.4. Оборудование, специально предназначенное или приспособленное для производства усиленных волокон, такое как:  
1.2.1.4.1. Оборудование для преобразования полимерных волокон, таких как полиакрилонитрил, вискоза, пек или поликарбосилан, в углеродные или карбид - кремниевые волокна, включая специальное оборудование для усиления волокон в процессе нагревания; 8456 10 00; 8456 99 900 0; 8515 80 990 0
1.2.1.4.2. Оборудование для осаждения паров химических элементов или сложных веществ на нагретую нитевидную подложку с целью производства карбид - кремниевых волокон; 8417 80 900 0

 

1.2.1.4.3. Оборудование для производства термостойкой керамики, такой как оксид алюминия, методом влажной намотки; 8445 90 000 0
1.2.1.4.4. Оборудование для преобразования путем термообработки волокон алюминийсодержащих прекурсоров в волокна, содержащие глинозем (оксид алюминия) 8445 19 000 0; 8451 80 800 0
1.2.1.5. Оборудование для производства препрегов, контролируемых по пункту 1.3.10.5, методом горячего плавления; 8451 80 800 0; 8477 59 100 0; 8477 59 900 0
1.2.1.6. Оборудование для неразрушающего контроля, способное обнаруживать дефекты в трех измерениях с применением методов ультразвуковой или рентгеновской томографии, специально созданное для композиционных материалов 9022 12 000 0; 9022 19 000 0; 9022 29 000 0; 9031 80 390 0
1.2.2. Оборудование для производства металлических сплавов, порошкообразных металлических сплавов или сплавленных материалов, специально предназначенное для того, чтобы предотвратить загрязнения, и специально разработанное для использования в одном из процессов, указанных в пункте 1.3.2.3.2  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
1.2.3. Инструменты, пресс - формы, матрицы или арматура для суперпластического формования или диффузионной сварки титана, алюминия или их сплавов, специально предназначенных для производства: 8207 30 100 0
 а) корпусов летательных аппаратов или аэрокосмических конструкций;  
 б) двигателей летательных или аэрокосмических аппаратов;  
 в) компонентов, специально предназначенных для таких конструкций или двигателей  
1.3. Материалы  
 Техническое примечание. До тех пор, пока нет возражений по существу, то термины "металлы" и "сплавы" охватывают следующие необработанные и полуфабрикатные формы:  
 необработанные формы - аноды, шары, полосы (включая отрубленные полосы и проволочные полосы), металлические заготовки, блоки, стальные болванки, брикеты, бруски, катоды, кристаллы, кубы, стаканы, зерна, гранулы, слитки, глыбы, катыши, чушки, порошок, кольца, дробь, слябы, куски металла неправильной формы, губка, прутки;  
 полуфабрикатные формы (независимо от того, облицованы, анодированы, просверлены либо прессованы они или нет):  
 а) определенной формы или обработанные материалы, полученные путем прокатки, волочения, горячей штамповки выдавливанием, ковки, импульсного выдавливания, прессования, дробления, распыления и размалывания, а именно: угольники, швеллеры, кольца, диски, пыль, хлопья, фольга и лист, поковки, плиты, порошок, изделия, обработанные прессованием или штамповкой, ленты, фланцы, прутки (включая сварные брусковые прутки, проволочные прутки и прокатанные проволоки), профили, формы, листы, полоски, трубы и трубки (включая трубные кольца, трубные прямоугольники и полостные трубки), тянутая или экструдированная проволока;  
 б) литейный материал (отливки), полученный литьем в песке, матрице, металле, пластике или других типах материалов, включая литье под высоким давлением, "шлаковые формы" (оплавляемые модели) и формы, полученные с помощью порошковой металлургии.  
 Цель контроля не должна нарушаться экспортом форм, выдаваемых за законченные изделия, не указанные в Списке, но которые на самом деле представляют собой контролируемые заготовки или полуфабрикаты  
1.3.1. Материалы, специально предназначенные для поглощения электромагнитных волн, или электропроводящие полимеры, такие как:  
1.3.1.1. Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих 2 x 1E8 Гц, но меньших 3 x 1E12 Гц 3815 19 000 0; 3910 00 000 0
 Примечание. По пункту 1.3.1.1 не контролируются:  
 а) абсорберы волосяного типа, изготовленные из натуральных и синтетических волокон, с немагнитным наполнением для абсорбции;  
 б) абсорберы, не имеющие магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности;  
 в) плоские абсорберы, имеющие все следующие характеристики:  
 1) изготовленные из любых следующих материалов:  
 пенопластических материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связывающие присадки, обеспечивающих коэффициент отражения более 5% по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от центральной частоты падающей энергии более чем на +/- 15%, и не способных противостоять температурам, превышающим 450 K (177 град. C); или  
 керамических материалов, обеспечивающих более чем 20% отражение по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от центральной частоты падающей энергии более чем на +/- 15%, и не способных противостоять температурам, превышающим 800 K (527 град. C);  
 Техническое примечание. Образцы для проведения испытаний на поглощение по последнему подпункту примечания к пункту 1.3.1.1 должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн на центральной частоте, расположенной в дальней зоне излучающего элемента.  
 2) с прочностью на растяжение менее 7 x 1E6 Н/кв. м; и  
 3) с прочностью на сжатие менее 14 x 1E6 Н/кв. м;  
 г) плоские абсорберы, выполненные из спеченного феррита, имеющие:  
 1) удельный вес более 4,4; и  
 2) максимальную рабочую температуру 548 K (275 град. C).  
 Особое примечание. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках.  

 

1.3.1.2. Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих 1,5 x 1E14 Гц, но меньших 3,7 x 1E14 Гц, и непрозрачные для видимого света; 3815 19 000 0; 3910 00 000 0
1.3.1.3. Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью свыше 10000 См/м или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 Ом/кв. м, выполненные на основе любого из следующих полимеров:  
1.3.1.3.1. Полианилина; 3909 30 000 0
1.3.1.3.2. Полипиррола; 3911 90 900 0
1.3.1.3.3. Политиофена; 3911 90 900 0
1.3.1.3.4. Полифенилен - винилена; или 3911 90 900 0
1.3.1.3.5. Политиенилен - винилена 3919 90 900 0
 Техническое примечание. Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или ее национальным эквивалентом.  
1.3.2. Металлические сплавы, порошки металлических сплавов или сплавленные материалы следующего типа:  
 Примечание. По пункту 1.3.2 не контролируются металлические сплавы, порошки металлических сплавов или сплавленные материалы, предназначенные для грунтующих покрытий  
 Технические примечания. 1. К металлическим сплавам, указанным в пункте 1.3.2, относятся те, которые содержат больший процент (по весу) указанного металла, чем других элементов  
 2. Срок эксплуатации до разрыва следует определять в соответствии со стандартной методикой ASTM Е-139 или ее национальным эквивалентом  
 3. Показатель циклической усталости должен определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM E-606 "Рекомендаций по тестированию на усталость при небольшом количестве циклов и постоянной амплитуде" или ее национальным эквивалентом. Тестирование следует производить в осевом направлении при среднем значении показателя нагрузки, равном единице, и коэффициенте концентрации нагрузки (Kt), равном единице. Средняя нагрузка определяется как частное от деления разности максимальной и минимальной нагрузок на максимальную нагрузку  

 

1.3.2.1. Алюминиды, такие, как:  
1.3.2.1.1. Никелевые алюминиды, содержащие минимально 15% (по весу), максимально 38% (по весу) алюминия и не менее одного дополнительного элемента сплава; 7502200000
1.3.2.1.2. Титановые алюминиды, содержащие 10% (по весу) или более алюминия и не менее одного дополнительного элемента сплава 810820000
1.3.2.2. Металлические сплавы, изготовленные из материалов, контролируемых по пункту 1.3.2.3, такие, как:  
1.3.2.2.1. Никелевые сплавы: 7502200000
 а) со сроком эксплуатации 10000 часов или более до разрыва в условиях нагружения на уровне 676 МПа при температуре 923 К (650 град. С); или  
 б) с низким показателем циклической усталости, 10000 циклов или более, при температуре 823 К (550 град. С) и максимальном нагружении 1095 МПа;  
1.3.2.2.2. Ниобиевые сплавы: 8112923100;
 а) со сроком эксплуатации 10000 часов или более до разрыва в условиях нагружения на уровне 400 МПа при температуре 1073 К (800 град. С); или 8112993000
 б) с низким показателем циклической усталости, 10000 циклов или более, при температуре 973 К (700 град. С) и максимальном нагружении 700 МПа;  
1.3.2.2.3. Титановые сплавы: 810820000
 а) со сроком эксплуатации 10000 часов или более до разрыва в условиях нагружения на уровне 200 МПа при температуре 723 К (450 град. С); или  
 б) с низким показателем циклической усталости, 10000 циклов или более, при температуре 723 К (450 град. С) и максимальном нагружении 400 МПа;  
1.3.2.2.4. Алюминиевые сплавы с пределом прочности на растяжение: 760120; 7604291000;
 а) 240 МПа или более при температуре 473 К (200 град. С); или 7608209100; 7608209900
 б) 415 МПа или более при температуре 298 К (250 град. С);  
1.3.2.2.5. Магниевые сплавы: 8104
 а) с пределом прочности на растяжение 345 МПа или более; и  
 б) со скоростью коррозии менее 1 мм в год в 3-процентном водном растворе хлорида натрия, измеренной в соответствии со стандартной методикой ASTM G-31 или ее национальным эквивалентом  
1.3.2.3. Порошки металлических сплавов или частицы материала, имеющие все следующие характеристики:  
1.3.2.3.1. Изготовленные из любых следующих композиционных систем:  
 Техническое примечание. Х в дальнейшем соответствует одному или более элементам, входящим в состав сплава  
1.3.2.3.1.1 Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), квалифицированные для использования в составе частей или компонентов турбин двигателей, т.е. менее чем с тремя неметаллическими частицами (введенными в процессе производства) крупнее 100 мкм в 1Е9 частицах сплава; 7504000000
1.3.2.3.1.2 Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti); 8112923100; 8112993000
1.3.2.3.1.3 Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al); 810820000
1.3.2.3.1.4 Алюминиевые сплавы (Al-Mg-Х или А1-Х-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или 7603
1.3.2.3.1.5 Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); и 8104300000
1.3.2.3.2. Изготовленные в контролируемой среде при помощи одного из нижеследующих процессов:  
 а) вакуумного распыления;  
 б) газового распыления;  
 в) центробежного распыления;  
 г) резкого охлаждения;  
 д) спиннингования расплава и кристаллизации;  
 е) экстракции расплава и кристаллизации; или  
 ж) механического легирования  
1.3.2.3.3. Способные образовывать материалы, контролируемые по пунктам 1.3.2.1 или 1.3.2.2;  
1.3.2.4. Сплавленные материалы, имеющие все следующие характеристики: 7503009000; 7504000000;
 а) изготовленные из любых композиционных систем, определенных в пункте 1.3.2.3.1; 7505120000; 7506;
 б) в виде неизмельченных чешуек, лент или тонких стержней; и 7603200000; 7604291000;
 в) изготавливаемые в контролируемой среде любым из следующих методов: 7606129100; 7606920000;
 1) резкого охлаждения; 760719;
 2) спиннингования расплава; или 8104300000;
 3) экстракции расплава; 8104900000; 810820000; 8108300000; 8108903000; 8112923100; 8112923900; 8112993000
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
1.3.3. Магнитные материалы всех типов и любой формы, имеющие какую-нибудь из следующих характеристик:  
1.3.3.1. Начальную относительную магнитную проницаемость 120000 или более и толщину 0,05 мм или менее 8505 11 000 0; 8505 19 100 0; 8505 19 900 0
 Техническое примечание. Замер начальной относительной магнитной проницаемости должен осуществляться с использованием полностью отожженных материалов.  
1.3.3.2. Магнитострикционные сплавы, имеющие любую из следующих характеристик: 7206 90 000 0
 а) магнитострикционное насыщение более 5 x 1E(-4); или  
 б) коэффициент магнитомеханического сцепления (к) более 0,8; или  
1.3.3.3. Аморфная или нанокристаллическая лента сплава, имеющая все следующие характеристики: 7206; 7506; 8105
 а) состав минимум 75% (по весу) железа, кобальта или никеля;  
 б) магнитную индукцию насыщения (Bs) 1,6 Т или более; и  
 в) любое из нижеследующего:  
 1) толщину ленты не более 0,02 мм; или  
 2) удельное электрическое сопротивление 2 x 1E(-4) Ом/см или более  
 Примечание. Нанокристаллические материалы, указанные в пункте 1.3.3.3, являются материалами, имеющими кристаллические зерна размером 50 нм или менее, что определяется дифракцией X-лучей.  
1.3.4. Урано - титановые сплавы или вольфрамовые сплавы с матрицей на основе железа, никеля или меди, имеющие все следующие характеристики: 2844 10 900 0; 8108 10 100; 8101 99 000 0
 а) плотность свыше 17,5 г/куб. см;  
 б) предел упругости свыше 880 МПа;  
 в) предел прочности на растяжение более 1270 МПа;  
 г) относительное удлинение свыше 8%  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
1.3.5. Сверхпроводящие композиционные материалы длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г, такие как:  
1.3.5.1. Многожильные сверхпроводящие композиционные материалы, содержащие одну или несколько ниобиево - титановых нитей: 8112 99 300 0; 8544 19 900 0
 а) уложенные в матрицу не из меди или не на основе медьсодержащего материала; или  
 б) имеющие площадь поперечного сечения менее 0,28 x 1E(-4) кв. мм (6 мкм в диаметре при нитях круглого сечения);  

 

1.3.5.2. Сверхпроводящие композиционные материалы, состоящие из одной или более сверхпроводящих нитей, выполненных не из ниобий - титана, имеющие все следующие характеристики: 8544 19 900 0
 а) с критической температурой при нулевой магнитной индукции, превышающей 9,85 K (-263,31 град. C), но не ниже 24 K (-249,16 град. C);  
 б) площадь поперечного сечения менее 0,28 x 1E(-4) кв. мм; и  
 в) остающиеся в состоянии сверхпроводимости при температуре 4,2 K (-268,96 град. C), находясь в магнитном поле, соответствующем магнитной индукции 12 Т  
1.3.6. Жидкости и смазочные материалы, такие как:  
1.3.6.1. Гидравлические жидкости, содержащие в качестве основных составляющих любые из следующих веществ и материалов:  
1.3.6.1.1. Синтетические кремний - углеводородные масла, имеющие все следующие характеристики: 3910 00 000 0
 а) точку возгорания свыше 477 K (204 град. C);  
 б) точку застывания 239 K (-34 град. C) или ниже;  
 в) коэффициент вязкости 75 или более;  
 г) термостабильность при 616 K (343 град. C); или  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
1.3.6.1.2. Хлоро - фторуглероды, имеющие все следующие характеристики: 2812; 2826;
 а) точка возгорания отсутствует; 2903 41 000 0;
 б) температуру самовоспламенения свыше 977 K (704 град. C); 2903 42 000 0; 2903 43 000 0;
 в) точку застывания 219 K (-54 град. C) или ниже; 2903 44; 2903 45;
 г) коэффициент вязкости 80 или более; и 3819 00 000 0;
 д) точку кипения 473 K (200 град. C) или более 3824 71 000 0
 Примечания. 1. Для целей, указанных в пункте 1.3.6.1.1, кремнийуглеводородные масла содержат исключительно кремний, водород и углерод.  
 2. Для целей, указанных в пункте 1.3.6.1.2, хлорофторуглероды содержат исключительно углерод, фтор и хлор.  
1.3.6.2. Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих следующие вещества или материалы:  
1.3.6.2.1. Фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функций или их смесей; или 2909 30 900 0; 2930 90 950 0
1.3.6.2.2. Фторированные кремнийсодержащие жидкости, характеризуемые кинематической вязкостью менее 5000 кв. мм/с (5000 сантистоксов) при температуре 298 K (25 град. C) 3910 00 000 0
1.3.6.3. Увлажняющие или флотирующие жидкости с показателем чистоты более 99,8%, содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл и изготовленные по меньшей мере на 85% из любых следующих соединений и материалов:  
1.3.6.3.1. Дибромтетрафторэтана; 2903 46 900 0
1.3.6.3.2. Полихлортрифторэтилена (только маслянистые и воскообразные модификации); или 3904 69 000 0
1.3.6.3.3. Полибромтрифторэтилена 3904 69 000 0
1.3.6.4. Фторуглеродные охлаждающие жидкости для электроники, имеющие все следующие характеристики: 2903 41 000 0; 2903 42 000 0; 2903 45 100 0; 3824 90 900 0
1.3.6.4.1. Содержащие 85% (по весу) или более любого из следующих веществ или их смесей:  
1.3.6.4.1.1. Мономерных форм перфторполиалкилэфиртриазинов или перфторалифатических эфиров;  
1.3.6.4.1.2. Перфторалкиламинов;  
1.3.6.4.1.3. Перфторциклоалканов; или  
1.3.6.4.1.4. Перфторалканов  
1.3.6.4.2. Плотность 1,5 г/мл или более при 298 K (25 град. C);  
1.3.6.4.3. Жидкое состояние при 273 K (0 град. C); и  
1.3.6.4.4. Содержащие 60% (по весу) или более фтора  
 Техническое примечание. Для целей, указанных в пункте 1.3.6:  
 а) точка возгорания определяется с использованием метода Кливлендской открытой чашки, описанного в стандартной методике ASTM D-92 или ее национальных эквивалентах;  
 б) точка плавления определяется с использованием специального метода, описанного в стандартной методике ASTM D-97 или ее национальных эквивалентах;  
 в) коэффициент вязкости определяется с использованием специального метода, описанного в стандартной методике ASTM D-2270 или ее национальных эквивалентах;  
 г) термостабильность определяется в соответствии со следующей методикой испытаний или ее национальными эквивалентами: 20 мл испытуемой жидкости помещаются в камеру объемом 46 мл из нержавеющей стали типа 317, содержащую шары номинального диаметра 12,5 мм из инструментальной стали М-10, стали марки 52100 и корабельной бронзы (60% Cu, 39% Zn, 0,75% Sn); камера продута азотом, загерметизирована при давлении, равном атмосферному, и температуре, повышенной до (644 +/- 6) K [(371 +/- 6 град. C)] и выдерживаемой в течение шести часов; образец признается термостабильным, если по завершении вышеописанной процедуры выполняются следующие условия:  
 1) потеря веса каждого шара не превышает 10 мг/кв. мм его поверхности;  
 2) изменение первоначальной вязкости, определенной при 311 K (38 град. C), не превышает 25%;  
 3) общее кислотное или базовое число не превышает 0,40;  
 д) температура автогенного воспламенения определяется с использованием специального метода, описанного в стандартной методике ASTM E-659 или ее национальных эквивалентах.  

 

1.3.7. Материалы на керамической основе, некомпозиционные керамические материалы, композиционные материалы с керамической матрицей и материалы - предшественники, такие как:  
1.3.7.1. Основные материалы из простых или сложных боридов титана, имеющие суммарно металлические примеси, исключая специальные добавки, на уровне менее 5000 частиц на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньшем 5 мкм, и при этом не более 10% частиц имеют размер более 10 мкм; 2850 00 900 0
1.3.7.2. Некомпозиционные керамические материалы в сыром виде или в виде полуфабриката на основе боридов титана с плотностью 98% или более от теоретического предела; 2850 00 900 0
 Примечание. По пункту 1.3.7.2 не контролируются абразивы.  
1.3.7.3. Композиционные материалы типа керамика - керамика со стеклянной или оксидной матрицей, укрепленные волокнами, имеющие все следующие характеристики: 2849;
285000;
8803902000; 8803903000;
 а) изготовленные из любых нижеследующих материалов: 8803909800;
930690";
 1) Si-N;  
 2) Si-C;  
 3) Si-Al-О-N; или  
 4) Si-О-N; и  
 б) имеющие удельную прочность на растяжение, превышающую 12,7 х 1Е3 м;  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
1.3.7.4. Композиционные материалы типа керамика - керамика с постоянной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора; 2849 20 000 0; 2849 90 100 0; 2850 00 300 0; 3926 90 100 0; 8109 90 000 0; 8803 90 990 0; 9306 90
1.3.7.5. Материалы - предшественники (т.е. полимерные или металлорганические материалы специализированного назначения) для производства какой-либо фазы или фаз материалов, контролируемых по пункту 1.3.7.3, такие как: 3910 00 000 0
 а) полидиорганосиланы (для производства карбида кремния);  
 б) полисилазаны (для производства нитрида кремния);  
 в) поликарбосилазаны (для производства керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами);  
1.3.7.6. Композиционные материалы типа керамика - керамика с оксидными или стеклянными матрицами, укрепленные непрерывными волокнами любой из следующих систем: 6903; 6914 90 900 0
1.3.7.6.1. Al2O3; или  
1.3.7.6.2. Si-C-N  
 Примечание. По пункту 1.3.7.6 не контролируются композиционные материалы, содержащие волокна из этих систем, имеющие предел прочности на растяжение менее 700 МПа при 1273 K (1000 град. C) или относительное удлинение более 1% при нагрузке 100 МПа и 1273 K (1000 град. C) за 100 ч.  
1.3.8. Полимерные вещества, не содержащие фтор, такие как:  
1.3.8.1.1. Бисмалеимиды; 2925 19 800 0
1.3.8.1.2. Ароматические полиамидимиды; 3908 90 000 0
1.3.8.1.3. Ароматические полиимиды; 3909 30 000 0
1.3.8.1.4. Ароматические полиэфиримиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) более 513 K (240 град. C), измеренную сухим методом, описанным в стандартной методике ASTM D 3418 3907 20 900 0; 3907 91 900 0
 Примечание. По пункту 1.3.8.1 не контролируются неплавкие порошки для формообразования под давлением или фасонных форм.  
1.3.8.2. Термопластичные жидкокристаллические сополимеры, имеющие температуру тепловой деформации более 523 K (250 град. C), измеренную в соответствии со стандартной методикой ASTM D-648, метод А, или ее национальными эквивалентами, при нагрузке 1,82 Н/кв. мм, и образованные сочетанием: 3907 91 900 0
 а) любого из следующих веществ:  
 1) фенилена, бифенилена или нафталина; или  
 2) метила, тетрабутила или фенил - замещенного фенилена, бифенилена или нафталина; и  
 б) любой из следующих кислот:  
 1) терефталиковой кислоты;  
 2) 6-гидроксил-2 нафтоиковой кислоты;  
 3) 4-гидроксил бензойной кислоты;  

 

1.3.8.3. Полиариленовые эфирные кетоны, такие как:  
1.3.8.3.1. Полиэфироэфирокетон (ПЭЭК); 3907 91 900 0
1.3.8.3.2. Полиэфирокетон - кетон (ПЭКК); 3907 91 900 0
1.3.8.3.3. Полиэфирокетон (ПЭК); 3907 91 900 0
1.3.8.3.4. Полиэфирокетон эфирокетон - кетон (ПЭКЭКК) 3907 91 900 0
1.3.8.4. Полиариленовые кетоны; 3907 99
1.3.8.5. Полиариленовые сульфиды, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации; 3911 90 900 0
1.3.8.6. Полибифениленэфирсульфон 3911 90 900 0
 Техническое примечание. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для материалов, контролируемых по пункту 1.3.8, определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D 3418, применяющей сухой метод.  
1.3.9. Необработанные соединения фтора, такие как: 3904 69 000 0
 а) сополимеры винилидена фторида, содержащие 75% или более структуры бета - кристаллина, полученной без вытягивания;  
 б) фтористые полиимиды, содержащие 10% (по весу) или более связанного фтора;  
 в) фтористые фосфазеновые эластомеры, содержащие 30% (по весу) или более связанного фтора  
1.3.10. Нитевидные или волокнистые материалы, которые могут быть использованы в органических, металлических или углеродных матричных композиционных материалах или слоистых структурах, такие как:  
1.3.10.1. Органические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: 3926 90 100 0
 а) удельный модуль упругости свыше 12,7 x 1E6 м; и  
 б) удельную прочность на растяжение свыше 23,5 x 1E4 м;  
 Примечание. По пункту 1.3.10.1 не контролируется полиэтилен.  
1.3.10.2. Углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: 3801; 3926 90 100 0; 5402 10 100 0;
 а) удельный модуль упругости свыше 12,7 x 1E6 м; и 5404 90 900 0; 6815 10 100 0;
 б) удельную прочность на растяжение свыше 23,5 x 1E4 м; 6903 10 000 0
 Техническое примечание. Свойства материалов, указанных в пункте 1.3.10.2, должны определяться методами 12 - 17 (SRM 12 - 17), рекомендуемыми Ассоциацией производителей усовершенствованных композиционных материалов (SACMA), или их национальными эквивалентами и должны основываться на средних значениях из большого количества опытов.  
 Примечание. По пункту 1.3.10.2 не контролируются изделия, изготовленные из волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта структур летательных аппаратов или ламинаты, у которых размеры единичных листов не превышают 50 x 90 см.  
1.3.10.3. Неорганические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: 3926 90 100 0; 8101 92 000 0; 8108 90 300 0 -
 а) удельный модуль упругости, превышающий 2,54 x 1E6 м; и 8108 90 700 0
 б) точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую 1922 K (1649 град. C);  
 Примечание. По пункту 1.3.10.3 не контролируются:  
 а) дискретные, многофазные, поликристаллические волокна глинозема, содержащие 3% или более (по весу) кремнезема, имеющие удельный модуль упругости менее 10 x 1E6 м;  
 б) молибденовые волокна и волокна из молибденовых сплавов;  
 в) волокна на основе бора;  
 г) дискретные керамические волокна с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде менее 2043 K (1770 град. C).  
1.3.10.4. Волокнистые или нитевидные материалы:  
1.3.10.4.1. Изготовленные из любого из следующих материалов:  
1.3.10.4.1.1. Полиэфиримидов, контролируемых по пунктам 1.3.8.1.1 - 1.3.8.1.4; или 5402 20 000 0; 5402 49 990 0; 5501 90 000 0; 5502 00 900; 5503 90 900 0
1.3.10.4.1.2. Материалов, контролируемых по пунктам 1.3.8.2, 1.3.8.3, 1.3.8.4, 1.3.8.5 или 1.3.8.6; или 5402 20 000 0; 5402 49 990 0; 5501 90 000 0; 5502 00 900; 5503 90 900 0
1.3.10.4.2. Изготовленные из материалов, контролируемых по пунктам 1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2, и связанные с волокнами других типов, контролируемых по пунктам 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3  

 

1.3.10.5. Волокна, импрегнированные смолой или пеком (препреги), волокна, покрытые металлом или углеродом (преформы), или преформы углеродных волокон следующего типа: 3801; 3926 90 100 0; 6815 10 100 0; 6815 10 900; 6815 99 900 0;
 а) изготовленные из волокнистых или нитевидных материалов, контролируемых по пунктам 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3; 6903 10 000 0; 7019 11 000 0; 7019 12 000 0; 7019 19;
 б) изготовленные из органических или углеродных волокнистых или нитевидных материалов: 7019 40 000 0; 7019 51; 7019 52 000 0;
 1) с удельной прочностью на растяжение, превышающей 17,7 x 1E4 м; 7019 59
 2) с удельным модулем упругости, превышающим 10,15 x 1E6 м;  
 3) не контролируемых по пунктам 1.3.10.1 или 1.3.10.2; и  
 4) пропитанных материалами, контролируемыми по пункту 1.3.8 или подпункту "б" пункта 1.3.9, обладающими температурой перехода в стеклообразное состояние (Tg) свыше 383 K (110 град. C), фенольными либо эпоксидными смолами, имеющими температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg), равную или превышающую 418 K (145 град. C)  
 Примечание. По пункту 1.3.10.5 не контролируются:  
 а) матрицы из эпоксидной смолы, импрегнированные углеродными волокнистыми или нитевидными материалами (препрегами), для ремонта структур летательных аппаратов или ламинаты, у которых размер единичных листов препрегов не превышает 50 x 90 см;  
 б) препреги, импрегнированные фенольными или эпоксидными смолами, имеющими температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) менее 433 K (160 град. C) и температуру отверждения меньшую, чем температура перехода в стеклообразное состояние.  
 Техническое примечание. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.5, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 3418, с применением сухого метода. Температура перехода в стеклообразное состояние для фенольных эпоксидных смол определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 4065, при частоте 1 Гц и скорости нагрева 2 град. C в минуту, с применением сухого метода.  
 Технические примечания. 1. Удельный модуль упругости определяется как модуль Юнга, выраженный в паскалях или в Н/кв. м, деленный на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +/- 2) K [(23 +/- 2) град. C] и относительной влажности (50 +/- 5)%.  
 2. Удельная прочность на растяжение определяется как критическая прочность на разрыв, выраженная в паскалях или в Н/кв. м, деленная на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +/- 2) K [(23 +/- 2) град. C] и относительной влажности (50 +/- 5)%.  
1.3.11. Металлы и компаунды, такие как:  
1.3.11.1. Металлы в виде частиц с размерами менее 60 мкм, имеющие сферическую, пылевидную, сфероидальную форму, расслаивающиеся или молотые, изготовленные из материала, содержащего 99% или более циркония, магния или их сплавов 8104 30 000 0; 8109 10 100 0
 Особое примечание. Металлы или сплавы, указанные в пункте 1.3.11.1, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;  
1.3.11.2. Бор или карбид бора чистотой 85% или выше и с размером частиц 60 мкм или менее 2804 50 100 0; 2849 90 100 0
 Особое примечание. Металлы или сплавы, указанные в пункте 1.3.11.2, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;  
1.3.11.3. Гуанидин нитрат 2825 10 000 0; 2834 29 900 0; 2904
1.3.12. Материалы для ядерных тепловых источников, такие как:  
1.3.12.1. Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония-238 более 50% (по весу); 2844 20 510 0; 2844 20 590 0; 2844 20 810 0;
 Примечание. По пункту 1.3.12.1 не контролируются: 2844 20 890 0
 а) поставки, содержащие один грамм плутония или менее;  
 б) поставки, содержащие три "эффективных грамма" плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах.  
1.3.12.2. Предварительно очищенный нептуний-237 в любой форме 2844 40 200 0; 2844 40 300 0
 Примечание. По пункту 1.3.12.2 не контролируются поставки с содержанием в один грамм нептуния-237 или менее.  

 

1.4. Программное обеспечение  
1.4.1. Программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пункту 1.2  
1.4.2. Программное обеспечение для разработки органических матриц, металлических матриц или углеродных матричных ламинатов или композиционных материалов  
1.5. Технология  
1.5.1. Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 1.1.1.2, 1.1.1.3, 1.1.2 - 1.1.5, 1.2 или 1.3  
1.5.2. Другие технологии, такие как:  
1.5.2.1. Технологии для разработки или производства полибензотиазолов или полибензоксазолей;  
1.5.2.2. Технологии для разработки или производства фтористых эластомерных соединений, содержащих по крайней мере один винилэфирный мономер;  
1.5.2.3. Технологии для проектирования или производства следующих базовых материалов или некомпозиционных керамических материалов:  
1.5.2.3.1. Базовых материалов, обладающих всем нижеперечисленным:  
1.5.2.3.1.1. Любой из следующих структур:  
 а) простыми или сложными оксидами циркония и сложными оксидами кремния или алюминия;  
 б) простыми нитридами бора (с кубическими формами кристаллов);  
 в) простыми или сложными карбидами кремния или бора; или  
 г) простыми или сложными нитридами кремния;  
1.5.2.3.1.2. Суммарными металлическими примесями, исключая преднамеренно вносимые добавки, в количестве, не превышающем:  
 а) 1000 частей на миллион для простых оксидов или карбидов; или  
 б) 5000 частей на миллион для сложных соединений или простых нитридов; и  
1.5.2.3.1.3. Любой из следующих характеристик:  
 а) средний размер частицы равен или меньше 5 мкм и не более 10% частиц с размером, превышающим 10 мкм; или  
 Примечание. Для циркония представленные выше пределы ограничены соответственно 1 мкм и 5 мкм.  
 б) имеющие все следующие характеристики:  
 1) защитные пластинки с отношением длины к толщине, превышающим значение 5;  
 2) короткие стержни ("усы") с отношением длины к диаметру, превышающим значение 10 для диаметров стержней менее 2 мкм; и  
 3) длинные или рубленые волокна с диаметром, меньшим 10 мкм  
1.5.2.3.2. Некомпозиционных керамических материалов, изготовленных из материалов, указанных в пункте 1.5.2.3.1  
 Примечание. По пункту 1.5.2.3.2 не контролируются абразивные материалы.  
1.5.2.4. Технологии для производства ароматических полиамидных волокон;  
1.5.2.5. Технологии для сборки, эксплуатации или восстановления материалов, контролируемых по пункту 1.3.1;  
1.5.2.6. Технологии для восстановления композиционных материалов, слоистых структур или материалов, контролируемых по пунктам 1.1.2, 1.3.7 или 1.3.7.4  
 Примечание. По пункту 1.5.2.6 не контролируются технологии для ремонта структур гражданских летательных аппаратов, использующие углеродные волокнистые или нитевидные материалы и эпоксидные смолы, содержащиеся в авиационных изделиях  

 

Категория 2. Обработка материалов  
2.1. Системы, оборудование и компоненты  
2.1.1. Антифрикционные подшипники или системы подшипников и их компоненты, такие как:  
 Примечание. По пункту 2.1 не контролируются шарикоподшипники с допусками, устанавливаемыми производителем в соответствии с международным стандартом ИСО 3290 по классу 5 или хуже.  
2.1.1.1. Шариковые и твердороликовые подшипники, имеющие допуски, устанавливаемые производителем в соответствии с международным стандартом ИСО 492 по классу точности 4 или лучше или его национальным эквивалентом и имеющие кольца, шарики или ролики, сделанные из медно - никелевого сплава или бериллия 8482 10 900 0; 8482 50 000 0
 Примечание. По пункту 2.1.1.1 не контролируются конические роликовые подшипники.  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
2.1.1.2. Другие шариковые и твердороликовые подшипники, имеющие допуски, устанавливаемые производителем в соответствии с международным стандартом ИСО 492 по классу точности 2 или лучше или его национальным эквивалентом 8482 80 000 0
 Примечание. По пункту 2.1.1.2 не контролируются конические роликовые подшипники.  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
2.1.1.3. Активные магнитные подшипниковые системы, имеющие любую из следующих составляющих: 8483 30 100 0; 8483 30 900 0
 а) материалы с магнитной индукцией 2 Т или больше и пределом текучести больше 414 МПа;  
 б) оснащенные электромагнитным устройством для привода с трехмерным униполярным высокочастотным подмагничиванием; или  
 в) высокотемпературные, с температурой 450 K (177 град. C) и выше, позиционные датчики  
2.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование Технические примечания.
1. Вторичные параллельные горизонтальные оси (например, W-ось на фрезах горизонтальной расточки или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее число горизонтальных осей.
2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, которые осуществляют относительное движение между любой обрабатываемой деталью и инструментом, отрезной головкой или шлифовальным кругом, которые отрезают или снимают материал с обрабатываемой детали. Это не включает любую из следующих дополнительных осей, которые осуществляют другие относительные движения в пределах станка:
а) кругозаправочные системы в шлифовальных станках;
б) параллельно вращающиеся оси, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей;
в) совместно вращающиеся оси, предназначенные для управления одинаковыми обрабатываемыми деталями путем закрепления их в патроне с разных концов
 
 Особое примечание. Ось вращения необязательно предусматривает поворот на угол, больший 360 град. Ось вращения может управлять устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой).  
 3. Номенклатура оси определяется в соответствии с международным стандартом ИСО 841 "Станки с числовым программным управлением. Номенклатура осей и видов движения".  
 4. Для этой категории наклоняющиеся шпиндели рассматриваются как оси вращения.  
 5. Для всех станков каждой модели может использоваться значение заявленной точности позиционирования, полученное не в результате индивидуальных механических испытаний, а рассчитанное в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом.  
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
 Особое примечание. Заявленная точность позиционирования означает величину точности, устанавливаемую производителем, в качестве показателя, отражающего точность всех станков определенной модели. Определение показателя точности:  
 1. Выбирается пять станков модели, подлежащей оценке.  
 2. Измеряется точность линейных осей в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997).  
 3. Определяется значение показателя А для каждой оси каждого станка. Метод определения значения показателя А описан в стандарте ИСО.  
 4. Определяется среднее значение показателя А для каждой оси.  
 Эта средняя величина А становится заявленной величиной (Ax, Ay...) для всех станков данной модели.  
 5. Поскольку станки, указанные в категории 2 настоящего Списка, имеют несколько линейных осей, количество заявленных величин показателя точности равно количеству линейных осей.  
 6. Если параметры осей определенной модели станка не подпадают под контроль по пунктам 2.2.1.1 - 2.2.1.3, а показатель А для шлифовальных станков равен или меньше (лучше) 5 мкм, для фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм, то производитель обязан каждые 18 месяцев вновь подтверждать величину точности.  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2.2.1. Станки, приведенные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими спецификациями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления:  
 Примечания. 1. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные обработкой шестерен. Для таких станков см. пункт 2.2.3
2. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные обработкой любых из следующих деталей:
а) коленчатых или распределительных валов;
б) резцов или фрез;
в) червяков экструдеров;
г) гравированных или ограненных деталей ювелирных изделий
 
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)

 

2.2.1.1. Токарные станки, имеющие все следующие характеристики: 8458; 8464 90 900 0;
 а) точность позиционирования со всей доступной компенсацией равную или меньшую (лучшую) 4,5 мкм в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом вдоль любой линейной оси; и 8465 99 100 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
 б) две или более оси, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления  
 Примечание. По пункту 2.2.1.1 не контролируются токарные станки, специально разработанные для производства контактных линз.  
2.2.1.2. Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик: 8459 31 000 0; 8459 39 000 0;
 а) имеющие все следующие характеристики:
1) точность позиционирования со всей доступной компенсацией, равную или меньшую (лучшую) 4,5 мкм, в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом вдоль любой линейной оси; и
2) три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления;
8459 51 000 0; 8459 61; 8459 69; 8464 90 900 0; 8465 92 000 0
 б) пять или более осей, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; или  
 в) точность позиционирования для координатно - расточных станков со всей доступной компенсацией равную или меньшую (лучшую) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом вдоль любой линейной оси;  
 г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики:
1) биение и эксцентриситет шпинделя меньше (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (ППИ); и
2) угловую девиацию движения суппорта (рыскание, тангаж и вращение вокруг продольной оси) меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на более чем 300 мм перемещения;
 
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
2.2.1.3. Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик: 8460 11 000 0; 8460 19 000 0;
 а) имеющие все следующие характеристики:
1) точность позиционирования со всей доступной компенсацией, равную или меньшую (лучшую) 3 мкм, в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом вдоль любой линейной оси; и
2) три или более чем три оси, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; или
8460 21; 8460 29; 8464 20 800 0; 8465 93 000 0
 б) пять или более осей, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления  
 Примечание. По пункту 2.2.1.3 не контролируются следующие шлифовальные станки:  
 а) цилиндрические внешние, внутренние и внешне - внутренние шлифовальные станки, обладающие всеми следующими характеристиками:  
 1) ограниченные цилиндрическим шлифованием; и  
 2) с максимально возможной длиной или диаметром изделия 150 мм;  
 б) станки, специально спроектированные для шлифования по шаблону и имеющие любую из следующих характеристик:  
 1) C-ось применяется для поддержания шлифовального круга в нормальном положении по отношению к рабочей поверхности; или  
 2) A-ось определяет конфигурацию цилиндрического кулачка;  
 в) плоскошлифовальные станки.  
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
2.2.1.4. Станки для электроискровой обработки (СЭО) без подачи проволоки, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; 8456 30
2.2.1.5. Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов, имеющие все следующие характеристики: 8424 30 900 0; 8456 10 00;
 а) обработка материалов осуществляется посредством любого из следующего: 8456 99 900 0
 1) водяных или других жидких струй, включая струи с абразивными присадками;  
 2) электронного луча; или  
 3) лазерного луча; и  
 б) имеющие две или более оси вращения, которые:  
 1) могут быть одновременно скоординированы для управления по контуру; и  
 2) имеют точность позиционирования меньше (лучше) 0,003 град.;  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
2.2.1.6. Станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий 5000 мм или более, и специально разработанные для них компоненты 8458; 8459 21 000 0; 8459 29 000 0

 

2.2.2. Утратил силу.  
2.2.3. Станки с числовым программным управлением или станки с ручным управлением и специально разработанные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (Rc = 40 или более) прямозубых цилиндрических, одно- или двухзаходных винтовых шестерен с модулем более 1250 мм и с лицевой шириной, равной 15% от модуля или более, с качеством после финишной обработки в соответствии с международным стандартом ИСО 1328 по классу 3 8461 40 710; 8461 40 790
2.2.4. Горячие изостатические прессы, имеющие все следующие составляющие, и специально разработанные для них компоненты и приспособления: 8462 99
 а) камеры с контролируемыми тепловыми условиями внутри закрытой полости и внутренним диаметром полости 406 мм и более; и  
 б) любую из следующих характеристик:  
 1) максимальное рабочее давление более 207 МПа;  
 2) контролируемые температурные условия, превышающие 1773 K (1500 град. C); или  
 3) оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения  
 Техническое примечание. Внутренний размер камеры относится к камере, в которой достигаются рабочие давление и температура; в размер камеры не включается размер зажимных приспособлений. Указанный выше размер будет минимальным из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из двух камер находится в другой.  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2.2.5. Оборудование, специально спроектированное для оснащения, реализации процесса и управления процессом нанесения неорганического покрытия, защитных слоев и поверхностных модификаций, например нижних слоев неэлектронными методами, или процессами, представленными в таблице и отмеченными в примечаниях после пункта 2.5.3.4, а также специально спроектированные средства автоматизированного регулирования, установки, манипуляции и компоненты управления, включая:  
2.2.5.1. Управляемое встроенной программой производственное оборудование для химического осаждения паров (CVD) со всеми следующими показателями: 8419 89 95
 а) процесс модифицирован для одного из следующих методов:  
 1) пульсирующего CVD;  
 2) управляемого термического осаждения с образованием центров кристаллизации (CNTD); или  
 3) усиленного плазмой или с помощью плазмы CVD; и  
 б) включает какой-либо из следующих способов:  
 1) использующий высокий вакуум (равный или менее 0,01 Па) для уплотнения вращением; или  
 2) использующий средства контроля толщины слоя покрытия на месте;  
2.2.5.2. Управляемое встроенной программой производственное оборудование ионной имплантации с силой тока луча 5 мА или более; 8543 19 000 0
2.2.5.3. Управляемое встроенной программой производственное оборудование для физического осаждения паров электронным лучом (ЕВ - PVD), включающее системы электропитания с расчетной мощностью свыше 80 кВт, имеющее любую из следующих составляющих: 8543 89 900 0
 а) лазерную систему управления уровнем в заливочной ванне, которая точно регулирует скорость подачи исходного вещества; или  
 б) управляемый компьютером регистратор скорости, работающий на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимый для нормирования скорости осаждения покрытия, содержащего два или более элемента;  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2.2.5.4. Управляемое встроенной программой производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик: 8419 89 300 0; 8419 89 95
 а) работающее при уменьшающемся давлении контролируемой атмосферы (равной или менее 10 кПа, измеряемой выше и внутри 300 мм выходного сечения сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, способной обеспечивать снижение давления до 0,01 Па, предшествующее началу процесса напыления; или  
 б) имеющее в своем составе средства контроля толщины слоя покрытия;  
2.2.5.5. Управляемое встроенной программой производственное оборудование металлизации напылением, способное обеспечить плотность тока 0,1 мА/кв. мм или более, с производительностью напыления 15 мкм/ч или более; 8419 89 300 0; 8419 89 95

 

2.2.5.6. Управляемое встроенной программой производственное оборудование катодно - дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления плотностью тока дуги на катоде; 8543 89 900 0
2.2.5.7. Управляемое встроенной программой производственное оборудование ионной металлизации, позволяющее осуществлять на месте любое из следующих измерений: 8543 89 900 0
 а) толщины слоя подложки и величины производительности; или  
 б) оптических характеристик  
 Примечание. По пунктам 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5, 2.2.5.6 и 2.2.5.7 не контролируется оборудование химического парового осаждения, катодно - дугового напыления, капельного осаждения, ионной металлизации или ионной имплантации, специально разработанное для покрытия режущего инструмента или для механообработки.  
2.2.6. Системы или оборудование для измерения или контроля размеров, такие как:  
2.2.6.1. Управляемые ЭВМ, с числовым программным управлением, управляемые встроенной программой машины контроля размеров, имеющие погрешность измерения длины по трем осям, равную или менее (лучше) (1,7 + L/1000) мкм (L - длина, измеряемая в миллиметрах), тестируемую в соответствии с международным стандартом ИСО 10360-2; 9031 80 310 0
2.2.6.2. Измерительные инструменты для линейных или угловых перемещений, такие как:  
2.2.6.2.1. Измерительные инструменты для линейных перемещений, имеющие любую из следующих составляющих: 9031 49 900 0; 9031 80 310 0; 9031 80 510 0;
 а) измерительные системы бесконтактного типа с разрешающей способностью, равной или менее (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм; 9031 80 590 0
 б) системы с линейным регулируемым дифференциальным преобразователем напряжения с двумя следующими характеристиками:  
 1) линейностью, равной или меньше (лучше) 0,1%, в диапазоне измерений до 5 мм; и  
 2) отклонением, равным или меньшим (лучшим) 0,1% в день, при стандартных условиях с колебанием окружающей температуры +/- 1 K; или  
 в) измерительные системы, имеющие все следующие составляющие:  
 1) содержащие лазер; и  
 2) эксплуатируемые непрерывно по крайней мере 12 часов при колебаниях окружающей температуры +/- 1 K при стандартных температуре и давлении, имеющие все следующие характеристики: разрешение на их полной шкале составляет 0,1 мкм или меньше (лучше); и погрешность измерения равна или меньше (лучше) (0,2 + L/2000) мкм (L - длина, измеряемая в миллиметрах)  
 Примечание. По пункту 2.2.6.2.1 не контролируются измерительные интерферометрические системы без обратной связи с замкнутым или открытым контуром, содержащие лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, средств контроля размеров или подобного оборудования.  
2.2.6.2.2. Угловые измерительные приборы с отклонением углового положения, равным или меньшим (лучшим) 0,00025 град. 9031 49 900 0; 9031 80 310 0; 9031 80 510 0;
 Примечание. По пункту 2.2.6.2.2 не контролируются оптические приборы, такие как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет для фиксации углового смещения зеркала. 9031 80 590 0
2.2.6.3. Оборудование для измерения неровностей поверхности с применением оптического рассеяния как функции угла, с чувствительностью 0,5 нм или меньше (лучше) 9031 49 900 0
 Примечания. 1. Станки, которые могут быть использованы в качестве средств измерения, подлежат контролю, если их параметры соответствуют или превосходят критерии, установленные для функций станков или измерительных приборов.  
 2. Системы, указанные в пункте 2.2.6, подлежат контролю, если они по своим параметрам превышают подлежащий контролю уровень где-либо в их рабочем диапазоне.  
2.2.7. Нижеперечисленные роботы и специально спроектированные контроллеры и рабочие органы для них: 8479 50 000 0; 8537 10 100 0; 8537 10 910 0;
 а) способные в реальном масштабе времени полно отображать процесс или объект в трех измерениях с генерированием или модификацией программ или с генерированием или модификацией цифровых программируемых данных; 8537 10 990 0
 Примечание. Ограничения по указанному процессу или объекту не включают аппроксимацию третьего измерения через заданный угол или интерпретацию через ограниченную пределами шкалу для восприятия глубины или текстуры модификации заданий (2 1/2 D).  
 б) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности, приспособленные к условиям изготовления взрывного военного снаряжения; или  
 в) специально спроектированные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие больше 5 x 1E3 Гр (кремний) [5 x 1E5 рад (кремний)] без операционной деградации;  
 г) специально предназначенные для операций на высотах, превышающих 30000 м  

 

2.2.8. Узлы или блоки, специально разработанные для станков, или контроля размеров, или измерительных систем и оборудования, такие, как: 
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
2.2.8.1. Блоки оценки линейного положения с обратной связью (например, приборы индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие полную точность меньше (лучше) [800 + (600 x L x 1E(-3))] нм (L - эффективная длина в миллиметрах) 8466
 Примечание. Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.6.2.1.  
2.2.8.2. Блоки оценки положения вращения с обратной связью (например, приборы индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие точность меньше (лучше) 0,00025 град. 8466
 Примечание. Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.6.2.1.  
2.2.8.3. Составные вращающиеся столы или наклоняющиеся шпиндели, применение которых в соответствии со спецификацией изготовителя может модифицировать станки до уровня, указанного в пункте 2.2, или выше 8466
2.2.9. Обкатные вальцовочные и гибочные станки, которые в соответствии с технической спецификацией изготовителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерного управления и которые имеют все следующие характеристики: 8462 29 100 0; 8463 90 100 0; 8463 90 900 0
 а) с двумя или более контролируемыми осями, которые могут одновременно и согласованно координироваться для контурного управления; и  
 б) с вращательной силой более 60 кН Техническое примечание. Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.9 как относящиеся к обкатным вальцовочным станкам.  
2.3. Материалы - нет  
2.4. Программное обеспечение  
2.4.1. Программное обеспечение иное, чем контролируемое по пункту 2.4.2, специально спроектированное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пунктам 2.1 или 2.2  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2.4.2. Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способное координировать одновременно более четырех осей для контурного управления  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
2.5. Технология  
2.5.1. Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пунктам 2.1, 2.2 или 2.4  
2.5.2. Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для производства оборудования, контролируемого по пунктам 2.1 или 2.2  
2.5.3. Другие технологии, такие как:  
2.5.3.1. Технологии для разработки интерактивной графики как интегрирующей части блоков числового программного управления для подготовки или модификации элементов программ;  
2.5.3.2. Нижеперечисленные технологии производственных процессов металлообработки:  
2.5.3.2.1. Технологии проектирования инструмента, пресс - форм или зажимных приспособлений, специально спроектированных для любого из следующих процессов:  
 а) сверхпластического формования;  
 б) диффузионного сваривания; или  
 в) гидравлического прессования прямого действия;  
2.5.3.2.2. Технические данные, включающие параметры или методы реализации процесса, перечисленные ниже и используемые для управления:  
 а) сверхпластическим формованием алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов:  
 1) данные о подготовке поверхности;  
 2) данные о степени деформации;  
 3) температура;  
 4) давление;  
 б) диффузионным свариванием титановых сплавов или суперсплавов:  
 1) данные о подготовке поверхности;  
 2) температура;  
 3) давление;  
 в) гидравлическим прессованием прямого действия алюминиевых или титановых сплавов:  
 1) давление;  
 2) время цикла;  
 г) горячей изостатической модификацией титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов:  
 1) температура;  
 2) давление;  
 3) время цикла  

 

2.5.3.3. Технологии разработки или производства гидравлических вытяжных формовочных машин и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов;  
2.5.3.4. Технологии для разработки генераторов машинных команд (то есть элементов программ) из проектных данных, находящихся внутри блоков числового программного управления;  
2.5.3.5. Технологии для разработки интегрирующего программного обеспечения для обобщения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления;  
2.5.3.6. Технологии для применения в неорганических чисто поверхностных покрытиях или неорганических покрытиях с модификацией поверхности изделия, отмеченных в графе "Результирующее покрытие" нижеследующей таблицы; неэлектронных слоевых покрытий (субстратов), отмеченных в графе "Подложки" нижеследующей таблицы; процессов, отмеченных в графе "Наименование процесса нанесения покрытия" нижеследующей таблицы и определенных техническим примечанием  
 Особое примечание. Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только в том случае, когда позиция графы "Результирующее покрытие" непосредственно соответствует позиции графы "Подложки". Например, в результате обработки подложки типа "углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей" путем химического осаждения паров может быть получено силицидное покрытие, которое не может получиться при том же способе нанесения покрытия на подложку типа "цементированный карбид вольфрама, карбид кремния". Во втором случае позиция графы "Результирующее покрытие" не находится непосредственно напротив позиции "цементированный карбид вольфрама, карбид кремния" графы "Подложки"  
в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

 
    Принадлежность конкретного оборудования, материала или технологии к оборудованию, материалам или технологиям, подлежащим экспортному контролю, определяется соответствием их технических характеристик техническому описанию, приведенному в графе "Наименование".
    При декларировании товаров данного Списка в графе 31 ГТД необходимо указывать технические характеристики этих товаров, определенные настоящим Списком.
 

ТАБЛИЦА К ПУНКТУ 2.5.3.6. ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРИЕМЫ ОСАЖДЕНИЯ ПОКРЫТИЙ

 

(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

 

Наименование процесса нанесения покрытия Подложки Результирующее покрытие
1. Химическое осаждение паров суперсплавы алюминиды для внутренних каналов
 керамика (19) и стекла с малым коэффициентом расширения (14) <*> силициды, карбиды, слои диэлектриков (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
 углерод - углерод, керамика (19) и композиционные материалы с металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), алюминиды, сплавы алюминидов (2), нитрид бора
 цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15)
 молибден и его сплавы слои диэлектриков (15)
 бериллий и его сплавы слои диэлектриков (15)
 материалы окон датчиков (9) слои диэлектриков (15)
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2. Физическое осаждение паров термовыпариванием   
2.1. Физическое осаждение паров электронным лучом суперсплавы сплавы силицидов, сплавы алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
 керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14) слои диэлектриков (15)
 коррозиестойкие стали (7) MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)
 углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), нитрид бора
 цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15)
 молибден и его сплавы слои диэлектриков (15)
 бериллий и его сплавы слои диэлектриков (15), бориды, бериллий
 материалы окон датчиков (9) слои диэлектриков (15)
 титановые сплавы (13) бориды, нитриды
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2.2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14) слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод
резистивного нагрева (ионное гальваническое покрытие) углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей слои диэлектриков (15)
 цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния слои диэлектриков (15)
 молибден и его сплавы слои диэлектриков (15)
 бериллий и его сплавы слои диэлектриков (15)
 материалы окон датчиков (9) слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2.3. Физическое осаждение паров: выпаривание лазером керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14) силициды, слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод
 углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей слои диэлектриков (15)
 цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния слои диэлектриков (15)
 молибден и его сплавы слои диэлектриков (15)
 бериллий и его сплавы слои диэлектриков (15)
 материалы окон датчиков (9) слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2.4. Физическое осаждение паров: катодный дуговой суперсплавы сплавы силицидов, сплавы алюминидов (2), MCrAlX (5)
разряд полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей бориды, карбиды, нитриды, алмазоподобный углерод
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
3. Цементация (10) углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
 сплавы титана (13) силициды, алюминиды, сплавы алюминидов (2)
 тугоплавкие металлы и сплавы (8) силициды, оксиды
4. Плазменное напыление суперсплавы MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), эрозионно стойкий никель - графит, эрозионно стойкие материалы, содержащие - никель - хром - алюминий, эрозионно стойкий алюминий - кремний - полиэфир, сплавы алюминидов (2)
 алюминиевые сплавы (6) MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4)
 тугоплавкие металлы и сплавы (8) алюминиды, силициды, карбиды
 коррозиестойкие стали (7) модифицированные виды циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), MCrAlX (5)
 титановые сплавы (13) карбиды, алюминиды, силициды, сплавы алюминидов (2), эрозионно стойкий никель - графит, эрозионно стойкий никель - хром - алюминий - бентонит, эрозионно стойкий алюминий - кремний - полиэфир
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5. Осаждение суспензии (шлама) тугоплавкие металлы и сплавы (8) легкоплавкие силициды, легкоплавкие алюминиды (кроме материалов для теплостойких элементов)
 углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
6. Металлизация распылением суперсплавы сплавы силицидов, сплавы алюминидов (2), благородные металлы, модифицированные алюминидами (3), MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4)
 керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14) силициды, платина, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод
 титановые сплавы (13) бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы алюминидов (2), карбиды
 углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), нитрид бора
 цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), нитрид бора
 молибден и его сплавы слои диэлектриков (15)
 бериллий и его сплавы бориды, слои диэлектриков (15), бериллий
 материалы окон датчиков (9) слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод
 тугоплавкие металлы и сплавы (8) алюминиды, силициды, оксиды, карбиды
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
7. Ионная имплантация высокотемпературные стойкие стали добавки хрома, тантала или ниобия (колумбия в США)
 титановые сплавы (13) бориды, нитриды
 бериллий и его сплавы бориды
 цементированный карбид вольфрама (16) карбиды, нитриды

 
    


    <*> См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий указанному в скобках.
 
    Примечания к таблице.
    1. Процесс нанесения покрытия включает как нанесение нового покрытия, так и ремонт и обновление существующих покрытий.
    2. Покрытие сплавами алюминида включает единичное или многократное нанесение покрытий, в ходе которого на элемент или элементы осаждается покрытие до или в течение процесса алюминидирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия с помощью других процессов. Это, однако, исключает многократное использование одношагового процесса пакетной цементации для получения сплавов алюминидов.
    3. Покрытие благородными металлами, модифицированными алюминидами, включает многошаговое нанесение покрытий, в котором благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида.
    4. Смеси включают инфильтрующий материал, композиции, выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов нанесения покрытий, изложенных в таблице.
    5. MCrAlX соответствует сложному составу покрытия, где M эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а X эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:
    а) CoCrAlY - покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия; или
    б) CoCrAlY - покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия; или
    в) NiCrAlY - покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.
    6. Термин "алюминиевые сплавы" соответствует сплавам с предельным значением прочности на разрыв 190 МПа или более, измеренным при температуре 293 K (20 град. C).
    7. Термин "коррозиестойкая сталь" относится к сталям, удовлетворяющим требованиям стандарта Американского института железа и стали, в соответствии с которым производится оценка по 300 различным показателям, или требованиям соответствующих национальных стандартов для сталей.
    8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий (колумбий - в США), молибден, вольфрам и тантал.
    (в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
    9. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.
    (в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
    10. Технология для одношаговой пакетной цементации твердых профилей крыльев не подвергается ограничению по Категории 2.
    11. Полимеры включают: полиамид, полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны.
    12. Термин "модифицированные виды циркония" означает цирконий с внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в соответствии с условиями стабильности определенных кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом смешения или расплава, не контролируются.
    13. Титановые сплавы определяются исключительно как аэрокосмические сплавы с предельным значением прочности на разрыв 900 МПа или более, измеренным при 293 K (20 град. C).
    (в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
    14. Стекла с малым коэффициентом расширения определяются как стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 1E(-7) К-1 или менее, измеренный при 293 K (20 град. C).
    15. Диэлектрические слоевые покрытия относятся к многослойным изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что используется для отражения, передачи или поглощения различных волновых диапазонов. Диэлектрические слоевые покрытия состоят из четырех и более слоев диэлектрика или слоевой композиции диэлектрик - металл.
    16. Цементированный карбид вольфрама не включает материалы, применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида вольфрама / (кобальт - никель), карбида титана / (кобальт - никель), карбида хрома / (никель - хром) и карбида хрома / никеля.
    17. Не контролируется технология, специально разработанная для нанесения алмазоподобного углерода на любое из нижеуказанного: магнитные дисководы и головки, оборудование для производства расходных материалов, вентили кранов, диафрагмы для динамиков акустических колонок, части автомобильных двигателей, режущие инструменты, пресс - формы для штамповки - прессования, офисное автоматизированное оборудование, микрофоны или медицинские приборы.
    (в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
    18. Карбид кремния не включает материалы для режущих и гибочных инструментов.
    (в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
    19. Керамические подложки, в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% от веса или более клей или цемент как отдельные составляющие, а также их сочетания.
    (в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
 
    Технические примечания к таблице. Процессы, представленные в графе "Наименование процесса нанесения покрытия", определяются следующим образом:
    1. Химическое осаждение паров - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика наносятся на нагретое изделие. Газообразные реактивы разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия для такого разложения или химической реакции может быть обеспечена за счет нагрева изделия плазменным разрядом или лучом лазера.
 
    Особые примечания. а) Химическое осаждение паров включает следующие процессы: беспакетное нанесение покрытия прямым газовым потоком, пульсирующее химическое осаждение паров, управляемое термическое осаждение с образованием центров кристаллизации, с применением мощного потока плазмы или химическое осаждение паров с участием плазмы.
    б) Пакет означает погружение изделия в пудру из нескольких составляющих.
    в) Газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и параметрами, такими как пакетная цементация, кроме случая, когда на изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры.
 
    2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством резистивного нагрева - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса конденсат или покрытие осаждается на соответствующие части поверхности изделия. Появляющиеся в вакуумной камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве модификаций процесса элементами сложного состава покрытия. Использование ионного или электронного излучения или плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе также свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева. Применение мониторов для обеспечения измерения в ходе процесса оптических характеристик или толщины покрытия может быть реализовано в будущем. Специфика физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева заключается в следующем:
    а) при электронно - лучевом физическом осаждении для нагревания и испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный луч;
    б) при физическом осаждении с терморезистором в качестве источника тепла в сочетании с соударением ионного пучка, обеспечивающих контролируемый и равномерный (однородный) поток паров материала покрытия, используется электрическое сопротивление;
    в) при парообразовании лазером для испарения материала, который формирует покрытие, используется импульсный или непрерывный лазерный луч;
    г) в процессе покрытия с применением катодной дуги в качестве материала, который формирует покрытие и имеет установившийся разряд дуги на поверхности катода после моментального контакта с заземленным пусковым устройством (триггером), используется расходуемый катод. Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор или сама камера может играть роль анода. Для нелинейного управления нанесением изоляции используются изделия с регулированием их положения.
    (в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
 
    Особое примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным положением изделия.
 
    д) Ионная имплантация - специальная модификация генерального процесса, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение (заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического осаждения паров термовыпариванием.
    3. Пакетная цементация - модификация метода нанесения покрытия на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет), которая состоит из:
    а) металлических порошков, которые входят в состав покрытия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
    б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
    в) инертной пудры, чаще всего алюмин (оксид алюминия).
    Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры), которая нагревается от 1030 K (757 град. C) до 1375 K (1102 град. C) на время, достаточное для нанесения покрытия.
    4. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление может быть основано на напылении плазмой низкого давления или высокоскоростной плазмой.
    (в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
 
    Особые примечания. а) Низкое давление означает давление ниже атмосферного.
    б) Высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при температуре 293 K (20 град. C) и давлении 0,1 МПа.
 
    5. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим, суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств покрытия.
    6. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле по направлению к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на поверхности мишени требуемого покрытия.
 
    Особые примечания. а) В таблице приведены сведения только о триодной, магнетронной или реактивной металлизации распылением, которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а также о радиочастотном усилении напыления, используемом при нанесении парообразующих неметаллических материалов покрытий.
    б) Низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения покрытия.
 
    7. Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности изделия, когда материал (сплав) ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала, и имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с ионной имплантацией относятся и процессы, в которых ионная имплантация самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания электронным лучом или металлизации распылением.
 

Техническая терминология, используемая в таблице технических приемов осаждения покрытий

 
    Подразумевается, что следующая техническая информация, относящаяся к таблице технических приемов осаждения покрытий, используется при необходимости.
    1. Терминология, используемая в технологиях для предварительной обработки подложек, указанных в таблице:
    1.1. Параметры химического снятия покрытий и очистки в ванне:
    1.1.1. Состав раствора для ванны:
    1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;
    1.1.1.2. Для приготовления чистых подложек
    1.1.2. Время обработки в ванне;
    1.1.3. Температура в ванне;
    1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов
    1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения величины чистящей дозы;
    1.3. Параметры циклов горячей обработки:
    1.3.1. Атмосферные параметры:
    1.3.1.1. Состав атмосферы;
    1.3.1.2. Атмосферное давление
    1.3.2. Температура для горячей обработки;
    1.3.3. Продолжительность горячей обработки
    1.4. Параметры подложек для поверхностной обработки:
    1.4.1. Параметры пескоструйной очистки:
    1.4.1.1. Состав песка;
    1.4.1.2. Размеры и форма частиц песка;
    1.4.1.3. Скорость подачи песка
    1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;
    1.4.3. Параметры окончательно обработанной поверхности
    1.4.4. Применение связующих веществ, способствующих адгезии
    (в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
    1.5. Технические параметры защитного покрытия:
    1.5.1. Материал защитного покрытия;
    1.5.2. Размещение защитного покрытия
    2. Терминология, используемая при определении технологических параметров, обеспечивающих качество покрытия для способов, указанных в таблице:
    2.1. Атмосферные параметры:
    2.1.1. Состав атмосферы;
    2.1.2. Атмосферное давление
    2.2. Временные параметры;
    2.3. Температурные параметры;
    2.4. Параметры слоя;
    2.5. Коэффициент параметров преломления
    2.6. Контроль структуры покрытия
    (в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
    3. Терминология, используемая в технологиях для обработки покрываемых подложек, указанных в таблице, осадкой мелкозернистым песчаником:
    3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
    3.1.1. Состав дроби;
    3.1.2. Размер дроби;
    3.1.3. Скорость подачи дроби
    3.2. Параметры обработки осадкой мелкозернистым песчаником;
    3.3. Параметры цикла горячей обработки:
    3.3.1. Атмосферные параметры:
    3.3.1.1. Состав атмосферы;
    3.3.1.2. Атмосферное давление
    3.3.2. Температурно - временные циклы
    3.4. Визуальные и макроскопические критерии горячей обработки для последующего нанесения покрытия на подложку
    4. Терминология, используемая в технологиях для определения технических приемов, гарантирующих качество покрытия подложек, указанных в таблице:
    4.1. Критерии статического выборочного контроля;
    4.2. Микроскопические критерии для:
    4.2.1. Усиления;
    4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
    4.2.3. Целостности покрытия;
    4.2.4. Состава покрытия;
    4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
    4.2.6. Микроструктурной однородности
    4.3. Критерии для оценки оптических свойств (мерой измерения параметров является длина волны):
    (в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
    4.3.1. Отражательная способность;
    4.3.2. Прозрачность;
    4.3.3. Поглощение;
    4.3.4. Рассеяние
    5. Терминология, используемая в технологиях и параметрах, связанных со специфическим покрытием и с процессами видоизменения поверхности, указанными в таблице:
    5.1. Для химического осаждения паров:
    5.1.1. Состав и формулировка источника покрытия;
    5.1.2. Состав несущего газа;
    5.1.3. Температура подложки;
    5.1.4. Температурно - временные циклы и циклы давления;
    5.1.5. Контроль и изменение дозировки газа
    5.2. Для термального сгущения - физического осаждения паров:
    5.2.1. Состав слитка или источника материала покрытия;
    5.2.2. Температура подложки;
    5.2.3. Состав химически активного газа;
    5.2.4. Норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого материала;
    5.2.5. Температурно - временные циклы и циклы давления;
    5.2.6. Контроль и изменение дозировки газа;
    5.2.7. Параметры лазера:
    5.2.7.1. Длина волны;
    5.2.7.2. Плотность мощности;
    5.2.7.3. Длительность импульса;
    5.2.7.4. Периодичность импульсов;
    5.2.7.5. Источник;
    5.2.7.6. Утратил силу.
    (в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
    5.3. Для цементации с предварительной обмазкой:
    5.3.1. Состав обмазки и формулировка;
    5.3.2. Состав несущего газа;
    5.3.3. Температурно - временные циклы и циклы давления
    5.4. Для плазменного напыления:
    5.4.1. Состав порошка, подготовка и объемы распределения;
    5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
    5.5.3. Температура подложки;
    5.4.4. Параметры мощности плазменной пушки;
    5.4.5. Дистанция напыления;
    5.4.6. Угол напыления;
    5.4.7. Состав покрывающего газа, давление и скорость потока;
    5.4.8. Контроль и изменение дозировки плазменной пушки
    5.5. Для металлизации распылением:
    5.5.1. Состав и структура мишени;
    5.5.2. Геометрическая регулировка положения деталей и мишени;
    5.5.3. Состав химически активного газа;
    5.5.4. Высокочастотное подмагничивание;
    5.5.5. Температурно - временные циклы и циклы давления;
    5.5.6. Мощность триода;
    5.5.7. Изменение дозировки
    5.6. Для ионной имплантации:
    5.6.1. Контроль и изменение дозировки пучка;
    5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
    5.6.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
    5.6.4. Температурно - временные циклы и циклы давления
    5.7. Для ионного гальванического покрытия:
    5.7.1. Контроль и изменение дозировки пучка;
    5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
    5.7.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
    5.7.4. Температурно - временные циклы и циклы давления;
    5.7.5. Скорость подачи покрывающего материала и скорость испарения;
    5.7.6. Температура подложки;
    5.7.7. Параметры наклона подложки
 

N позиции Наименование Код товарной номенклатуры внешне-экономической деятельности
 Категория 3. Электроника  
3.1. Системы, оборудование и компоненты  
 Примечания. 1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели те, которые указаны в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 или в пункте 3.1.1.1.12, которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу другого оборудования.  
 2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или в пункте 3.1.1.1.12, программы которых не могут быть изменены, или разработанных для выполнения конкретных функций для другого оборудования, определяется по контрольному статусу другого оборудования.  
 Особое примечание. В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.12; если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанных в пункте 3.1.1.1.3, и имеет длину слова операнда 8 бит или менее, то ее контрольный статус должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3.  
3.1.1. Электронные компоненты, такие как:  
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:  
 Примечания. 1. Контрольный статус готовых пластин или полуфабрикатов для их изготовления, на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1.  
 2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: твердотельные интегральные схемы; гибридные интегральные схемы; многокристальные интегральные схемы; пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; оптические интегральные схемы.  
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные или определяемые как радиационно стойкие, выдерживающие любое из следующих воздействий: 8542
 а) общую дозу 5 x 1E3 Гр (кремний) [5 x 1E5 рад (кремний)] или выше; или  
 б) предел мощности дозы 5 x 1E6 Гр/с (кремний) [5 x 1E8 рад (кремний)/с] или выше;  
3.1.1.1.2. Микропроцессорные микросхемы, микрокомпьютерные микросхемы, микросхемы микроконтроллеров, интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях, аналого - цифровые преобразователи, цифро - аналоговые преобразователи, электронно - оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем матрицы логических ключей на полевых транзисторах, программируемые пользователем логические матрицы полевых транзисторов, интегральные схемы для нейронных сетей, заказные интегральные схемы, у которых функция неизвестна либо производителю не известно, распространяется ли контрольный статус на аппаратуру, в которой будут использоваться данные интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, интегральные схемы электрически программируемых постоянных запоминающих устройств (ЭППЗУ), программируемые с ультрафиолетовым стиранием, и статических запоминающих устройств с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик: 8542
 а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 K (+125 град. C);  
 б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 K (-55 град. C); или  
 в) работоспособные за пределами диапазона температур окружающей среды от 218 K (-55 град. C) до 398 K (+125 град. C)  
 Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы, применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов.  
3.1.1.1.3. Микропроцессорные микросхемы, микрокомпьютерные микросхемы и микросхемы микроконтроллеров, имеющие любую из следующих характеристик: Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры.  
3.1.1.1.3.1. 3.1.1.1.3.2. Совокупную теоретическую производительность (СТП) 260 млн. теоретических операций в секунду (Мтопс) или более и арифметико - логическое устройство с длиной выборки 32 бита или более; Изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц; или 8542 13 55; 8542 13 690; 8542 14 300; 8542 14 440; 8542 19 550; 8542 19 680; 8542 40 100 8542 13 55; 8542 13 690; 8542 14 300; 8542 14 440; 8542 19 550; 8542 19 680; 8542 40 100
3.1.1.1.3.3. Более чем одну шину данных или команд, или порт последовательной связи, которые обеспечивают прямое внешнее межсоединение между параллельными микросхемами микропроцессоров со скоростью передачи, превышающей 150 Мбит/с 8542 13 55; 8542 13 690; 8542 14 300; 8542 14 440; 8542 19 550; 8542 19 680; 8542 40 100
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях; 8542 13 55; 8542 13 670 0; 8542 13 690; 8542 14 300; 8542 14 420 0; 8542 14 440; 8542 19 550; 8542 19 620 0; 8542 19 680; 8542 40 100
3.1.1.1.5. Интегральные схемы для аналого - цифровых и цифро - аналоговых преобразователей, такие как: 8542 30 650 0; 8542 30 950 0; 8542 40 900
 а) аналого - цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:  
 1) разрешающую способность 8 бит или более, но меньше 12 бит с общим временем преобразования до максимальной разрешающей способности менее 5 нс;  
 2) разрешающую способность 12 бит с общим временем преобразования до максимальной разрешающей способности менее 200 нс; или  
 3) разрешающую способность более 12 бит с общим временем преобразования до максимальной разрешающей способности менее 2 мкс;  
 б) цифро - аналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит и более и временем выхода на установившийся режим менее 10 нс;  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.1.6. Электронно - оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: 8542
 а) один внутренний лазерный диод или более;  
 б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и  
 в) оптические волноводы;  

 

3.1.1.1.7. Программируемые пользователем матрицы логических ключей, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 13 740 0; 8542 14 650 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
 а) эквивалентное количество годных вентилей более 30000 (в пересчете на двухвходовые);  
 б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,4 нс; или  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.1.8. Программируемые пользователем логические матрицы полевых транзисторов, имеющие хотя бы одну из следующих характеристик: 8542 13 740 0; 8542 14 650 0; 8542 19 740 0
 а) эквивалентное количество годных вентилей более 30000 (в пересчете на двухвходовые); или  
 б) частоту переключения, превышающую 133 МГц;  
3.1.1.1.9. Интегральные схемы для нейронных сетей; 8542
3.1.1.1.10. Заказные интегральные схемы, у которых функция неизвестна либо производителю неизвестно, распространяется ли контрольный статус на аппаратуру, в которой будут использоваться данные интегральные схемы, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 13 720 0; 8542 14 600 0; 8542 19 720 0; 8542 30; 8542 40
 а) свыше 1000 выводов;  
 б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или  
 в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.1.11. Цифровые интегральные схемы, отличающиеся от указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12, созданные на основе какого-либо полупроводникового соединения и имеющие любую из следующих характеристик: 8542
 а) эквивалентное количество годных вентилей более 3000 (в пересчете на двухвходовые); или  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
 б) частоту переключения, превышающую 1,2 ГГц;  
3.1.1.1.12. Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log2 N)/20480 мс, где N - число точек: 8542 13 55; 8542 13 610 0; 8542 13 630 0;
 Техническое примечание. В случае, когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.12 дает результат времени выполнения 500 мкс 
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона, такие как:  
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:  
 Примечание. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, разработанные или спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:
а) не превышает 31 ГГц; и
б) распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения.
 
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия, такие как: 8540 79 000 0
 а) работающие на частотах, превышающих 31 ГГц;  
 б) имеющие элемент подогрева катода со временем от включения до выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;  
 в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;  
 г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик:  
 1) мгновенную ширину полосы более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;  
 2) мгновенную ширину полосы в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или  
 3) годные для применения в космосе;  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.2.1.2. Лампы - усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; 8540 71 000 0
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, имеющие любую из следующих характеристик: 8540 99 000 0
 а) время выхода на уровень эмиссии менее 3 с; или  
 б) плотность тока при непрерывной эмиссии и штатных условиях функционирования, превышающую 5 А/кв. см  

 

3.1.1.2.2. Микроволновые интегральные схемы или модули, имеющие все следующее: 8542 30; 8542 40; 8542 50 000 0
 а) содержащие твердотельные интегральные схемы, имеющие один или более чем один элемент активных цепей; и  
 б) работающие на частотах выше 3 ГГц";  
 Примечания. 1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируются схемы или модули для оборудования, разработанного или спроектированного для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:
а) не превышает 31 ГГц; и
б) распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения
2. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или спроектированное для работы в полосе частот от 40,5 до 42,5 ГГц;
 
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, предназначенные для работы на частотах, превышающих 31 ГГц; 8541 21; 8541 29
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители, имеющие любую из следующих характеристик: 8543 89 900 0
 а) работающие на частотах свыше 10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину полосы частот более пол-октавы;  
 б) работающие на частотах свыше 31 ГГц;  
3.1.1.2.5. Фильтры с электронной или магнитной настройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5:1 (fmax / fmin) менее чем за 10 мкс, имеющие любую из следующих составляющих: 8543 89 900 0
 а) полосовые фильтры, имеющие полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или  
 б) заградительные фильтры, имеющие полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты;  
3.1.1.2.6. Микроволновые сборки, способные работать на частотах, превышающих 31 ГГц; 8542 50 000 0
3.1.1.2.7. Смесители и преобразователи, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, указанной в пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6; 8543 89 900 0
3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности СВЧ, содержащие лампы, контролируемые по пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие характеристики: 8543 89 900 0
 а) рабочие частоты свыше 3 ГГц;  
 б) среднюю плотность выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и  
 в) объем менее 400 куб. см  
 Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не контролируется аппаратура, разработанная или спроектированная для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения.  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и специально спроектированные для них компоненты, такие как:  
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонкой подложке (т.е. приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие любую из следующих характеристик: 8541 60 000 0
 а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или  
 б) несущую частоту более 1 ГГц, но не превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик:  
 1) частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ;  
 2) произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;  
 3) ширину полосы частот более 250 МГц; или  
 4) задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или  
 в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик:  
 1) произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;  
 2) задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или  
 3) частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 50 МГц;  
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических волнах (т.е. приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах свыше 1 ГГц; 8541 60 000 0
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку 8541 60 000 0

 

3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально спроектированные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из следующих признаков: 8540; 8541; 8542; 8543
 а) электромагнитное усиление:  
 1) на частотах, равных или ниже 31 ГГц, с уровнем шумов ниже 0,5 дБ; или  
 2) на частотах свыше 31 ГГц;  
 б) токовые переключатели для цифровых схем, использующие сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеяние мощности на вентиль (в ваттах) ниже 1E(-14) Дж; или  
 в) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10000  
3.1.1.5. Нижеперечисленные накопители энергии:  
3.1.1.5.1. Батареи и батареи на фотоэлектрических элементах, такие как: 8506; 8507;
 а) первичные элементы и батареи с плотностью энергии свыше 480 Вт.ч/кг и пригодные по техническим условиям для работы в диапазоне температур от 243 K (-30 град. C) и ниже до 343 K (70 град. C) и выше; 8541 40 910 0
 Техническое примечание. Плотность энергии определяется путем умножения средней мощности в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75% от номинала, и деления полученного произведения на общую массу элемента (или батареи) в кг.  
 б) подзаряжаемые элементы и батареи с плотностью энергии свыше 150 Вт.ч/кг после 75 циклов заряда - разряда при токе разряда, равном С/5 ч (С - номинальная емкость в ампер - часах), при работе в диапазоне температур от 253 K (-20 град. C) и ниже до 333 K (60 град. C) и выше;  
 в) батареи, по техническим условиям годные для применения в космосе, и радиационно стойкие батареи на фотоэлектрических элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв. м при рабочей температуре 301 K (28 град. C) и вольфрамовом источнике, нагретом до 2800 K (2527 град. C) и создающем энергетическую освещенность 1 кВт/кв. м  
 Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются батареи объемом 27 куб. см и меньше (например, стандартные угольные элементы или батареи типа R14).  
3.1.1.5.2. Накопители большой энергии, такие как: 8506; 8507; 8532
 а) накопители с частотой повторения менее 10 Гц (одноразовые накопители), имеющие все следующие характеристики:  
 1) номинальное напряжение 5 кВ или более;  
 2) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и  
 3) общую энергию 25 кДж или более;  
 б) накопители с частотой повторения 10 Гц и более (многоразовые накопители), имеющие все следующие характеристики:  
 1) номинальное напряжение не менее 5 кВ;  
 2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг;  
 3) общую энергию не менее 100 Дж; и  
 4) количество циклов заряда - разряда не менее 10000;  
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально спроектированные на полный заряд или разряд менее чем за одну секунду, имеющие все нижеперечисленные характеристики: 8505 19 900 0
 а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;  
 б) внутренний диаметр токопроводящих обмоток более 250 мм; и  
 в) номинальную магнитную индукцию свыше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке больше 300 А/кв. мм  
 Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, специально спроектированные для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии.  
3.1.1.6. Вращающиеся преобразователи абсолютного углового положения вала в код, имеющие любую из следующих характеристик: 9031 80 310 0
 а) разрешение лучше 1/265000 от полного диапазона (18 бит); или  
 б) точность лучше +/- 2,5 угл. с  

 

3.1.2. Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения:  
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее, такие как:  
3.1.2.1.1. Накопители на магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик: 8520 39 900 0; 8520 90 900 0; 8521 10 300 0; 8521 10 800 0
 а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку;  
 б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при числе дорожек более 42; или  
 в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +/- 0,1 мкс;  
 Примечание. Аналоговые видеомагнитофоны, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающая аппаратура.  
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса свыше 360 Мбит/с; 8521 10; 8521 90 000 0
 Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны, специально спроектированные для телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике;  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
3.1.2.1.3. Накопители на магнитной ленте для цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: 8521 10
 а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или  
 б) годные для применения в космосе  
 Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются аналоговые накопители на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных.  
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса свыше 175 Мбит/с, спроектированная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; 8521 90 000 0
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: 8543 89 900 0
 а) скорость преобразования в цифровую форму не менее 200 млн. проб в секунду и разрешение 10 или более проб в секунду; и  
 б) пропускную способность не менее 2 Гбит/с  
 Техническое примечание. Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого - цифрового преобразования.  
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов частоты, имеющие время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; 8543 20 000 0
3.1.2.3. Анализаторы сигналов: 9030 83 900 0;
 а) способные анализировать частоты, превышающие 31 ГГц; 9030 89 920 0
 б) динамические анализаторы сигналов с полосой пропускания в реальном времени, превышающей 500 кГц  
 Примечание. По подпункту "б" пункта 3.1.2.3 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно - октавные фильтры).  
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты, имеющие любую из следующих характеристик: 8543 20 000 0
 а) максимальную синтезируемую частоту более 31 ГГц;  
 б) время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; или  
 в) фазовый шум одной боковой полосы лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах дБ x с/Гц, где F - смещение рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц  
 Примечание. По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты.  

 

3.1.2.5. Сетевые анализаторы с максимальной рабочей частотой, превышающей 40 ГГц; 9030 40 900 0
3.1.2.6. Микроволновые приемники - тестеры, имеющие все следующие характеристики: 8527 90 990 0
 а) максимальную рабочую частоту, превышающую 40 ГГц; и  
 б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу;  
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие любую из следующих характеристик: 8543 20 000 0
 а) долговременную стабильность (старение) менее (лучше) 1E(-11) в месяц; или  
 б) годные для применения в космосе  
 Примечание. По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые стандарты, не предназначенные для космического применения.  
3.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:  
3.2.1.1. Установки, управляемые встроенной программой, предназначенные для эпитаксиального выращивания, такие как:  
3.2.1.1.1. Установки, способные выдерживать толщину слоя с отклонением не более +/- 2,5% на протяжении 75 мм или более; 8479 89 650 0
3.2.1.1.2. Установки химического осаждения паров металлорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов сложных полупроводников с помощью химических реакций между материалами, которые контролируются по пункту 3.3.3 или 3.3.4; 8419 89 200 0
3.2.1.1.3. Молекулярно - лучевые установки эпитаксиального выращивания, использующие газовые или твердые источники 8479 89 700 0; 8543 89 700 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
3.2.1.2. Установки, управляемые встроенной программой, специально предназначенные для ионной имплантации, имеющие любую из следующих характеристик: 8543 11 000 0
 а) энергию излучения (ускоряющее напряжение) свыше 1 МэВ;  
 б) специально спроектированные и оптимизированные для работы с энергией излучения (ускоряющим напряжением) ниже 2 кэВ;  
 в) обладающие способностью непосредственной записи; или  
 г) пригодные для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала;  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
3.2.1.3. Установки сухого травления анизотропной плазмой, управляемые встроенной программой: 8456 91 000 0; 8456 99 900 0
 а) с покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, имеющие любую из следующих характеристик:  
 1) разработанные или оптимизированные для производства структур с критической величиной отклонения размера 0,3 мкм или менее при среднеквадратичной погрешности 3 сигма = +/- 5%; или  
 2) разработанные для обеспечения дефектности поверхности менее 0,04 частицы на кв. см для частиц размером более 0,1 мкм в диаметре; 
 б) специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3.2.1.5, и имеющие любую из следующих характеристик:  
 1) разработанные или оптимизированные для производства структур с критической величиной отклонения размера 0,3 мкм или менее при среднеквадратичной погрешности 3 сигма = +/- 5%; или  
 2) разработанные для обеспечения дефектности поверхности менее 0,04 частицы на кв. см для частиц размером более 0,1 мкм в диаметре; 
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.2.1.4. Установки химического парофазового осаждения и плазменной стимуляции, управляемые встроенной программой: 8419 89 200 0; 8419 89 300 0
 а) с покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, имеющие любую из следующих характеристик:  
 1) разработанные в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированные для производства структур с критической величиной отклонения размера 0,3 мкм или менее при среднеквадратичной погрешности 3 сигма = +/- 5%; или  
 2) разработанные для обеспечения дефектности поверхности менее 0,04 частицы на кв. см для частиц размером более 0,1 мкм в диаметре; 
 б) специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3.2.1.5, имеющие любую из следующих характеристик:  
 1) разработанные в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированные для производства структур с критической величиной отклонения размера 0,3 мкм или менее при среднеквадратичной погрешности 3 сигма = +/- 5%; или  
 2) разработанные для обеспечения дефектности поверхности менее 0,04 частицы на кв. см для частиц размером более 0,1 мкм в диаметре; 
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.2.1.5. Управляемые встроенной программой автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой пластин, имеющие все следующие составляющие: 8456 10 00; 8456 91 000 0; 8456 99 900 0; 8456 99 300 0; 8479 50 000 0
 а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин, к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и  
 б) предназначенные для интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин в вакуумной среде  
 Примечание. По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические робототехнические системы загрузки пластин, не предназначенные для работы в вакууме.  
3.2.1.6. Установки литографии, управляемые встроенной программой, такие как:  
3.2.1.6.1. Установки многократного совмещения и экспонирования (прямого последовательного шагового экспонирования) или шагового сканирования (сканеры) для обработки пластин методом фотооптической или рентгеновской литографии, имеющие любую из следующих составляющих: 9009 22 900 0
 а) источник света с длиной волны короче 350 нм; или  
 б) способность воспроизводить рисунок с минимальным размером разрешения от 0,5 мкм и менее  
 Примечание. Минимальный размер разрешения (МРР) рассчитывается по следующей формуле:  
 (экспозиция источника освещения с длиной волны в мкм) x (К фактор)  
 МРР = ------------------------------------------- 
 цифровая апертура  
 где К фактор = 0,7.  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
3.2.1.6.2. Установки, специально спроектированные для производства шаблонов или обработки полупроводниковых приборов с использованием отклоняемого фокусируемого электронного луча, пучка ионов или лазерного луча, имеющие любую из следующих характеристик: 8456 10 00; 8456 99
 а) размер пятна менее 0,2 мкм;  
 б) способность производить рисунок с минимальными разрешенными проектными нормами менее 1 мкм; или  
 в) точность совмещения лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма)  
3.2.1.7. Шаблоны или промежуточные фотошаблоны, разработанные для интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1;  
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем 9010 90 000 0

 

3.2.2. Аппаратура испытаний, управляемая встроенной программой, специально спроектированная для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально спроектированные компоненты и приспособления для нее:  
3.2.2.1. Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах свыше 31 ГГц; 9031 80 390 0
3.2.2.2. Для испытаний интегральных схем, способная выполнять функциональное тестирование (по таблицам истинности) с частотой тестирования строк более 60 МГц; 9031 80 390 0
 Примечание. По пункту 3.2.2.2 не контролируется аппаратура испытаний, специально спроектированная для испытаний:  
 а) электронных сборок или класса электронных сборок для бытовой или игровой электронной аппаратуры;  
 б) неконтролируемых электронных компонентов, электронных сборок или интегральных схем;  
 в) запоминающих устройств.  
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.2.2.3. Для испытаний микроволновых интегральных схем на частотах, превышающих 3 ГГц; 9031 80 390 0
 Примечание. По пункту 3.2.2.3 не контролируется аппаратура испытаний, специально спроектированная для испытания микроволновых интегральных микросхем для оборудования, предназначенного или пригодного по техническим условиям для работы в стандартном диапазоне частот, установленном Международным союзом электросвязи, с частотами, не превышающими 31 ГГц.  
3.2.2.4. Электронно - лучевые системы, спроектированные для работы на уровне 3 кэВ или менее, или лазерные лучевые системы для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов, имеющие все следующие составляющие: 9031 80 390 0
 а) стробоскопический режим либо с затенением луча, либо с детекторным стробированием; и  
 б) электронный спектрометр для замера напряжений менее 0,5 В  
 Примечание. По пункту 3.2.2.4 не контролируются сканирующие электронные микроскопы, кроме тех, которые специально спроектированы и оснащены для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов.  
3.3. Материалы  
3.3.1. Гетероэпитаксиальные материалы, состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями, имеющими любую из следующих составляющих:  
3.3.1.1. Кремний; 3818 00 100 0; 3818 00 900 0
3.3.1.2. Германий; 3818 00 900 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818 00 900 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.3.1.4. Соединения III/V на основе галлия или индия 3818 00 900 0
 Техническое примечание. Соединения III/V - это поликристаллические или двухэлементные или сложные монокристаллические продукты, состоящие из элементов групп IIIA и VA периодической системы Менделеева (по отечественной классификации это группы A3 и B5) (арсенид галлия, алюмоарсенид галлия, фосфид индия и т.п.)