Ленты новостей RSS
Главные новости Главные новости
Новости законодательства Новости законодательства
Лента новостей Лента новостей
Судебная практика Судебная практика
Обзор законодательства Обзор законодательства
Письма Минфина Письма Минфина
Обзор изменений Обзор изменений
Используйте наши ленты новостей и Вы всегда будете в курсе событий. Достаточно установить любое RSS расширение для браузера, например RSS Feed Reader
Если что-то не нашли
Присоединяйтесь!
Зарегистрированных пользователей портала: 504 830. Присоединяйтесь к нам, зарегистрироваться очень просто →
Законодательство
Законодательство

ПРИКАЗ ФТС РФ от 07.02.2006 N 91 "О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ПРИЛОЖЕНИЕ К ПРИКАЗУ ГТК РОССИИ ОТ 26.07.2004 N 796"

Дата документа07.02.2006
Статус документаОтменен/утратил силу
МеткиПриказ · Перечень
x
Документ отменен / утратил силу
Документ отменен или утратил силу. Подробная информация приводится в примечаниях к документу.

    

ФЕДЕРАЛЬНАЯ ТАМОЖЕННАЯ СЛУЖБА

 

ПРИКАЗ
от 7 февраля 2006 г. N 91

 

О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ПРИЛОЖЕНИЕ К ПРИКАЗУ ГТК РОССИИ ОТ 26.07.2004 N 796

 
    В целях обеспечения выполнения Указа Президента Российской Федерации от 01 декабря 2005 года N 1384 "О внесении изменений в Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых" осуществляется экспортный контроль" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2005, N 49, ст. 5201) приказываю:
    1. Внести в приложение к приказу ГТК России от 26.07.2004 N 796 "О контроле за экспортом товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники" изменения по перечню согласно приложению к настоящему приказу.
    2. Пресс-службе ФТС России (И.И. Скибинская) обеспечить опубликование настоящего приказа в официальных изданиях ФТС России.
    3. ГНИВЦу ФТС России (С.Л. Гусев) внести соответствующие изменения в нормативно-справочную информацию ЕАИС ФТС России.
    4. Начальникам региональных таможенных управлений, таможен, непосредственно подчиненных ФТС России, обеспечить доведение положений настоящего приказа до сведения всех заинтересованных лиц.
    5. Действие настоящего приказа распространяется на правоотношения, возникшие со дня вступления в силу Указа Президента Российской Федерации от 01.12.2005 N 1384 - с 07 марта 2006 года.
    6. Контроль за исполнением настоящего приказа возложить на заместителя руководителя ФТС России Т.Н. Голендееву.
 

Руководитель
генерал-полковник
таможенной службы
А.Е.ЖЕРИХОВ

 
 
 

Приложение
к приказу ФТС России
от 07.02.2006 N 91

 

УТВЕРЖДЕН
Указом Президента
Российской Федерации
от 01.12.2005 N 1384

 

ПЕРЕЧЕНЬ
ИЗМЕНЕНИЙ, ВНОСИМЫХ В СПИСОК ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ

 
    1. В разделе 1:
    в пункте 1.1.5:
    дополнить пункт особым примечанием следующего содержания:
 

"Особое примечание.
Для нитевидных и волокнистых материалов см. пункт 1.3.10";
 

 
    в примечании 1 слова "индивидуальные комплекты бронежилетов и принадлежности к ним, которые вывозятся пользователями" заменить словами "бронежилеты или защитная одежда, которые вывозятся пользователем";
    в пункте 1.2.1.5 код ТН ВЭД "8451 80 800 0" заменить кодом ТН ВЭД "8451 80 800 9";
    в пункте 1.3.4 код ТН ВЭД "8101 99 000 0;" после кода ТН ВЭД "2844 10 900 0;" исключить, включив его после кода ТН ВЭД "8101 96 000 0;";
    в пункте 1.3.8.1.4 слова ", измеренную сухим методом, описанным в стандартной методике ASTM D 3418" исключить;
    в пункте 1.3.8.2 слова "методикой ASTM D-648 (метод А) или ее" заменить словами "международным стандартом ISO 75-3 (2004) или его";
    в пункте 1.3.8.6 слово "Полибифениленэфирсульфон" заменить словами "Полибифениленэфирсульфоны, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (T_g выше 513 К (240 °С)";
    в техническом примечании к пункту 1.3.8 слова "стандартной методике ASTM D 3418, применяющей сухой метод" заменить словами "международном стандарте ISO 11357-2 (1999) или его национальном эквиваленте";
    в пункте 2.1.1.1 код ТН ВЭД "8482 10 900 0" заменить кодом ТН ВЭД"8482 10 900";
    в пункте 2 технических примечаний к пункту 2.2: после слов "по которым" включить слова "или вокруг которых"; слова "осуществляются относительные движения между любой обрабатываемой деталью и режущим инструментом, отрезной головкой или шлифовальным кругом, которые осуществляют съем материала с обрабатываемой детали" заменить словами "в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом";
    в пункте 2.2.1:
    дополнить пункт словами ", а также специально разработанные для них компоненты";
    в пункте 1 примечаний цифры "2.2.2" заменить цифрами "2.2.3";
    дополнить примечания пунктом 3 следующего содержания:
 

"3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3"; 

 
    пункт "б" примечания к пункту 2.2.1.3 изложить в следующей редакции:
 

"б) станки, специально разработанные как координатно-шлифовальные, не имеющие Z-оси или W-оси, с точностью позиционирования со всеми доступными компенсациями меньше (лучше) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом;"; 

    
    после пункта 2.2.1.6 включить новый пункт 2.2.2 и техническое примечание к нему следующего содержания:
 

"2.2.2. Станки с числовым программным управлением, использующие процесс магнитореологической чистовой обработки (МРЧО) 8464 20 110 0;
8464 20 190 0;
8464 20 950 0;
8465 93 000 0";
 Техническое примечание.
Для целей пункта 2.2.2 под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем
 

 
    пункты 2.2.2 - 2.2.8 считать соответственно пунктами 2.2.3 -2.2.9;
    в примечании к пункту 2.2.4 цифру "4" заменить цифрой "5";
    в пунктах 2.2.4.1, 2.2.4.2, 2.2.4.4 - 2.2.4.7 слова "Управляемое встроенной программой производственное" заменить словом "Производственное";
    в пункте 2.2.4.3 слова "Управляемое встроенной программой технологическое" заменить словом "Технологическое";
    в пункте 2.2.5.1 слова "управлением, числовым программным управлением или управляемые встроенной программой" заменить словами "управлением или числовым программным управлением";
    в примечании и техническом примечании к пункту 2.2.5.2.1 цифру "5" заменить цифрой "6";
    в примечании к пункту 2.2.5.2.2:
    после слова "свет" включить слова "(например, лазерное излучение)";
    цифру "5" заменить цифрой "6";
    в особых примечаниях к пунктам 2.2.7.1 и 2.2.7.2 цифру "5" заменить цифрой "6";
    в техническом примечании к пункту 2.2.8 цифру "8" заменить цифрой "9";
    примечание к пункту 2.4.2 изложить в следующей редакции:
 

"Примечания:
1. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для работы станков, не контролируемых по пунктам категории 2
2. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2. В отношении контроля за программным обеспечением для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2, см. пункт 2.4.1";
 

 
    в пункте 17 примечаний к таблице "Технические приемы нанесения покрытий" к пункту 2.5.3.6:
    слова "любое из следующего" заменить словами "любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия";
    слова "и медицинские приборы" заменить словами "медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы":
    в пункте "б" особых примечаний к пункту 4 технических примечаний к таблице "Технические приемы нанесения покрытий" к пункту 2.5.3.6, в пунктах 9.1.6.4, 9.1.6.5, 9.1.6.8, подпункте "б" пункта 9.1.7 и в техническом примечании к пункту 9.5.3.7 обозначение "Мпа" заменить обозначением "МПа";
    пункт 3.1.1.1.3.2 изложить в следующей редакции:
 

"3.1.1.1.3.2. Более трех шин данных или команд либо последовательных портов связи, обеспечивающих в отдельности прямое внешнее соединение между параллельными микросхемами микропроцессоров со скоростью передачи 1000 Мбайт/с или более 8542 21 45;
8542 21 500 0;
8542 21 83;
8542 21 850 0;
8542 60 000";

 
    в пункте 3.1.1.1.5:
    подпункт "а" изложить в следующей редакции:
 

"а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:  
 разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду;  
 разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду;  
 разрешающую способность 12 бит со скоростью на выходе более 50 млн. слов в секунду;  
 разрешающую способность более 12 бит, но равную или меньше 14 бит, со скоростью на выходе более 5 млн. слов в секунду; или  
 разрешающую способность более 14 бит со скоростью на выходе более 1 млн. слов в секунду;";  

    
    в технических примечаниях:
    пункт 2 изложить в следующей редакции:
 

"2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности аналого-цифрового преобразователя";  

 
    дополнить технические примечания пунктами 3 и 4 следующего содержания:
 

"3. Скорость на выходе является максимальной скоростью на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с)  
 4. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду;"; 

    
    в подпункте "а" пункта 1 и в подпункте "б" пункта 2 примечаний к пункту 3.1.1.2.1, в подпункте "а" пункта 3.1.1.2.1.1, пункте 3.2.2.1, подпункте "ж" пункта 3.5.3, пункте 5.1.1.4 и в подпункте "б" пункт 5.5.1.3.4 цифры "31" заменить цифрами "31,8";
    пункт 3.1.1.2.2 изложить в следующей редакции:
 

"3.1.1.2.2. Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 29;
8542 60 000;
8542 70 000 0";
 а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15 %;
 б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1мВт), с относительной шириной полосы частот более 10 %;
 в) предназначенные для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10 %;  
 г) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;  
 д) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; или  
 е) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц  

 
    в примечаниях к названному пункту:
    пункт 1 исключить;
    пункт 2 считать пунктом 1;
    дополнить примечания пунктами 2 и 3 следующего содержания
 

"2. Контрольный статус ММИС, рабочая частота которых охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности  
 3. Примечания, приведенные после пункта 3.1 категории 3, подразумевают, что по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они специально разработаны для иных целей, например для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей;";  

 
    пункты 3.1.1.2.3 и 3.1.1.2.4 изложить в следующей редакции:
 

"3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 21 000 0;
8541 29 000 0
 а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);
 б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1мВт);
 в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1мВт);  
 г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1мВт); или  
 д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц  
 Примечание.  
 Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;  
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие микроволновые усилители, имеющие любую из следующих характеристик: 8543 89 950 0";
 а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1мВт), с относительной шириной полосы частот более 15 %;  
 б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;  
 в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;  
 г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10 %;  
 д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц; или  
 е) предназначенные для работы на частотах выше 3 ГГц и имеющие все следующее:
среднюю выходную мощность Р (Вт), большую, чем результат от деления величины 150 (Вт·ГГц2) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть: Р > 150/f(2) или в единицах размерности [(Вт) > (Вт·ГТц2)/(ГГц)2];
относительную ширину полосы частот 5 % или более;
любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см-ГТц) на наименьшую рабочую частоту f (ГТц), то есть: d <= 15/f или в единицах размерности [(см) <= (см·ГТц)/(ГТц)]
 
 Особое примечание.  
 Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, описанные в пункте 3.1.1.2.2  
 Примечания:  
 1. По пункту 3.1.1.2.4 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц  
 2. Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;  

 
    пункт 3.1.1.2.6 исключить;
    пункты 3.1.1.2.7 и 3.1.1.2.8 считать соответственно пунктами 3.1.1.2.6 и 3.1.1.2.7;
    в примечании к пункту 3.1.1.2.8 цифру "8" заменить цифрой "7";
    в пунктах 3.1.2.1.2, 3.1.2.1.4 и 3.1.2.1.6 код ТН ВЭД "8521 90 000 0" заменить кодом ТН ВЭД "8521 90 000 9";
    пункт 3.1.2.3.1 изложить в следующей редакции:
 

"3.1.2.3.1. Анализаторы сигналов, способные анализировать любые сигналы с частотой выше 31,8 ГГц, но не превышающей 37,5 ГГц, и имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 10 МГц; 9030 83 900 0;
9030 89 920 0";

 
    в пункте 3.1.2.3 после пункта 3.1.2.3.1 включить новый пункт 3.1.2.3.2 следующего содержания:
 

"3.1.2.3.2. Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 43,5 ГГц; 9030 83 900 0;
9030 89 920 0;

 
    в примечании к пункту 3.1.2.3.2 слова "По пункту 3.1.2.3.2" заменить словами "По пункту 3.1.2.3.3";
    пункт 3.1.2.3.2 считать пунктом 3.1.2.3.3;
    в пункте 3.1.2.4:
    в подпункте "а" слова ", превышающую 31,8 ГГц" заменить словами "выше 31,8 ГГц, но не превышающую 43,5 ГГц, и предназначенные для создания длительности импульса менее 100 нс";
    включить в пункт новый подпункт "б" следующего содержания:
 

"б) максимальную синтезируемую частоту выше 43,5 ГГц;"; 

 
    в подпункте "в" слова "в единицах дБ/Гц" заменить словами "в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц";
    подпункты "б" и "в" считать соответственно подпунктами "в" и "г";
    дополнить пункт техническим примечанием следующего содержания:
 

"Техническое примечание.  
 Для целей подпункта "а" пункта 3.1.2.4 длительность импульса определяется как временной интервал между передним фронтом импульса, достигающим 90 % от максимума, и задним фронтом импульса, достигающим 10 % от максимума";  

 
    пункт 3.1 дополнить пунктом 3.1.3 следующего содержания:
 

"3.1.3. Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты 8419 89 989 0;
8424 89 950 9;
8479 89 980 0";

 
    в пунктах 3.2.1.1, 3.2.1.3, 3.2.1.4, 3.2.1.6, 3.2.2 слова "Управляемое встроенной программой оборудование" заменить словом "Оборудование";
    пункт 3.2.1.1.1 изложить в следующей редакции:
 

"3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее производство любого из следующего: 8479 89 650 0";
 а) силиконового слоя с отклонением равномерности его толщины менее ±2,5 % на расстоянии 200 мм или более; или  
 б) слоя из любого материала, отличного от силикона, с отклонением равномерности толщины менее ±2,5 % на расстоянии 75 мм или более;  

 
    в пункте 3.2.1.2:
    слова "Управляемое встроенной программой оборудование" заменить словом "Оборудование";
    в подпункте "г" слова "имеет возможность" заменить словами "энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для";
    в подпункте "а" пунктов 3.2.1.3.1 и 3.2.1.3.2 слова "размером 0,3 мкм" заменить словами "размером 180 нм";
    пункты 3.2.1.4.1 и 3.2.1.4.2 изложить в следующей редакции:
 

"3.2.1.4.1. Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее;  
3.2.1.4.2. Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее;";

 
    в пункте 3.2.1.5 слова "Управляемые встроенной программой автоматически" заменить словом "Автоматически";
    в пункте 3.2.1.6.1:
    в подпункте "а" цифры "350" заменить цифрами "245";
    в подпункте "б":
    слова "элемента 0,35 мкм" заменить словами "элемента 180 нм";
    в техническом примечании:
    слово "микрометрах" заменить словом "нанометрах";
    цифры "0,7" заменить цифрами "0,45";
    пункт 3.2.1.8 дополнить примечанием следующего содержания:
 

"Примечание.
По пункту 3.2.1.8 не контролируются многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, разработанные для изготовления запоминающих устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1";
 

    
    пункт 3.2.2.2 с примечанием и техническим примечанием исключить;
    пункт 3.2.2.3 считать пунктом 3.2.2.2;
    в пункте 3.3.3.2 после слова "чистотой" включить слово "основы";
    в пункте 3.4:
    пункты 3.4.2 и 3.4.3 изложить в следующей редакции:
 

"3.4.2. Программное обеспечение, специально разработанное для применения в любом нижеследующем оборудовании:
 а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1 -3.2.1.6; или  
 б) контролируемом по пункту 3.2.2  
3.4.3. Физически обоснованное программное обеспечение моделирования, специально разработанное для разработки процессов литографии, травления или осаждения с целью воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топографические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках  
 Техническое примечание.  
 Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается использование вычислений для определения последовательности физических факторов и результатов воздействия, основанных на физических свойствах (например, температура, давление, коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов)  
 Примечание.  
 Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология";  

 
    дополнить пункт пунктом 3.4.4 следующего содержания:
 

"3.4.4. Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования, контролируемого по пункту 3.1.3";

 
    пункт 3.5.1 дополнить примечанием следующего содержания:
 

"Примечание. 
 По пункту 3.5.1 не контролируются технологии для производства оборудования или компонентов, контролируемых по пункту 3.1.3"; 

 
    примечание к пунктам 3.5.1 и 3.5.2 изложить в следующей редакции:
 

"Примечание. 
По пунктам 3.5.1 и 3.5.2 не контролируются технологии для разработки или производства интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11, имеющих оба нижеперечисленных признака: 
 а) использующие технологии с разрешением 0,5 мкм или выше; и 
 б) не содержащие многослойных структур"; 

 
    в техническом примечании к примечанию к пунктам 3.5.1 и 3.5.2 слова "подпункте 2 пункта" заменить словом "пункте";
    подпункт "б" пункта 3.5.3 дополнить примечанием следующего содержания:
 

"Примечание. 
 По подпункту "б" пункта 3.5.3 не контролируются технологии для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц;";  

 
    пункт 4.1.2 исключить;
    в примечаниях к пунктам 4.1.3.1, 4.1.3.5, 4.1.3 и в пункте 4.1.3.3 цифру "3" заменить цифрой "2";
    в примечаниях к пункту 4.1.3.3 цифры "3.2", "3.3" и "3.4" заменить соответственно цифрами "2.2", "2.3" и "2.4";
    в пункте 4.1.3.4 коды ТН ВЭД "8543 90 200 0; 8471 90 000 0" заменить кодами ТН ВЭД "8471 90 000 0; 8543 90 200 0";
    пункты 4.1.3 - 4.1.3.5 и 4.1.4 - 4.1.4.3 считать соответственно пунктами 4.1.2 - 4.1.2.5 и 4.1.3 - 4.1.3.3;
    в подпунктах "а" пунктов 4.4.1.2 и 4.5.2 цифры "28 000" заменить цифрами "75 000";
    в пункте 5 примечаний к этапу III технического примечания (по вычислению совокупной теоретической производительности) к категории 4 цифры "4.1.3.3" заменить цифрами "4.1.2.3";
    пункт 5.1.1 дополнить пунктом 5.1.1.5 следующего содержания:
 

"5.1.1.5. Оборудование радиопеленгации, работающее на частотах выше 30 МГц и имеющее все следующие характеристики, и специально разработанные для него компоненты: 8525 20 990 9;
8526 91 900 0";
 а) мгновенную ширину полосы частот, равную 1 МГц или выше;  
 б) параллельную обработку данных по более чем 100 частотным каналам; и  
 в) производительность более 1000 пеленгований в секунду на частотный канал  

 
    в пунктах 5.2.1.2, 5.4.1.4 и 5.5.1.3 слова "управляемого встроенной программой" исключить;
    в пунктах 5.2.1.2.1, 5.4.1.4.1 и 5.5.1.3.1:
    слова ", включая асинхронный режим передачи," исключить;
    слова "превышающей 1,5 Гбит/с;" заменить словами "превышающей 15 Гбит/с";
    дополнить пункты техническим примечанием следующего содержания:
 

"Техническое примечание.  
 Для коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи измеряется по самой высокой скорости порта или линии;"; 

 
    пункт 5.1.2.1.6 исключить;
    пункт 5.1.2.1.7 считать пунктом 5.1.2.1.6;
    в пункте 6.1.1.1.2.1:
    подпункт "д" считать подпунктом "е";
    в техническом примечании слова "Техническое примечание." исключить;
    техническое примечание считать пунктом 3 новых технических примечаний, изложенных в пункте 4 настоящего приложения;
    пункт 6.1.3.2.1 и техническое примечание к нему изложить в следующей редакции:
 

"6.1.3.2.1. Видеокамеры, включающие твердотельные датчики, имеющие максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от более 10 нм до 30 000 нм включительно и все следующее: 8525 30;
8525 40";
 а) имеющие любую из следующих характеристик:  
 более 4 х 10(6) активных пикселей на твердотельную матрицу для монохромных (черно-белых) камер;  
 более 4 х 10(6) активных пикселей на твердотельную матрицу для цветных камер, включающих три твердотельные матрицы; или  
 более 12 х 10(6) активных пикселей для цветных камер на основе одной твердотельной матрицы; и  
 б) имеющие любую из следующих характеристик:  
 оптические зеркала, контролируемые по пункту 6.1.4.1;  
 оборудование оптического контроля, контролируемое по пункту 6.1.4.4; или  
 способность комментирования отслеживаемых данных, накопленных внутри камеры  
 Технические примечания:  
 1. Для целей настоящего пункта цифровые видеокамеры должны оцениваться максимальным числом активных пикселей, используемых для фиксации движущихся изображений  
 2. Для целей настоящего пункта термин "отслеживаемые данные камеры" означает информацию, необходимую для определения ориентации по линии визирования камеры относительно земли. Это включает:  
 а) азимутальный угол линии визирования камеры, образованный относительно направления магнитного поля земли; и  
 б) вертикальный угол между линией визирования камеры и горизонтом земли;  

 
    в пункте 6.1.5.2:
    примечания, данные в конце пункта, исключить, включив их после слов "Полупроводниковые лазеры:";
    пункты 6.1.5.2.2 и 6.1.5.2.3 изложить в следующей редакции:
 

"6.1.5.2.2. Одиночные с многократными поперечными модами полупроводниковые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 40 100 0
 а) длину волны менее 1400 нм и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 10 Вт;  
 б) длину волны, равную или больше 1400 нм, но менее 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 2,5 Вт; или  
 в) длину волны, равную или больше 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 1 Вт;  
6.1.5.2.3. Матрицы отдельных полупроводниковых лазеров, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 40 100 0";
 а) длину волны менее 1400 нм и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 80 Вт;  
 б) длину волны, равную или больше 1400 нм, но менее 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 25 Вт; или  
 в) длину волны, равную или больше 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 10 Вт;  

 
    включить после пункта 6.1.5.2.3 пункт 6.1.5.2.4 следующего содержания:
 

"6.1.5.2.4. Наборы матриц полупроводниковых лазеров, включающие по меньшей мере одну матрицу, которая контролируется по пункту 6.1.5.2.3 8541 40 100 0";

 
    техническое примечание к пункту изложить в следующей редакции:
 

"Технические примечания: 
 1. Полупроводниковые лазеры обычно называются лазерными диодами 
 2. Матрица состоит из повторяющихся излучателей полупроводникового лазера, скомпонованных как однокристальная микросхема таким образом, чтобы центры пучков излучаемого света находились на параллельных траекториях  
 3. Набор матриц компонуется наложением или иным способом сборки матриц таким образом, чтобы центры пучков излучаемого света находились на параллельных траекториях;";  

    
    пункт 6.1.6.1 изложить в следующей редакции:
 

"6.1.6.1. Следующие магнитометры и их подсистемы:
6.1.6.1.1 Использующие технологию сверхпроводящих материалов (сверхпроводящих квантовых интерференционных датчиков или СКВИДов) и имеющие любую из следующих характеристик: 9015 80 110 0;
9015 80 930 0
 а) системы СКВИДов, разработанные для стационарной эксплуатации, без специально разработанных подсистем, предназначенных для уменьшения шума в движении, и имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность), равный или меньше (лучше) 50 фТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц; или  
 б) системы СКВИДов, специально разработанные для устранения шума в движении и имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) магнитометра в движении меньше (лучше) 20 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц;  
6.1.6.1.2. Использующие технологии оптической накачки или ядерной прецессии (протонной/Оверхаузера), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) меньше (лучше) 20 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах 9015 80 110 0;
9015 80 930 0
Особое примечание.
В отношении магнитометров и их подсистем, указанных в пункте 6.1.6.1.2, см. также пункт 6.1.5.1 раздела 2;
6.1.6.1.3. Использующие технологию феррозондов (магнитомодуляционных датчиков), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность), равный или меньше (лучше) 10 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц; 9015 80 110 0;
9015 80 930 0";

 
    в пунктах 6.1.6.2 - 6.1.6.7 код ТН ВЭД "9015 80 930 0" заменить кодами ТН ВЭД "9015 80 110 0; 9015 80 930 0";
    пункты 6.1.6.2 и 6.1.6.3 считать соответственно пунктами 6.1.6.1.4 и 6.1.6.1.5;
    пункт 6.1.6 дополнить новым пунктом 6.1.6.2 следующего содержания:
 

"6.1.6.2. Следующие магнитные градиентометры:"; 

 
    в пункте 6.1.6.4 слова "по пунктам 6.1.6.1-6.1.6.3" заменить словами "по пункту 6.1.6.1";
    в особом примечании к пункту 6.1.6.7 цифру "7" и цифры "5.1" заменить соответственно цифрой "3" и цифрами "5.2";
    пункты 6.1.6.4 - 6.1.6.6 и 6.1.6.7 считать соответственно пунктами 6.1.6.2.1 - 6.1.6.2.3 и 6.1.6.3;
    пункт 6.1.6.8 и особое примечание к нему исключить;
    в пункте 6.1.8.10 коды ТН ВЭД "9015 10 900 0; 9013 80 910 0" заменить кодами ТН ВЭД "9015 10 100 0; 9015 10 900 0; 9031 80 340 0; 9031 80 910 0";
    в пункте 6.3.4.1 коды ТН ВЭД "2842 90 100 0; 2830 20 000 0" заменить кодами ТН ВЭД "2830 20 000 0; 2842 90 100 0";
    в пункте 6.5.3 слово "Магнитометры" после пункта 6.5.3.5 исключить;
    пункт 6.5.3.6 изложить в следующей редакции:
 

"6.5.3.6. Магнитометры - нет";

 
    в пункте 7.1.2:
    в подпункте "а":
    слова "воздействия 1 g на протяжении периода в 3 месяца" заменить словами "приложения нормальной силы тяжести (1 g) на протяжении периода в 1 месяц";
    слова "° в час" заменить словами "градуса в час";
    слова "ниже 10 g" заменить словами "ниже 12 g";
    слова "от 10 g" заменить словами "от 12 g";
    в последнем абзаце слово "или" исключить;
    включить в пункт новый подпункт "б" следующего содержания:
 

"б) угловой случайный дрейф, равный или меньше (лучше) 0,0035 градуса, деленного на корень квадратный из времени в часах; или 
 Примечание. 
 По подпункту "б" пункта 7.1.2 не контролируются гироскопы с вращающейся массой (гироскопы с вращающейся массой -гироскопы, использующие непрерывно вращающуюся массу для определения углового перемещения)  
 Техническое примечание.  
 Для целей подпункта "б" пункта 7.1.2 угловой случайный дрейф - угловое отклонение, накопленное со временем, в результате белого шума на угловой частоте (стандарт IEEE STD 528-2001)"; 

    
    подпункт "б" считать подпунктом "в";
    в пункте 7.1.3 слова "навигационные системы (ИНС)" заменить словом "системы":
    в пункте 7.1.3.1 после слова "системы" включить слово "(ИНС)", после слова "передвижения" включить слова ", судов (надводных или подводных)";
    пункт 7.1.3 дополнить пунктом 7.1.3.3 следующего содержания:
 

"7.1.3.3. Инерциальное оборудование для указания азимута, курса или севера, имеющее любую из следующих характеристик, а также специально разработанные компоненты для него: 9014 10 900 0;
9014 20 900 0;
9014 80 000 0;
9014 90 900 0;
а) разработанное для указания азимута, курса или севера со среднеквадратичной погрешностью, равной 6 угловым минутам или менее (лучше) от действующего значения на 45 градусах широты; или  
б) разработанное с уровнем ударной нагрузки до нерабочего состояния в 900 g и более при продолжительности в 1 мс или более  

 
    примечания к пункту дополнить пунктом 3 следующего содержания:
 

"3. По подпункту "а" пункта 7.1.3.3 не контролируются теодолитовые системы, включающие инерциальное оборудование, специально разработанные для гражданских исследовательских целей";  

 
    пункт 7.1.7 исключить;
    в пунктах 8.1.2.1.3 и 8.1.2.3 коды ТН ВЭД "8544 70 000 0; 9001 10; 7326 90 800 0" заменить кодами ТН ВЭД "7326 90 800 0; 8544 70 000 0; 9001 10";
    в пункте 8.1.2.8, подпункте "б" пункта 8.1.2.9 и в примечании к нему слова ", управляемого встроенной программой" исключить;
    в пункте 8.1.2.15.2.2 коды ТН ВЭД "850134 990 0; 8501 34 500 0" заменить кодами ТН ВЭД "8501 34 500 0; 8501 34 990 0";
    пункт 9.1.1 изложить в следующей редакции:
 

"9.1.1. Газотурбинные авиационные двигатели, имеющие любое из следующего: 8411 11 900 0;
8411 81;
8411 82";
а) использующие любые технологии, контролируемые по пункту 9.5.3.1; или
Примечание.
По подпункту "а" пункта 9.1.1 не контролируются газотурбинные авиационные двигатели, удовлетворяющие всему нижеследующему:
а) сертифицированные гражданским авиационным ведомством государства, являющегося участником Вассенаарских договоренностей по экспортному контролю за обычными вооружениями, товарами и технологиями двойного применения (ВД); и
б) предназначенные для полета невоенного пилотируемого летательного аппарата, для которого государством, являющимся участником ВД, был выдан сертификат гражданского типа
б) разработанные для полета летательного аппарата, предназначенного для перемещения с крейсерской скоростью, равной 1 М или выше, в течение более 30 мин

 
    пункт 2 особых примечаний к пункту 9.5.2 дополнить словами "см. пункт 1.5.2.6".
    2. В разделе 2:
    в пункте 3.2.1 слова "управляемые встроенной программой и" исключить;
    в пункте 4.4.1 и подпункте "б" пункта 4.5.1 цифры "75 000" заменить цифрами "190 000";
    в пункт 6.1.5 включить новый пункт 6.1.5.1 следующего содержания:
 

"6.1.5.1. Магнитометры, использующие технологии оптической накачки или ядерной прецессии (протонной/Оверхаузера), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) меньше (лучше) 2 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах; 9015 80 110 0;
9015 80 930 0";

 
    в пункте 6.1.5.1:
    код ТН ВЭД "9015 80 930 0" заменить кодами ТН ВЭД "9015 80 110 0; 9015 80 930 0";
    в примечании к пункту цифры "6.1.5.1" заменить цифрами "6.1.5.2";
    считать пункт 6.1.5.1 пунктом 6.1.5.2;
    пункт 6.1.5.2 исключить;
    в примечании к пунктам 6.1.5.1 и 6.1.5.2 слова "По пунктам 6.1.5.1 и 6.1.5.2" заменить словами "По пункту 6.1.5";
    в пункте 8.1.2.2 слова "управляемого встроенной программой," исключить.
    3. В разделе 3 категорию 4 и ее пункты изложить в следующей редакции:
 

"КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА - нет". 

    
    4. В разделах 1 - 3:
    в пунктах 1.1.2.1 и 1.1.2.2.1 раздела 1, пунктах 1.1.1.1 и 1.1.1.2.1 раздела 2 и в пункте 1.1.1 раздела 3 код ТН ВЭД "3926 90 910 0" заменить кодом ТН ВЭД "3926 90 910 9";
    в пункте 6.1.1.1.2.1:
    подпункты "а" и "б" изложить в следующей редакции:
 

"а) включающие непрерывные гибкие чувствительные элементы; 9014 80 000 0;
9015 80 110 0;
9015 80 930 0
9014 80 000 0;
9015 80 110 0;
9015 80 930 0
9014 80 000 0;
9015 80 930 0";
 б) включающие гибкие сборки дискретных чувствительных элементов с диаметром или длиной менее 20 мм и с расстоянием между элементами менее 20 мм;
 в) имеющие любые из следующих чувствительных элементов: волоконно-оптические; пьезоэлектрические из полимерных пленок, отличные от поливинилиденфторида (PVDF) и его сополимеров {P(VDF-TrFE) и P(VDF-TFE)} ({поли(винилиденфторид-трифторэтилен) и поли(винилиденфторид-тетрафторэтилен)}); или гибкие пьезоэлектрические из композиционных материалов;

 
    подпункты "в" и "г" считать соответственно подпунктами "г" и "д";
    дополнить пункт после примечания техническими примечаниями (новыми для раздела 1) следующего содержания:
 

"Технические примечания: 
 1. Пьезоэлектрические чувствительные элементы из полимерной пленки состоят из поляризованной полимерной пленки, которая натянута на несущую конструкцию или катушку (сердечник) и прикреплена к ним 
 2. Гибкие пьезоэлектрические чувствительные элементы из композиционного материала состоят из пьезоэлектрических керамических частиц или волокон, распределенных в электроизоляционном акустически прозрачном резиновом, полимерном или эпоксидном связующем, которое является неотъемлемой частью чувствительного элемента;"; 

    
    в пункте 6.1.1.1.2.2:
    подпункт "а" дополнить словами ", или имеющие возможность модификации дм расположения гидрофонных групп с шагом менее 12,5 м";
    в техническом примечании к подпункту "б" слово "подпункте" заменить словами "подпунктах "а" и";
    в пункте 9.5.3.1.1 слова "напряжении 200 Мпа" заменить словами "напряжении 200 МПа".
    5. В разделе 4:
    в пункте 12.2.1.1.2 код ТН ВЭД "9032 89 900 00" заменить кодом ТН ВЭД "9032 89 900 0";
    в пункте 18.1.1.1 код ТН ВЭД "8421 39 300 0" заменить кодом ТН ВЭД "8421 39 300 9".
    6. В примечаниях к Списку:
    пункт 1 дополнить абзацем следующего содержания:
    "Оборудование, подпадающее под контроль по пунктам разделов 1-3 настоящего Списка, но специально разработанное для конечного использования в медицинских целях, не контролируется.";
    в пункте 4:
    слова "АРП- асинхронный режим передачи (категория 5)." исключить;
    термин "Асинхронный режим передачи" и его определение исключить;
    в термине "Распределяемые Международным союзом электросвязи":
    слово "Радиоуставом" заменить словами "текущей редакцией Радиоустава";
    слова "(издание 1998 года)" исключить;
    слова "категории 3 и" заменить словами "категория 3 и часть 1 категории";
    термин "Управляемое встроенной программой", его определение и техническое примечание к нему исключить.